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          飛凌嵌入式OK335xS開發(fā)平臺(tái)評(píng)測(cè)

          作者: 時(shí)間:2014-02-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            飛凌FET335xS(TI AM335X系列)采用了2片256M DDR3內(nèi)存,即能滿足Android系統(tǒng)的運(yùn)行要求,又能有效降低成本  

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/221494.htm


          圖四:Nand-Flash

            飛凌FET335xS(TI AM335X系列)采用了鎂光256M SLC Nand-flash作為存儲(chǔ)介質(zhì),相對(duì)于工業(yè)產(chǎn)品開發(fā)來說足夠使用了,另外SLC的NandFlash可達(dá)到10萬次的擦寫使用壽命更長更加穩(wěn)定  


          圖五:屏蔽罩焊接點(diǎn)

            飛凌FET335xS(TI AM335X系列)在四個(gè)角預(yù)留了屏蔽罩的焊點(diǎn),并在四邊絲印出了屏蔽罩定位點(diǎn),用戶可以根據(jù)自己需要和產(chǎn)品使用環(huán)境添加屏蔽罩以增強(qiáng)核心板的抗干擾性?! ?/p>


          圖六:jtag調(diào)試點(diǎn)

            TI AM335X(TI AM335X系列)系列處理器本身支持裸機(jī)程序和裸機(jī)調(diào)試,因此飛凌FET335xS核心板上預(yù)留出了JTAG連接點(diǎn),用戶可以自己進(jìn)行裸機(jī)調(diào)試  


          圖七:定位孔

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