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          高亮度LED封裝散熱設計全攻略

          作者: 時間:2011-07-17 來源:網絡 收藏

            前言:

            過去LED只能拿來做為狀態(tài)指示燈的時代,其封裝散熱從來就不是問題,但近年來LED的亮度、功率皆積極提升,并開始用于背光與電子照明等應用后,LED的封裝散熱問題已悄然浮現(xiàn)。

            上述的講法聽來有些讓人疑惑,今日不是一直強調LED的亮度突破嗎?2003年Lumileds Lighting公司Roland Haitz先生依據(jù)過去的觀察所理出的一個經驗性技術推論定律,從1965年第一個商業(yè)化的LED開始算,在這30多年的發(fā)展中,LED約每18個月;24個月可提升一倍的亮度,而在往后的10年內,預計亮度可以再提升20倍,而成本將降至現(xiàn)有的1/10,此也是近年來開始盛行的Haitz定律,且被認為是LED界的Moore(摩爾)定律。

          高亮度LED封裝散熱設計全攻略

            依據(jù)Haitz定律的推論,亮度達100lm/W(每瓦發(fā)出100流明)的LED約在2008年;2010年間出現(xiàn),不過實際的發(fā)展似乎已比定律更超前,2006年6月日亞化學工業(yè)(Nichia)已經開始提供可達100lm/W白光LED的工程樣品,預計年底可正式投入量產。

          高亮度LED封裝散熱設計全攻略  

            Haitz定律可說是LED領域界的Moore定律,根據(jù)Roland Haitz的表示,過去30多年來LED幾乎每18;24個月就能提升一倍的發(fā)光效率,也因此推估未來的10年(2003年;2013年)將會再成長20倍的亮度,但價格將只有現(xiàn)在的1/10。

            不僅亮度不斷提升,LED的散熱技術也一直在提升,1992年一顆LED的熱阻抗(Thermal Resistance)為360℃/W,之后降至125℃/W、75℃/W、15℃/W,而今已是到了每顆6℃/W~10℃/W的地步,更簡單說,以往LED每消耗1瓦的電能,溫度就會增加360℃,現(xiàn)在則是相同消耗1瓦電能,溫度卻只上升6℃~10℃。

            少顆數(shù)高亮度、多顆且密集排布是增熱元兇

            既然亮度效率提升、散熱效率提升,那不是更加矛盾?應當更加沒有散熱問題不是?其實,應當更嚴格地說,散熱問題的加劇,不在高亮度,而是在高功率;不在傳統(tǒng)封裝,而在新封裝、新應用上。

            首先,過往只用來當指示燈的LED,每單一顆的點亮(順向導通)電流多在5mA;30mA間,典型而言則為20mA,而現(xiàn)在的高功率型LED(注1),則是每單一顆就會有330mA;1A的電流送入,「每顆用電」增加了十倍、甚至數(shù)十倍(注2)。

            注1:現(xiàn)有高功率型LED的作法,除了將單一發(fā)光裸晶的面積增大外,也有實行將多顆裸晶一同封裝的作法。事實上有的白光LED即是在同一封裝內放入紅、綠、藍3個原色的裸晶來混出白光。

          高亮度LED封裝散熱設計全攻略

            注2:雖然各種LED的點亮(順向導通)電壓有異,但在此暫且忽略此一差異。

            在相同的單顆封裝內送入倍增的電流,發(fā)熱自然也會倍增,如此散熱情況當然會惡化,但很不幸的,由于要將白光LED拿來做照相手機的閃光燈、要拿來做小型照明用燈泡、要拿來做投影機內的照明燈泡,如此只是高亮度是不夠的,還要用上高功率,這時散熱就成了問題。

            上述的LED應用方式,僅是使用少數(shù)幾顆高功率LED,閃光燈約1~4顆,照明燈泡約1~8顆,投影機內10多顆,不過閃光燈使用機會少,點亮時間不長,單顆的照明燈泡則有較寬裕的周遭散熱空間,而投影機內雖無寬裕散熱空間但卻可裝置散熱風扇。

           高亮度LED封裝散熱設計全攻略 

            圖中為InGaN與AlInGaP兩種LED用的半導體材料,在各尖峰波長(光色)下的外部量子化效率圖,雖然最理想下可逼近40%,但若再將光取效率列入考慮,實際上都在15%;25%間,何況兩種材料在更高效率的部分都不在人眼感受性的范疇內,范疇之下的僅有20%。

            可是,現(xiàn)在還有許多應用是需要高亮度,但又需要將密集排列使用的,例如交通號志燈、訊息廣告牌的走馬燈、用LED組湊成的電視墻等,密集排列的結果便是不易散熱,這是應用所造成的散熱問題。

            更有甚者,在液晶電視的背光上,既是使用,也要密集排列,且為了講究短小輕薄,使背部可用的空間更加拘限,且若高標要求來看也不應使用散熱風扇,因為風扇的吵雜聲會影響電視觀賞的品味情緒。

            散熱問題不解決有哪些副作用?

