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          大功率LED導(dǎo)熱導(dǎo)電銀膠及其封裝技術(shù)和趨勢

          作者: 時間:2011-07-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            封裝由于結(jié)構(gòu)和工藝復(fù)雜,并直接影響到LED的使用性能和壽命,一直是近年來的研究熱點,特別是大功率白光LED封裝更是研究熱點中的熱點。的功能主要包括:1、機(jī)械保護(hù),以提高可靠性;2、加強散熱,以降低芯片結(jié)溫,提高LED性能;3、光學(xué)控制,提高出光效率,優(yōu)化光束分布;4、供電管理,包括交流/直流轉(zhuǎn)變,以及電源控制等。

            方法、材料、結(jié)構(gòu)和工藝的選擇主要由芯片結(jié)構(gòu)、光電/機(jī)械特性、具體應(yīng)用和成本等因素決定。經(jīng)過40多年的發(fā)展,先后經(jīng)歷了支架式(Lamp LED)、貼片式(SMD LED)、功率型LED(Power LED)等發(fā)展階段。隨著芯片功率的增大,特別是固態(tài)照明技術(shù)發(fā)展的需求,對LED封裝的光學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)和機(jī)械結(jié)構(gòu)等提出了新的、更高的要求。為了有效地降低封裝熱阻,提高出光效率,必須采用全新的技術(shù)思路來進(jìn)行封裝設(shè)計。

            一、

            Uninwell International BQ-6886系列導(dǎo)電銀膠是IED生產(chǎn)封裝中不可或缺的一種膠水,其對導(dǎo)電銀膠的要求是導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能要好,剪切強度要大,并且粘結(jié)力要強。

            Uninwell International作為世界高端電子膠粘劑的領(lǐng)導(dǎo)品牌,Uninwell International導(dǎo)電銀膠、導(dǎo)電銀漿、貼片紅膠、底部填充膠、TUFFY膠、LCM密封膠、UV膠、異方性導(dǎo)電膠ACP、太陽能電池導(dǎo)電漿料等系列電子膠粘劑具有最高的產(chǎn)品性價比。Uninwell International導(dǎo)電銀膠具有導(dǎo)電性好、剪切力強、流變性也很好、并且吸潮性低。特別適合大功率高亮度LED的封裝。

            二、封裝關(guān)鍵技術(shù)

            大功率LED封裝主要涉及光、熱、電、結(jié)構(gòu)與工藝等方面,這些因素彼此既相互獨立,又相互影響。其中,光是LED封裝的目的,熱是關(guān)鍵,電、結(jié)構(gòu)與工藝是手段,而性能是封裝水平的具體體現(xiàn)。從工藝兼容性及降低生產(chǎn)成本而言,LED封裝設(shè)計應(yīng)與芯片設(shè)計同時進(jìn)行,即芯片設(shè)計時就應(yīng)該考慮到封裝結(jié)構(gòu)和工藝。否則,等芯片制造完成后,可能由于封裝的需要對芯片結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整,從而延長了產(chǎn)品研發(fā)周期和工藝成本,有時甚至不可能。

            具體而言,大功率LED封裝的關(guān)鍵技術(shù)包括:

            (一)低熱阻封裝工藝

            對于現(xiàn)有的LED光效水平而言,由于輸入電能的80%左右轉(zhuǎn)變成為熱量,且LED芯片面積小,因此,芯片散熱是LED封裝必須解決的關(guān)鍵問題。主要包括芯片布置、封裝材料選擇(基板材料、熱界面材料)與工藝、熱沉設(shè)計等。

            LED封裝熱阻主要包括材料(散熱基板和熱沉結(jié)構(gòu))內(nèi)部熱阻和界面熱阻。散熱基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量,并傳導(dǎo)到熱沉上,實現(xiàn)與外界的熱交換。常用的散熱基板材料包括硅、金屬(如鋁,銅)、陶瓷(如Al2O3,AlN,SiC)和復(fù)合材料等。如Nichia公司的第三代LED采用CuW做襯底,將1mm芯片倒裝在CuW襯底上,降低了封裝熱阻,提高了發(fā)光功率和效率;Lamina Ceramics公司則研制了低溫共燒陶瓷金屬基板,并開發(fā)了相應(yīng)的LED封裝技術(shù)。該技術(shù)首先制備出適于共晶焊的大功率LED芯片和相應(yīng)的陶瓷基板,然后將LED芯片與基板直接焊接在一起。由于該基板上集成了共晶焊層、靜電保護(hù)電路、驅(qū)動電路及控制補償電路,不僅結(jié)構(gòu)簡單,而且由于材料熱導(dǎo)率高,熱界面少,大大提高了散熱性能,為大功率LED陣列封裝提出了解決方案。

