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          單片機(jī)電源模塊設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2013-03-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2.2.2 15WDC/DC電源變換器的工作原理

          DC/DC電源變換器的主要性能指標(biāo)如下:

          1)采用DPA424P型單片開關(guān)式穩(wěn)壓器,構(gòu)成正激、隔離式、3路輸出的DC/DC電源變換器模塊。直流輸入電壓范圍是36~75V,3路輸出分別為5V/2.4A、7.5V/0.4A和20V/10mA,總輸出功率為15.2W,開關(guān)頻率為400kHz;

          2)多路輸出,穩(wěn)壓性能好,在最壞的情況下,各路輸出的負(fù)載調(diào)整率指標(biāo)見表1,

          表1 各路輸出的負(fù)載調(diào)整率指標(biāo)

          3路輸出電壓UO/V 5 7.5 20
          負(fù)載變化范圍/% 20~100 0~100 100
          負(fù)載調(diào)整率SI/% ≤±1 -4~+8 -3~+6
          3)采用電容耦合式技術(shù),DC/DC電源變換器的效率高達(dá)88%;

          4)能精確設(shè)定輸入線路的欠電壓、過(guò)電壓值;

          5)具有輸出過(guò)載保護(hù)、開環(huán)保護(hù)和過(guò)熱保護(hù)功能。

          圖3中,輸入端EMI濾波器由C1,L1和C2構(gòu)成。R1為欠電壓值/過(guò)電壓值設(shè)定電阻,所設(shè)定的UUV=33.3V,UOV=86.0V。R1還能自動(dòng)減小最大占空比,防止磁飽和。R2為極限電流設(shè)定電阻,取R2=13.3kΩ時(shí),所設(shè)定的漏極極限電流ILIMIT′=0.57ILIMIT=0.57×2.50A=1.425A。穩(wěn)壓管VDZ2可將漏極電壓箝位在安全范圍以內(nèi)。V1的等效柵極電容能給高頻變壓器提供最佳復(fù)位。

          該電源以5V輸出作為主輸出,其他兩路輸出都是在此基礎(chǔ)上獲得的。由C11,R11,R12和MOS場(chǎng)效應(yīng)管V2及V1構(gòu)成5V主輸出的電容耦合式器。穩(wěn)壓管VDZ3起箝位作用。在沒有開關(guān)信號(hào)時(shí),通過(guò)下拉電阻R13使V2關(guān)斷。儲(chǔ)能電感L2回掃繞組的電壓經(jīng)過(guò)VD4和C9整流濾波后,獲得20V輸出。高頻變壓器次級(jí)繞組(8-5)的電壓經(jīng)過(guò)VD3和C10整流濾波后獲得7.5V輸出。將6.8V穩(wěn)壓管VDZ4和二極管VD7反極性串聯(lián)后作為7.5V輸出的負(fù)載電阻,以改善空載穩(wěn)壓特性??蛰d時(shí)輸出電壓一旦超過(guò)7.5V,VDZ4就被反向擊穿,利用VDZ4和VD2上的壓降可將輸出電壓箝制在大約7.5V上。正常工作時(shí),輔助繞組的輸出電壓經(jīng)過(guò)VD6、C5整流濾波后給光耦合器PC357提供12~15V的偏壓。R5、VD8和C16組成軟啟動(dòng)電路,能防止在啟動(dòng)過(guò)程中輸出過(guò)沖。

          的電源效率與輸入電壓的關(guān)系曲線如圖6所示。

          點(diǎn)擊瀏覽下一頁(yè)

          圖6 電源效率與輸入電壓的關(guān)系曲線

          2.2.3 電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)

          1)采用雙極型功率開關(guān)管(VT)

          (1)選擇雙極型開關(guān)管VT,要能承受較高的電壓并提供足夠的電流,其電流放大系數(shù)要足夠高。

          (2)選擇R14以提供足夠大的基極電流,確保能夠開啟DC/DC電源變換器。

          (3)選擇R16(典型值為10~20Ω)以限制在開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的尖峰電流。

          (4)推薦采用Fairchild公司生產(chǎn)的TIP29C型雙極型中功率開關(guān)管,其主要參數(shù)如下:集電極—發(fā)射極擊穿電壓UU(BR)CEO=100V,基極最大允許電流IBM=0.4A,最大集電極電流ICM=1A,集電極最大功耗PCM=30W,hFE=75倍,fT=3.0MHz。

          2)采用功率MOSFET(V3)

          (1)選擇R14以限制穩(wěn)壓管VDZ4和VDZ5的功耗。

          (2)選擇R15以確保在輸入電壓低于28V時(shí)能關(guān)閉V3。

          (3)選擇VDZ4的穩(wěn)壓值以防止在輸入電壓低于28V時(shí)開啟V3。

          (4)注意,R14及R15的電阻值還影響到VDZ4的損耗。

          (5)選擇VDZ5的穩(wěn)壓值以限制V3的最大柵-源電壓(典型值應(yīng)為15V)。

          (6)推薦采用Philips公司生產(chǎn)的IRF530N型N溝道功率MOSFET。其主要參數(shù)如下:漏-源極擊穿電壓U(BR)DS=100V,最大漏極功耗PDM=79W,漏-源通態(tài)電阻RDS(ON)=80mΩ,跨導(dǎo)gFS=11S,導(dǎo)通時(shí)間tON=36ns,關(guān)斷時(shí)間tOFF=12ns。

          3 結(jié)語(yǔ)

          特種集成開關(guān)電源的種類很多,還可以設(shè)計(jì)LED驅(qū)動(dòng)電源、地面數(shù)字電視播放(DVB-T)電源及電源適配器等新產(chǎn)品;而LinkSwitch系列高效率恒壓/恒流式三端單片開關(guān)電源、LinkSwitch-TN系列及DPA-Switch系列單片開關(guān)電源的問世,為實(shí)現(xiàn)中、小功率特種開關(guān)電源的優(yōu)化設(shè)計(jì)創(chuàng)造了有利條件。

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