高密度、可見(jiàn)光LED的生產(chǎn)測(cè)試

　　可見(jiàn)光二極管（LED）憑借其長(zhǎng)壽命和高可靠性的特點(diǎn)，正獲得越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。LED目前已經(jīng)用在了汽車、街燈、戶外標(biāo)識(shí)等方面。此外，隨著新的顏色和新的關(guān)鍵應(yīng)用的開(kāi)發(fā)，采用高性價(jià)比的測(cè)試方法以確保LED可靠性的需求不斷增大。隨著高亮度和有機(jī)LED技術(shù)的出現(xiàn)，對(duì)測(cè)試設(shè)備的測(cè)量性能與產(chǎn)能的要求也越來(lái)越高。

　　LED發(fā)光是帶電粒子在半導(dǎo)體能隙之間躍遷的結(jié)果。能隙的大小決定了發(fā)光的波長(zhǎng)。LED的發(fā)展已經(jīng)產(chǎn)生了表面和邊緣發(fā)光技術(shù)，改變波長(zhǎng)和功率特性等性能指標(biāo)。

　　本文介紹了有關(guān)構(gòu)建用于檢驗(yàn)單個(gè)和多個(gè)（陣列）LED器件的生產(chǎn)測(cè)試系統(tǒng)解決方案的方法和問(wèn)題。

　　測(cè)試介紹

　　高性能LED通常要進(jìn)行5種測(cè)試。其中包括直流頻譜上的三種測(cè)試（正向電壓、反向擊穿和漏電流測(cè)試）以及光譜上的兩種測(cè)試（光照強(qiáng)度和波長(zhǎng)檢驗(yàn)）。在生產(chǎn)環(huán)境下，通常只有直流測(cè)試涉及測(cè)試產(chǎn)能的問(wèn)題。光學(xué)測(cè)試雖然很有用，但是通常較慢，一般保留用于工程或質(zhì)量控制實(shí)驗(yàn)。下面詳細(xì)介紹各種測(cè)試和測(cè)試需求。

　　直流測(cè)試

　　圖1給出了本文介紹的三種直流測(cè)試的測(cè)試點(diǎn)。

圖1：典型的LED直流I-V曲線和測(cè)試點(diǎn)（不用于縮放）

　　正向電壓測(cè)試（VF）

　　VF測(cè)試檢驗(yàn)可見(jiàn)光LED的正向工作電壓。超過(guò)這一工作電壓，電路電流的大幅增長(zhǎng)將導(dǎo)致正向電壓明顯升高，如圖1所示。在一段特定的時(shí)間內(nèi)（例如1ms）在LED上加載特定的正向偏置電流（例如10mA），測(cè)量LED兩端的電壓降。測(cè)量的結(jié)果通常為幾百毫伏的量級(jí)。

　　反向擊穿電壓測(cè)試（VR）

　　VR測(cè)試檢驗(yàn)LED的反向擊穿電壓，與二極管類似。當(dāng)電壓高于這一電壓時(shí)，反偏電流的大幅增加使反向電壓變化不大。這一參數(shù)的技術(shù)指標(biāo)通常是一個(gè)最小值。測(cè)試時(shí)在一段特定時(shí)間內(nèi)提供一個(gè)較低的反偏電流，同時(shí)測(cè)量LED兩端的電壓降。測(cè)量結(jié)果通常在幾伏到幾十伏的量級(jí)。

　　漏電流測(cè)試（IL）

　　IL測(cè)試檢驗(yàn)LED的漏電流，即當(dāng)反向電壓低于擊穿電壓時(shí)，LED中泄漏的小電流。測(cè)試時(shí)加載特定的反向電壓，經(jīng)過(guò)一定的時(shí)間后測(cè)量流過(guò)LED的相應(yīng)電流。測(cè)試過(guò)程要檢驗(yàn)測(cè)得的漏電流是否低于一定的閾值。這些電流的測(cè)量結(jié)果通常在納安到毫安的量級(jí)。