            在LED使用過程中,輻射復(fù)合產(chǎn)生的光子在向外發(fā)射時產(chǎn)生的損失,主要包括三個方面:芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷以及材料的吸收;光子在出射界面由于折射率差引起的反射損失;以及由于入射角大于全反射臨界角而引起的全反射損失。因此,很多光線無法從芯片中出射到外部。通過在芯片表面涂覆一層折射率相對較高的透明膠層(灌封膠),由于該膠層處于芯片和空氣之間,從而有效減少了光子在界面的損失,提高了取光效率。此外,灌封膠的作用還包括對芯片進(jìn)行機(jī)械保護(hù),應(yīng)力釋放,并作為一種光導(dǎo)結(jié)構(gòu)。因此,要求其透光率高,折射率高,熱穩(wěn)定性好,流動性好,易于噴涂。為提高LED封裝的可靠性,還要求灌封膠具有低吸濕性、低應(yīng)力、耐老化等特性。目前常用的灌封膠包括環(huán)氧樹脂和硅膠。硅膠由于具有透光率高,折射率大,熱穩(wěn)定性好,應(yīng)力小,吸濕性低等特點,明顯優(yōu)于環(huán)氧樹脂,在大功率LED封裝中得到廣泛應(yīng)用,但成本較高。研究表明,提高硅膠折射率可有效減少折射率物理屏障帶來的光子損失,提高外量子效率,但硅膠性能受環(huán)境溫度影響較大。隨著溫度升高,硅膠內(nèi)部的熱應(yīng)力加大,導(dǎo)致硅膠的折射率降低,從而影響LED光效和光強分布。

            熒光粉的作用在于光色復(fù)合,形成白光。其特性主要包括粒度、形狀、發(fā)光效率、轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性(熱和化學(xué))等,其中,發(fā)光效率和轉(zhuǎn)換效率是關(guān)鍵。研究表明,隨著溫度上升,熒光粉量子效率降低,出光減少,輻射波長也會發(fā)生變化,從而引起白光LED色溫、色度的變化,較高的溫度還會加速熒光粉的老化。原因在于熒光粉涂層是由環(huán)氧或硅膠與熒光粉調(diào)配而成,散熱性能較差,當(dāng)受到紫光或紫外光的輻射時,易發(fā)生溫度猝滅和老化,使發(fā)光效率降低。此外,高溫下灌封膠和熒光粉的熱穩(wěn)定性也存在問題。由于常用熒光粉尺寸在1um以上,折射率大于或等于1.85,而硅膠折射率一般在1.5左右。由于兩者間折射率的不匹配,以及熒光粉顆粒尺寸遠(yuǎn)大于光散射極限(30nm),因而在熒光粉顆粒表面存在光散射,降低了出光效率。通過在硅膠中摻入納米熒光粉,可使折射率提高到1.8以上,降低光散射,提高LED出光效率(10%-20%),并能有效改善光色質(zhì)量。

            傳統(tǒng)的熒光粉涂敷方式是將熒光粉與灌封膠混合,然后點涂在芯片上。由于無法對熒光粉的涂敷厚度和形狀進(jìn)行精確控制,導(dǎo)致出射光色彩不一致,出現(xiàn)偏藍(lán)光或者偏黃光。而Lumileds公司開發(fā)的保形涂層技術(shù)可實現(xiàn)熒光粉的均勻涂覆,保障了光色的均勻性。但研究表明,當(dāng)熒光粉直接涂覆在芯片表面時,由于光散射的存在,出光效率較低。

            1、引腳式(Lamp)LED封裝

            引腳式封裝就是常用的?3-5mm封裝結(jié)構(gòu)。一般用于電流較小(20-30mA),功率較低(小于0.1W)的LED封裝。主要用于儀表顯示或指示,大規(guī)模集成時也可作為顯示屏。其缺點在于封裝熱阻較大(一般高于100K/W),壽命較短。

            2、表面組裝(貼片)式(SMT-LED)封裝

            表面組裝技術(shù)(SMT)是一種可以直接將封裝好的器件貼、焊到PCB表面指定位置上的一種封裝技術(shù)。具體而言,就是用特定的工具或設(shè)備將芯片引腳對準(zhǔn)預(yù)先涂覆了粘接劑和焊膏的焊盤圖形上,然后直接貼裝到未鉆安裝孔的PCB 表面上,經(jīng)過波峰焊或再流焊后,使器件和電路之間建立可靠的機(jī)械和電氣連接。SMT技術(shù)具有可靠性高、高頻特性好、易于實現(xiàn)自動化等優(yōu)點,是電子行業(yè)最流行的一種封裝技術(shù)和工藝。

