已經(jīng)邁入20nm時(shí)代 半導(dǎo)體業(yè)整并潮加劇

　　其以下的制程之后，將呈現(xiàn)更驚人的倍數(shù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，因此能負(fù)擔(dān)如此巨額資本資出(CAPEX)的廠商家數(shù)愈來(lái)愈少，帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備商、IC設(shè)計(jì)業(yè)者加速展開(kāi)購(gòu)并，以力鞏市場(chǎng)勢(shì)力版圖。

　　應(yīng)用材料(AppliedMaterials)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，半導(dǎo)體制造的資本密集度在20奈米及其以下制程之后，將大幅增長(zhǎng)，以記憶體產(chǎn)業(yè)為例，從60奈米進(jìn)展至20奈米，資本支出將增加3.4倍;而在IC產(chǎn)業(yè)更是高達(dá)4倍之多。

　　余定陸進(jìn)一步指出，隨著半導(dǎo)體制程推展至20奈米及其以下，能負(fù)荷龐大制造設(shè)備采購(gòu)成本的晶圓廠家數(shù)亦逐漸減少，如目前在22/20奈米制程的晶圓廠家數(shù)僅余五家;進(jìn)展至16/14奈米制程時(shí)，家數(shù)可能會(huì)再縮減。

　　此外，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近十余年來(lái)，亦因更多的整合元件制造商(IDM)紛紛轉(zhuǎn)向采取輕晶圓廠(Fab-lite)和無(wú)晶圓廠(Fabless)的策略，致使投資半導(dǎo)體制造資本支出的廠商家數(shù)大幅下降。

　　在半導(dǎo)體制程朝20奈米及以下推進(jìn)之下，晶圓代工廠和半導(dǎo)體制造商家數(shù)亦將急速縮減，連帶導(dǎo)致半導(dǎo)體設(shè)備商和IC設(shè)計(jì)業(yè)者的合作夥伴數(shù)量跟著驟減，將導(dǎo)致市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇，于是晶圓代工廠、IDM、半導(dǎo)體設(shè)備商及IC設(shè)計(jì)業(yè)者皆紛紛透過(guò)收購(gòu)壯大企業(yè)規(guī)模，造成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大者恒大的態(tài)勢(shì)將會(huì)更趨明顯，如近期應(yīng)用材料已藉由購(gòu)并競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東京威力科創(chuàng)(TokyoElectron)，躍升為全球最大半導(dǎo)體設(shè)備商。

　　余定陸預(yù)期，未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大者恒大態(tài)勢(shì)更加顯著，以半導(dǎo)體設(shè)備為例，在眾多產(chǎn)品類別中，市占第一與第二名的差距已非常顯著;且2012年全球前五大半導(dǎo)體設(shè)備商的市占已上看63%，未來(lái)前五大半導(dǎo)體設(shè)備商市占集中度將更高。