高功率LED的封裝基板發(fā)展趨勢(shì)

　　高功率加速陶汰樹脂材料

　　LED封裝用陶瓷材料分成氧化鋁與氮化鋁，氧化鋁的熱傳導(dǎo)率是環(huán)氧樹脂的55倍，氮化鋁則是環(huán)氧樹脂的400倍，因此目前高功率LED封裝用基板大多使用熱傳導(dǎo)率為200W/mK的鋁，或是熱傳導(dǎo)率為400W/mK的銅質(zhì)金屬封裝基板。

　　半導(dǎo)體IC芯片的接合劑分別使用環(huán)氧系接合劑、玻璃、焊錫、金共晶合金等材料。LED芯片用接合劑除了上述高熱傳導(dǎo)性之外，基于接合時(shí)降低熱應(yīng)力等觀點(diǎn)，還要求低溫接合與低楊氏系數(shù)等等，而符合這些條件的接合劑分別是環(huán)氧系接合劑充填銀的環(huán)氧樹脂，與金共晶合金系的Au-20%Sn。

接合劑的包覆面積與LED芯片的面積幾乎相同，因此無(wú)法期待水平方向的熱擴(kuò)散，只能寄望于垂直方向的高熱傳導(dǎo)性。根據(jù)模擬分析結(jié)果顯示LED接合部的溫差，熱傳導(dǎo)性非常優(yōu)秀的Au-Sn比低散熱性銀充填環(huán)氧樹脂接合劑更優(yōu)秀。

　　LED封裝基板的散熱設(shè)計(jì)，大致分成LED芯片至框體的熱傳導(dǎo)、框體至外部的熱傳達(dá)兩大方面。

　　熱傳導(dǎo)的改善幾乎完全仰賴材料的進(jìn)化，一般認(rèn)為隨著LED芯片大型化、大電流化、高功率化的發(fā)展，未來(lái)會(huì)加速金屬與陶瓷封裝取代傳統(tǒng)樹脂封裝方式，此外LED芯片接合部是妨害散熱的原因之一，因此薄接合技術(shù)成為今后改善的課題。

　　提高LED高熱排放至外部的熱傳達(dá)特性，以往大多使用冷卻風(fēng)扇與熱交換器，由于噪音與設(shè)置空間等諸多限制，實(shí)際上包含消費(fèi)者、照明燈具廠商在內(nèi)，都不希望使用上述強(qiáng)制性散熱元件，這意味著非強(qiáng)制散熱設(shè)計(jì)必須大幅增加框體與外部接觸的面積，同時(shí)提高封裝基板與框體的散熱性。

　　具體對(duì)策如：高熱傳導(dǎo)銅層表面涂布利用遠(yuǎn)紅外線促進(jìn)熱放射的撓曲散熱薄膜等，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)使用該撓曲散熱薄膜的發(fā)熱體散熱效果，幾乎與面積接近散熱薄膜的冷卻風(fēng)扇相同，如果將撓曲散熱薄膜黏貼在封裝基板、框體，或是將涂抹層直接涂布在封裝基板、框體，理論上還可以提高散熱性。

　　有關(guān)高功率LED的封裝結(jié)構(gòu)，要求能夠支持LED芯片磊晶接合的微細(xì)布線技術(shù);有關(guān)材質(zhì)的發(fā)展，雖然氮化鋁已經(jīng)高熱傳導(dǎo)化，但高熱傳導(dǎo)與反射率的互動(dòng)關(guān)系卻成為另1個(gè)棘手問題，一般認(rèn)為未來(lái)若能提高氮化鋁的熱傳導(dǎo)率，對(duì)高功率LED的封裝材料具有正面助益。