            3、板上芯片直裝式(COB)LED封裝

            COB是Chip On Board(板上芯片直裝)的英文縮寫,是一種通過Uninwell International -6886系列粘膠劑或焊料將LED芯片直接粘貼到PCB板上,再通過引線鍵合實現(xiàn)芯片與PCB板間電互連的封裝技術(shù)。PCB板可以是低成本的FR-4材料(玻璃纖維增強的環(huán)氧樹脂),也可以是高熱導(dǎo)的金屬基或陶瓷基復(fù)合材料(如鋁基板或覆銅陶瓷基板等)。而引線鍵合可采用高溫下的熱超聲鍵合(金絲球焊)和常溫下的超聲波鍵合(鋁劈刀焊接)。COB技術(shù)主要用于大功率多芯片陣列的LED封裝,同SMT相比,不僅大大提高了封裝功率密度,而且降低了封裝熱阻(一般為6-12W/m.K)。

            4、系統(tǒng)封裝式(SiP)LED封裝

            SiP(System in Package)是近幾年來為適應(yīng)整機(jī)的便攜式發(fā)展和系統(tǒng)小型化的要求,在系統(tǒng)芯片System on Chip基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型封裝集成方式。對SiP-LED而言,不僅可以在一個封裝內(nèi)組裝多個發(fā)光芯片,還可以將各種不同類型的器件(如電源、控制電路、光學(xué)微結(jié)構(gòu)、傳感器等)集成在一起,構(gòu)建成一個更為復(fù)雜的、完整的系統(tǒng)。同其他封裝結(jié)構(gòu)相比,SiP具有工藝兼容性好(可利用已有的電子封裝材料和工藝),集成度高,成本低,可提供更多新功能,易于分塊測試,開發(fā)周期短等優(yōu)點。按照技術(shù)類型不同,SiP可分為四種:芯片層疊型,模組型,MCM型和三維(3D)封裝型。

            目前,高亮度LED器件要代替白熾燈以及高壓汞燈,必須提高總的光通量,或者說可以利用的光通量。而光通量的增加可以通過提高集成度、加大電流密度、使用大尺寸芯片等措施來實現(xiàn)。而這些都會增加LED的功率密度,如散熱不良,將導(dǎo)致LED芯片的結(jié)溫升高,從而直接影響LED器件的性能(如發(fā)光效率降低、出射光發(fā)生紅移,壽命降低等)。多芯片陣列封裝是目前獲得高光通量的一個最可行的方案,但是LED陣列封裝的密度受限于價格、可用的空間、電氣連接,特別是散熱等問題。由于發(fā)光芯片的高密度集成,散熱基板上的溫度很高,必須采用有效的熱沉結(jié)構(gòu)和合適的封裝工藝。常用的熱沉結(jié)構(gòu)分為被動和主動散熱。被動散熱一般選用具有高肋化系數(shù)的翅片,通過翅片和空氣間的自然對流將熱量耗散到環(huán)境中。該方案結(jié)構(gòu)簡單,可靠性高,但由于自然對流換熱系數(shù)較低,只適合于功率密度較低,集成度不高的情況。對于大功率LED封裝,必須采用主動散熱,如翅片+風(fēng)扇、熱管、液體強迫對流、微通道致冷、相變致冷等。

            在系統(tǒng)集成方面,臺灣新強光電公司采用系統(tǒng)封裝技術(shù)(SiP),并通過翅片+熱管的方式搭配高效能散熱模塊,研制出了72W、80W的高亮度白光LED光源。由于封裝熱阻較低(4.38℃/W),當(dāng)環(huán)境溫度為25℃時,LED結(jié)溫控制在60℃以下,從而確保了LED的使用壽命和良好的發(fā)光性能。而華中科技大學(xué)則采用COB封裝和微噴主動散熱技術(shù),封裝出了220W和1500W的超大功率LED白光光源。

            (二)封裝大生產(chǎn)技術(shù)

            晶片鍵合技術(shù)是指芯片結(jié)構(gòu)和電路的制作、封裝都在晶片上進(jìn)行,封裝完成后再進(jìn)行切割,形成單個的芯片;與之相對應(yīng)的芯片鍵合是指芯片結(jié)構(gòu)和電路在晶片上完成后,即進(jìn)行切割形成芯片,然后對單個芯片進(jìn)行封裝(類似現(xiàn)在的LED封裝工藝)。很明顯,晶片鍵合封裝的效率和質(zhì)量更高。由于封裝費用在LED器件制造成本中占了很大比例,因此,改變現(xiàn)有的LED封裝形式(從芯片鍵合到晶片鍵合),將大大降低封裝制造成本。此外,晶片鍵合封裝還可以提高LED器件生產(chǎn)的潔凈度,防止鍵合前的劃片、分片工藝對器件結(jié)構(gòu)的破壞,提高封裝成品率和可靠性,因而是一種降低封裝成本的有效手段。

            此外,對于大功率LED封裝,必須在芯片設(shè)計和封裝設(shè)計過程中,盡可能采用工藝較少的封裝形式(Package-less Packaging),同時簡化封裝結(jié)構(gòu),盡可能減少熱學(xué)和光學(xué)界面數(shù),以降低封裝熱阻,提高出光效率。

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