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          一款低成本、高可靠性的逆變器電源電路設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2014-02-09 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          如何把最廉價(jià)的元件整合到一起,同時(shí)保證其可靠性是的關(guān)鍵。本文介紹的一款單進(jìn)三出的設(shè)計(jì),是工程師經(jīng)過近百次修改后得到的最終方案,硬件成本在60元以內(nèi)時(shí),可驅(qū)動(dòng)1kW以下的三相籠式異步電機(jī),稍加修改后可用于直流無刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。文中還介紹了設(shè)計(jì)關(guān)鍵器件的選擇,幫助工程師用最廉價(jià)的元件實(shí)現(xiàn)高可靠性。
          本文總結(jié)了經(jīng)過近百多次的修改后得到的較為成熟的電路的設(shè)計(jì)要點(diǎn),包括微處理器,功率器件,半橋驅(qū)動(dòng),過流保護(hù),控制方法,試驗(yàn)結(jié)果等方面的內(nèi)容。用該電路實(shí)現(xiàn)的變頻調(diào)速可以因低成本而大大擴(kuò)展其應(yīng)用范圍,稍加修改后可用于直流無刷電機(jī)的驅(qū)動(dòng)。

          變頻器電路的設(shè)計(jì)大同小異,一般都采用交-直-交方式,由整流、中間直流環(huán)節(jié)、逆變和控制4個(gè)部分組成,先把工頻交流通過整流器轉(zhuǎn)換成直流,然后再把直流轉(zhuǎn)換成頻率、電壓均可控制的交流電源以供給電動(dòng)機(jī)。變頻器普遍采用智能化功率模塊(IPM),很多電子公司都有其參考設(shè)計(jì),只要采用其軟硬件就沒有多少設(shè)計(jì)風(fēng)險(xiǎn),但要付出成本代價(jià),這就限制了變頻器在諸如工業(yè)縫紉機(jī)、臺(tái)式鉆床等需要調(diào)速但成本敏感場(chǎng)合的應(yīng)用。在小功率的場(chǎng)合,用6片分立的場(chǎng)效應(yīng)管或IGBT就是不錯(cuò)的選擇,這樣能大大降低成本,但其可靠性問題就顯得非常突出,炸管是設(shè)計(jì)者的最頭痛的問題。如何把不同公司最廉價(jià)的元件整合到一起,又能保證其可靠性,是的關(guān)鍵。



          1、半橋驅(qū)動(dòng)方案的選擇

          半橋驅(qū)動(dòng)電路有隔離和非隔離兩種,非隔離的方案線路簡單,但主電路的高電壓容易竄入控制電路造成事故,用IR2105雙極性SPWN調(diào)制的方法,驅(qū)動(dòng)370W以下的電機(jī)還是很可靠的。隔離方案則增加成本,隔離驅(qū)動(dòng)的又有變壓器驅(qū)動(dòng)和光耦驅(qū)動(dòng),變壓器開關(guān)速度快,但變頻器輸出的占空比在0%到100%之間變化時(shí),要用調(diào)制的方法,小功率的場(chǎng)合沒必要。光耦驅(qū)動(dòng)雖然開關(guān)速度慢點(diǎn),但開關(guān)時(shí)間在0.5μS左右,IGBT允許的開關(guān)速度一般在40kHz以下,實(shí)際應(yīng)用中還不一定要這么高,因此選用光耦隔離驅(qū)動(dòng)上管,用在1kW以下的電機(jī)是性價(jià)比佳的方案。

          2、驅(qū)動(dòng)芯片的使用

          IR210x是IR公司眾多的驅(qū)動(dòng)IC家族中的一族,可以工作在母線電壓高達(dá)600V的電路中,價(jià)格才2元。驅(qū)動(dòng)信號(hào)兼容TTL和MOS電平,采用一片IR210x可完成兩個(gè)功率元件的驅(qū)動(dòng)任務(wù),其內(nèi)部采用自舉技術(shù),使得功率元件的驅(qū)動(dòng)電路僅需一個(gè)輸入級(jí)直流電源,可實(shí)現(xiàn)對(duì)功率MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng),還具有一定的保護(hù)功能。電路如圖1所示。 "一款低成本、高可靠性的電源電路設(shè)計(jì)" width="454" height="184" src="uploads/article/201311/20131126104858_4230.jpg" />
          圖2:寄生二極管因浮地下沖而意外接入電路示意圖
          IR公司給出了一個(gè)補(bǔ)救的方案:在COM和地之間加一個(gè)電阻R,阻值可在10歐姆以上,這樣可以減小寄生二極管意外導(dǎo)通的電流,起一定的保護(hù)作用。同時(shí)為保證上下管開關(guān)速度一致,還得減小門電阻R2的阻值,使得R1=R2+R。但這個(gè)保護(hù)措施作用是有限的,實(shí)在不行就得加大R1,R2的阻值。付出的代價(jià)是降低功率管的開關(guān)速度,發(fā)熱量大增,得給TO—247AC封裝的功率管配上散熱片。

          3、用光耦增強(qiáng)電路的可靠性

          用東芝公司的TLP251或者AVAGO的HCPL~3210驅(qū)動(dòng)上管,可有效解決浮地下沖的問題。利用控制電路+15V的電源,加上一個(gè)高耐壓快恢復(fù)二極管和一個(gè)較大容量的電容組成一個(gè)充電泵電路,電容負(fù)極和上管的源極或發(fā)射極相連形成浮地,在下管打開時(shí)給電容充電,就能開關(guān)上管了。注意用于直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí),控制信號(hào)占空比不能到100%,否則堵轉(zhuǎn)時(shí)可能因電荷耗盡而不能打開上管,交流電機(jī)則無此問題。

          保護(hù)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)

          1、過流保護(hù)電路

          炸管大多是流經(jīng)MOSFET/IGBT的沖擊電流過大所致,一個(gè)限流保護(hù)電路是不可少的。用一片諸如LM311等的電壓比較器,配合采樣電阻在電流過大時(shí)輸出信號(hào)到驅(qū)動(dòng)電路即可,這里要注意運(yùn)放的反應(yīng)速率(ResponseTime),因?yàn)镮GBT能承受的短路時(shí)間

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