大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計與實現(xiàn)

2.3 K9F2808U0C與LPC2210的連接

　　K9F2808U0C與LPC2210的連接如圖3所示，使用8位數(shù)據(jù)總線D0～D7與K9F2808U0C的I/O0～I/O7引腳相連，使用數(shù)據(jù)總線來發(fā)送地址、數(shù)據(jù)和命令。K9F2808U0C的片選信號由CS3控制，即使用LPC2210的外部存儲器接口的Bank3地址空間，而CLE，ALE信號
分別由A0，A1控制，所以K9F2808U0C的操作地址如下：

3 讀寫操作流程

K9F2808U0C的頁編程操作流程圖。

　　首先向I/O寫人編程指令80H，然后使用3個時鐘周期寫入目的地址(A0～A23)，接著向I/O寫入數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)發(fā)送完成后，寫入指令10H啟動頁編程，此時芯片內(nèi)部的邏輯電路將進行頁擦除和數(shù)據(jù)編程操作。微控制器可以讀狀態(tài)指令70H來讀取狀態(tài)寄存器的值，若D6位為1，則表明寫操作完成。

寫操作完成后，通過讀取狀態(tài)寄存器的D0位判斷編程是否成功，若D0位為0，則表示編程成功；否則表示編程失敗。

　　K9F2808U0C的塊擦除和讀數(shù)據(jù)操作如圖5所示：對于K9F2808U0C的擦除是以塊為單位，擦除時首先寫入塊擦除命令60H，然后輸入要擦除塊的地址，再寫入指令DoH啟動塊擦除。微控制器可以讀取狀態(tài)指令70H來讀取狀態(tài)寄存器的值，若D6位為1，則表明擦除完成。寫操作完成后，通過讀取狀態(tài)寄存器的D0位來判斷擦除是否成功。

　　對于K9F2808U0C的讀數(shù)據(jù)操作是以頁為單位，讀數(shù)據(jù)時首先寫入讀數(shù)據(jù)命令00H，然后輸入要讀取頁的地址，接著從數(shù)據(jù)寄存器中讀取數(shù)據(jù)，最后進行ECC校驗。

4 在μC/OS實時操作系統(tǒng)下的實現(xiàn)和性能驗證
　　μC/OS是一個多任務(wù)的實時操作系統(tǒng)，專為嵌入式應(yīng)用而設(shè)計，可用于各類8位、16位和32位單片機或DSP，已有10余年應(yīng)用史，其安全性和實時性得到了廣泛的認同，在嵌入式領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。該操作系統(tǒng)公開了他的實時性內(nèi)核源碼，同時提供了較多的應(yīng)用接口函數(shù)。通過在其實時內(nèi)核的基礎(chǔ)上做少量的修改，便可將對NAND FLASH的操作移植到μC/OS中，利用OSTa-skCreateExt()函數(shù)創(chuàng)建任務(wù)并檢查堆棧空間，利用PC-ElapsedInit()初始化時間測量功能。共建立5個任務(wù)，分別為空閑任務(wù)、統(tǒng)計任務(wù)、頁編程任務(wù)、塊擦除任務(wù)和讀數(shù)據(jù)任務(wù)，程序代碼示意如下：

5 結(jié) 語

　　以Samsung NAND FLASH器件K9F2808U0C為例，通過PHILIPS LPC2210實現(xiàn)對存儲器的器件操作，以μC/OS實時操作系統(tǒng)為平臺完成測試實驗，將得到的實驗結(jié)果與Satnsung公司的K9F2808UOC FLASH Memory手冊進行對比，表明該設(shè)計滿足設(shè)計要求，達到預(yù)期目標(biāo)。