            好!倘若不解決散熱問題,而讓LED的熱無法排解,進而使LED的工作溫度上升,如此會有什么影響嗎?關于此最主要的影響有二:(1)發(fā)光亮度減弱、(2)使用壽命衰減。

            舉例而言,當LED的p-n接面溫度(Junction Temperature)為25℃(典型工作溫度)時亮度為100,而溫度升高至75℃時亮度就減至80,到125℃剩60,到175℃時只剩40。很明顯的,接面溫度與發(fā)光亮度是呈反比線性的關系,溫度愈升高,LED亮度就愈轉暗。

          高亮度LED封裝散熱設計全攻略

            溫度對亮度的影響是線性,但對壽命的影響就呈指數(shù)性,同樣以接面溫度為準,若一直保持在50℃以下使用則LED有近20,000小時的壽命,75℃則只剩10,000小時,100℃剩5,000小時,125℃剩2,000小時,150℃剩1,000小時。溫度光從50℃變成2倍的100℃,使用壽命就從20,000小時縮成1/4倍的5,000小時,傷害極大。

            裸晶層:光熱一體兩面的發(fā)散源頭:p-n接面

            關于LED的散熱我們同樣從最核心處逐層向外討論,一起頭也是在p-n接面部分,解決方案一樣是將電能盡可能轉化成光能,而少轉化成熱能,也就是光能提升,熱能就降低,以此來降低發(fā)熱。

            如果更進一步討論,電光轉換效率即是內部量子化效率(Internal Quantum Efficiency;IQE),今日一般而言都已有70%~90%的水平,真正的癥結在于外部量子化效率(External Quantum Efficiency;EQE)的低落。

            以Lumileds Lighting公司的Luxeon系列LED為例,Tj接面溫度為25℃,順向驅動電流為350mA,如此以InGaN而言,隨著波長(光色)的不同,其效率約在5%~27%之間,波長愈高效率愈低(草綠色僅5%,藍色則可至27%),而AlInGaP方面也是隨波長而有變化,但卻是波長愈高效率愈高,效率大體從8%~40%(淡黃色為低,橘紅最高)。(圖片來源:www.ledhp.com)

          高亮度LED封裝散熱設計全攻略

            從Lumileds公司Luxeon系列LED的橫切面可以得知,硅封膠固定住LED裸晶與裸晶上的熒光質(若有用上熒光質的話),然后封膠之上才有透鏡,而裸晶下方用焊接(或導熱膏)與硅子鑲嵌芯片(Silicon Sub-mount Chip)連接,此芯片也可強化ESD靜電防護性,往下再連接散熱塊,部分LED也直接裸晶底部與散熱塊相連。

            高亮度LED封裝散熱設計全攻略

            Lumileds公司Luxeon系列LED的裸晶實行覆晶鑲嵌法,因此其藍寶石基板變成在上端,同時還加入一層銀質作為光反射層,進而增加光取出量,此外也在Silicon Submount內制出兩個基納二極管(Zener Diode),使LED獲得穩(wěn)壓效果,使運作表現(xiàn)更穩(wěn)定。

            由于增加光取出率(Extraction Efficiency,也稱:汲光效率、光取效率)也就等于減少熱發(fā)散率,等于是一個課題的兩面。

            裸晶層:基板材料、覆晶式鑲嵌

            如何在裸晶層面增加散熱性,改變材質與幾何結構再次成為必要的手段,關于此目前最常用的兩種方式是:1.換替基板(Substrate,也稱:底板、襯底,有些地方也稱為:Carrier)的材料。2.經裸晶改采覆晶(Flip-Chip,也稱:倒晶)方式鑲嵌(mount)。

            先說明基板部分,基板的材料并不是說換就能換,必須能與裸晶材料相匹配才行,現(xiàn)有AlGaInP常用的基板材料為GaAs、Si,InGaN則為SiC、Sapphire(并使用AlN做為緩沖層)。

          高亮度LED封裝散熱設計全攻略

            為了強化LED的散熱,過去的FR4印刷電路板已不敷應付,因此提出了內具金屬核心的印刷電路板,稱為MCPCB,運用更底部的


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