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          淺談借助靜電測(cè)試提高LED品質(zhì)

          作者: 時(shí)間:2013-10-04 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          -stroke-width: 0px">  1、測(cè)試探針組件設(shè)計(jì)部份

            測(cè)試探針組件用于傳送電壓與電流,探針外絕緣保護(hù)可防止漏電流產(chǎn)生,進(jìn)而提高靜電量測(cè)準(zhǔn)確度。

            絕緣設(shè)計(jì)上分為分為內(nèi)絕緣和外絕緣兩大類(lèi)。內(nèi)絕緣為模組內(nèi)部的絕緣。包括固體介質(zhì)的絕緣以及由不同介質(zhì)構(gòu)成的組合絕緣。雖然外部大氣條件對(duì)內(nèi)絕緣基本沒(méi)有影響,但材料的老化、高溫、連續(xù)加熱以及受潮等因素對(duì)內(nèi)絕緣的絕緣強(qiáng)度卻有不利的影響,同時(shí)內(nèi)絕緣若發(fā)生擊穿,它的絕緣強(qiáng)度也不能自行恢復(fù)。外絕緣則指在直接與大氣相接觸的條件下工作,所形成的各種不同形式的絕緣,包括空氣間隙和模組固體絕緣的外露表面。外絕緣的突出特點(diǎn)是在放電停止后,其絕緣強(qiáng)度通常能迅速地完全恢復(fù),并與重復(fù)放電的次數(shù)無(wú)關(guān)。而外絕緣的絕緣強(qiáng)度和外部大氣條件密切相關(guān),會(huì)受大氣溫度、壓力、濕度等多種因素的影響;以大氣為例,一般大氣中的絕緣強(qiáng)度約30kV/cm,有水滴存在時(shí)約為10kV/cm,溫度由室溫上升至攝氏100度時(shí),絕緣強(qiáng)度降為80%,因此設(shè)計(jì)上將由溫濕度造成估算材料絕緣強(qiáng)度變化范圍,并以此設(shè)計(jì)耐壓所需保留之安全間距。

            探棒絕緣檢測(cè)可以絕緣強(qiáng)度試驗(yàn)來(lái)確定。試驗(yàn)包括耐壓試驗(yàn)和擊穿試驗(yàn)兩種。耐壓試驗(yàn)是對(duì)試件施加一定電壓,經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后,以是否發(fā)生擊穿作為判斷試驗(yàn)合格與否的標(biāo)準(zhǔn)。擊穿試驗(yàn)是在一定條件下逐漸增高施加于試件上的電壓,直到試件發(fā)生擊穿為止。

            2、高速多電壓切換高壓產(chǎn)生組件與充放電組件

            此組件部份設(shè)計(jì)包括控制回路穩(wěn)定性設(shè)計(jì)與干擾防制,控制回路穩(wěn)定性工作包括元件模型建立、穩(wěn)定性條件分析、回路穩(wěn)定性測(cè)試等。干擾防制方法為降低寄生電容,電路板寄生電容值大小值與電路板布線線路幾何位置、線路寬度、電路板絕源材質(zhì)有關(guān),為降低線路寄生電容于設(shè)計(jì)時(shí)首先將易受干擾點(diǎn)標(biāo)示,走線時(shí)以此標(biāo)示點(diǎn)位置為優(yōu)先布線考量,不易受干擾線路最后布線。

            3、軟件組件部份

            控制探針下針位置,觸發(fā)高壓產(chǎn)生器的充放電模組,控制輸入的電壓充電完成后對(duì)待測(cè)放電并量測(cè)結(jié)果顯示。

            晶圓靜電量測(cè)模組系統(tǒng)組裝與測(cè)試結(jié)果

            完成高壓產(chǎn)生器交流電壓調(diào)變電路設(shè)計(jì)制作如圖4,使用高壓探棒實(shí)際量測(cè)交流電壓振幅峰對(duì)峰6.26kV-最大交流振幅:3.13kV,測(cè)試驗(yàn)證結(jié)果直流電壓值最大值8.08kV,于8kV電壓經(jīng)由短路輸出端短路電流測(cè)試于放電電阻:1500Ω+/-1%條件下,峰值電流達(dá)5.46A(理論值:8000/1500=5.33)。完成靜電點(diǎn)測(cè)模組規(guī)格驗(yàn)證于靜電電壓4Kv并于以下測(cè)試條件:

           ?。?)常溫、常濕、大氣環(huán)境下

            (2)測(cè)試探棒:頻寬大于1GHz電流探棒

           ?。?)充電電容:100pF+/-10%(effective capacitance)

            (4)放電電阻:1500Ω+/-1%

            重復(fù)量測(cè)HBM短路峰值電流5次結(jié)果如下:

            峰值電流量測(cè)理論值2.66A于一小時(shí)后峰值電流2.70A,偏移量1.5%,滿(mǎn)足測(cè)試規(guī)范峰值電流2.40~2.96A@4kV與HBM負(fù)載短路上升時(shí)間2.0~10ns@4kV。

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