　　光學(xué)測(cè)試

　　光強(qiáng)和輻射強(qiáng)度測(cè)試

　　發(fā)光（即光照）強(qiáng)度的大小通常用流明/球面度或坎德拉來(lái)表示。它的大小范圍通常從毫坎德拉到幾個(gè)坎德拉的量級(jí)。我們可以利用這個(gè)參數(shù)來(lái)計(jì)算輻射強(qiáng)度，以瓦特/球面度來(lái)表示。輻射強(qiáng)度測(cè)量的是LED的總輸出（功率），而發(fā)光強(qiáng)度測(cè)量的是可見(jiàn)光范圍內(nèi)的輸出（功率）。輻射強(qiáng)度的大小范圍從略小于1μW/sr到幾十mW/sr不等。用總發(fā)光輸出（流明/瓦）除以輸入功率可以計(jì)算出發(fā)光效率。光照強(qiáng)度通常采用光電探測(cè)器（PD）進(jìn)行測(cè)量。流過(guò)PD的反向漏電流大小與照射在它上面的光強(qiáng)度成正比。因此，如果用LED照射PD同時(shí)測(cè)量PD上相應(yīng)的漏電流，就可以推算出光照強(qiáng)度。采用這種方法測(cè)量光照強(qiáng)度時(shí)，只需使用高速直流測(cè)試儀就可以構(gòu)建出能夠進(jìn)行直流和光學(xué)測(cè)試的整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)。如果不愿意使用這種直流測(cè)試方法，就必須使用累計(jì)球，本文不再對(duì)此進(jìn)行詳細(xì)討論。

圖2：基于數(shù)字源表/靜電計(jì)的可見(jiàn)光LED生產(chǎn)測(cè)試典型測(cè)試系統(tǒng)的模塊圖

　　波長(zhǎng)和色彩測(cè)試

　　我們通常采用分光計(jì)來(lái)測(cè)量波長(zhǎng)，它測(cè)量的是LED輸出的主要和峰值波長(zhǎng)。LED的輸出頻譜稱為遠(yuǎn)場(chǎng)圖（farfield pattern，F(xiàn)FP），類似于一條以LED峰值波長(zhǎng)為中心的正態(tài)曲線。半最大值處全寬度（Full width at halfmaximum，F(xiàn)WHM）計(jì)算作為半光強(qiáng)下的頻譜帶寬，用于表示LED的工作波長(zhǎng)范圍。采用ISO/CIE標(biāo)準(zhǔn)色度系統(tǒng)可以測(cè)得LED輸出的色彩信息，這種系統(tǒng)可以測(cè)量出基于三基色（紅、藍(lán)和綠）大小的輸出色彩。

　　測(cè)試系統(tǒng)介紹

　　單LED測(cè)試系統(tǒng)

　　LED被放測(cè)試夾具中，連接數(shù)字源表的輸入端。放置器件和連接待測(cè)器件（DUT）的操作通常是由元件機(jī)械手完成的，以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化的生產(chǎn)流程。測(cè)試夾具通常是避光的，以防止由于環(huán)境光線的影響導(dǎo)致測(cè)試數(shù)據(jù)出錯(cuò)。光電探測(cè)器（PD）集成在測(cè)試夾具中，當(dāng)機(jī)械手將LED放入測(cè)試夾具中時(shí)，就對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。圖2給出了上述的典型直流特征分析系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。

　　數(shù)字源表能夠?qū)ED進(jìn)行三種直流測(cè)試。由于這種儀器能夠提供任意極性的電流源或電壓源，因此無(wú)須翻轉(zhuǎn)或移動(dòng)放置在最初測(cè)試位置上的LED即可完成所有直流特征分析測(cè)試。數(shù)字源表和靜電計(jì)結(jié)合使用，能夠測(cè)出光照強(qiáng)度的大小。要對(duì)LED的光照強(qiáng)度進(jìn)行特征分析，數(shù)字源表需要在LED的工作（電壓）范圍內(nèi)進(jìn)行多點(diǎn)電流掃描（如圖3a所示），利用一臺(tái)6517A通過(guò)PD即可測(cè)出發(fā)光情況（如圖3b所示）。對(duì)于高產(chǎn)能應(yīng)用，人們一般只在一個(gè)或少數(shù)幾個(gè)測(cè)試點(diǎn)上測(cè)量光照強(qiáng)度。

