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          提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

          作者: 時間:2012-12-06 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1. 嵌入式 存儲介質(zhì)與EEPROM 的主要特性對比

          電可擦除和編程只讀存儲器(EEPROM)是在絕大多數(shù)嵌入式應(yīng)用中都會使用到的用于保存非易失性數(shù)據(jù)的關(guān)鍵器件,用于在程序運行期間保存數(shù)據(jù)。 閃存( Memory,簡稱為"Flash")是一種非易失性( Non-Volatile )存儲器,廣泛應(yīng)用于各種嵌入式處理器中,用于存儲程序代碼。

          由于硬件成本原因,在許多嵌入式處理器中并沒有集成EEPROM 模塊,通常我們可以采用在片內(nèi)Flash 存儲器中保存非易失性數(shù)據(jù)的應(yīng)用方式來達(dá)到使用要求。對一些普通的應(yīng)用場合,這種使用方式可以滿足要求。

          表一 EEPROM與Flash 對比分析

          提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

          1.1 寫訪問時間

          由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同,所以寫訪問時間也不相同。Flash 具有更短的寫訪問時間,所以更適用于對存儲速度有要求的場合。

          1.2 寫方法

          外置EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM的最大不同之處在于寫的方法。

          EEPROM:對EEPROM 的寫操作不需要額外的操作,只需要提供電源供給;但是一旦啟動寫操作流程后,寫操作不能夠被打斷。所以需要外接電容器等措施來保證在芯片掉電時能夠維持供電,保證完成數(shù)據(jù)操作。

          Flash 模擬EEPROM:當(dāng)芯片上電后,寫操作可以被電源掉電和芯片復(fù)位打斷。和EEPROM 相比,需要應(yīng)用設(shè)計者增加相關(guān)的處理來應(yīng)對可能存在的異常。

          1.3 擦寫時間

          EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM在擦除時間上存在很大的差異。

          與Flash 不同,EEPROM 在進(jìn)行寫操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要幾個毫秒時間進(jìn)行擦除操作,所以如果在進(jìn)行擦除操作的過程中出現(xiàn)電源掉電的情況,需要軟件做相關(guān)的保護(hù)處理。為了設(shè)計一個健壯的Flash 存儲器的管理軟件,需要深入的了解和掌握Flash 存儲器的擦除過程特性。

          2. 增加Flash 模擬EEPROM 的方法

          可以根據(jù)用戶的需求采用不同的方法實現(xiàn)Flash 存儲器模擬EEPROM。

          2.1 虛擬地址加數(shù)據(jù)方案

          通常需要兩個頁以上的Flash 空間來模擬EEPROM。上電后,初始化代碼先查找出有效頁,同時將另外一個頁初始化為擦除狀況,以提供字節(jié)寫的能力,并用作備份和隨時準(zhǔn)備執(zhí)行寫入操作。需要存儲EEPROM 的變量數(shù)據(jù)首先寫入有效頁,當(dāng)有效頁寫滿后,需將所有數(shù)據(jù)的最后狀態(tài)保存到備份頁,并切換到備份頁進(jìn)行操作。每一頁的第一個字節(jié)通常用來指示該頁的狀態(tài)。

          每個頁存在3 種可能狀態(tài):

          擦除態(tài):該頁是空的。

          已寫滿數(shù)據(jù)狀態(tài):該頁已經(jīng)寫滿數(shù)據(jù),準(zhǔn)備切換到下一個頁進(jìn)行操作。

          有效頁狀態(tài):該頁包含著有效數(shù)據(jù)并且標(biāo)示狀態(tài)尚未改變,所有的有效數(shù)據(jù)全部拷貝到了已經(jīng)擦除的頁。

          下圖以采用兩個頁模擬EEPROM的方式為例,描述了頁狀態(tài)字的在頁0 和頁1 之間的切換過程。

          提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

          采用這種方式,用戶不知道數(shù)據(jù)刷新的頻率。

          下面的圖例以采用兩個頁模擬EEPROM 的應(yīng)用方式為例進(jìn)行描述。為了方便獲取模擬EEPROM數(shù)據(jù)和更新數(shù)據(jù)內(nèi)容,每個存儲變量元素都在Flash 里定義了一個操作單元,在該操作單元中對每個存

          儲變量元素都分配一個虛擬操作地址,即一個EEPROM 操作單元包含一個虛擬地址單元和一個數(shù)據(jù)單元。當(dāng)需要修改數(shù)據(jù)單元內(nèi)容時,新的數(shù)據(jù)內(nèi)容和之前分配的虛擬地址一同寫入一個新的模擬EEPROM存儲器單元中,同時返回最新修改的數(shù)據(jù)內(nèi)容。EEPROM存儲單元格式描述如圖二。

          提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

          使用虛擬地址加數(shù)據(jù)的方案總結(jié)如下。

          ? 為每一個目標(biāo)存儲變量分配一個虛擬地址,該虛擬地址需一同存入Flash 中。當(dāng)讀取存儲變量內(nèi)容時,需根據(jù)該變量的虛擬地址搜索虛擬EEPROM并返回最后更新的內(nèi)容。

          ? 在軟件處理上,需要記錄下一次寫入的物理目的地址;在每一次執(zhí)行寫入操作后,根據(jù)EEPROM存儲單元大小(操作粒度),將目的操作指針自動累加。

          ? 當(dāng)一個頁(Page)寫滿后,需要將所有變量的EEPROM數(shù)據(jù)拷貝到下一個頁,再執(zhí)行該頁的擦除操作。

          ? 在嵌入式軟件處理上需加入合適的校驗機(jī)制,保證寫入數(shù)據(jù)的正確性并監(jiān)Flash 是否已經(jīng)失效。

          pos機(jī)相關(guān)文章:pos機(jī)原理



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