圖3a：LED測(cè)量電路

圖3b：光電探測(cè)器電源電路

　　多/陣列式LED系統(tǒng)

　　對(duì)于LED陣列、多管芯封裝或老化測(cè)試應(yīng)用，我們常常需要同時(shí)測(cè)試很多LED。一次測(cè)試多個(gè)器件性價(jià)比最高的方式就是在測(cè)試系統(tǒng)中集成開(kāi)關(guān)。老化測(cè)試通常需要對(duì)LED進(jìn)行延時(shí)通電，這需要不帶開(kāi)關(guān)的專用電源功能。老化測(cè)試系統(tǒng)中PD的測(cè)量一般采用多路復(fù)用的方式監(jiān)測(cè)不同時(shí)刻的LED性能。圖4給出了一種LED開(kāi)關(guān)測(cè)試系統(tǒng)配置的例子。實(shí)際的系統(tǒng)可以配置任意數(shù)量的二極管，支持各種電氣指標(biāo)。

圖4：多個(gè)LED到一臺(tái)2400型數(shù)字源表的切換以及多個(gè)PD到6517A型靜電計(jì)的切換（點(diǎn)擊圖片放大）

　　在多器件測(cè)試系統(tǒng)中，每次選擇單個(gè)LED進(jìn)行測(cè)試，與該LED和用于檢測(cè)光照強(qiáng)度的PD對(duì)應(yīng)的繼電器閉合。數(shù)字源表進(jìn)行所需的直流測(cè)試，然后加載足夠的電流點(diǎn)亮LED，當(dāng)LED點(diǎn)亮?xí)r，6517A測(cè)量PD增大的漏流。當(dāng)這一測(cè)試過(guò)程完成后，再選擇用于下一個(gè)器件的開(kāi)關(guān)通道。

　　7011型多路復(fù)用卡的偏移電流指標(biāo)是100pA，這個(gè)值可能超出了測(cè)試系統(tǒng)的誤差容限。因此，用7158（或7058）型低電流掃描卡代替7011，可以將偏移量降低到1pA（30fA典型值）。注意，重要的是采用低電流卡將會(huì)降低系統(tǒng)可用的通道密度。低電流卡只有10個(gè)通道可用于掃描，這意味著當(dāng)用它們替代7011時(shí)，需要使用的卡的數(shù)量將增加四倍。

　　集成器件

　　目前很多傳感器都在同一個(gè)封裝內(nèi)集成了LED和PD，用于構(gòu)成反射目標(biāo)傳感器、光開(kāi)關(guān)或其它一些混合器件。集成器件需要同時(shí)測(cè)試LED和PD的性能。其中要使用外部PD或者其它光敏器件單獨(dú)監(jiān)測(cè)LED的輸出。直流測(cè)試?yán)脭?shù)字源表完成，但是當(dāng)測(cè)量光照強(qiáng)度時(shí)，內(nèi)部和外部PD都要進(jìn)行測(cè)量。不僅LED必須要通過(guò)所有所需的直流和光學(xué)測(cè)試，而且內(nèi)部PD數(shù)據(jù)也必須與從“標(biāo)準(zhǔn)”外部器件上獲取的數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)起來(lái)。圖5給出了一個(gè)采用三臺(tái)數(shù)字源表的這類測(cè)試系統(tǒng)實(shí)例。

圖5：利用2400數(shù)字源表測(cè)量集成式LED/PD器件（點(diǎn)擊圖片放大）

　　根據(jù)測(cè)試規(guī)范

上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)