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          LED芯片的技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r

          作者: 時(shí)間:2011-06-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)管芯(200-350μm2),日本日亞公司報(bào)道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mW,其外量子效率為35.5%,藍(lán)光(460 nm) 18.8 mW,其外量子效率為34.9%。美國Cree公司可以提供功率大于15 mW 的藍(lán)色發(fā)光(455~475 nm)和最大功率為21 mW的紫光發(fā)光(395~410 nm),8 mW 綠光(505~525 nm)發(fā)光。臺(tái)灣現(xiàn)在可以向市場提供6 mW左右的藍(lán)光和4 mW左右的紫光芯片,其實(shí)驗(yàn)室水平可以達(dá)到藍(lán)光10 mW和紫光7~8 mW的水平。國內(nèi)的公司可以向市場提供3~4mW的藍(lán)光芯片,研究單位的水平為藍(lán)光6 mW左右,綠光1~2 mW,紫光1~2 mW。

          隨著外延生長技術(shù)和多量子阱結(jié)構(gòu)的發(fā)展,超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率己有了非常大的改善,如波長625 nm AlGaInP基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率可達(dá)到100%,已接近極限。AlGaInN基材料內(nèi)存在的晶格和熱失配所致的缺陷、應(yīng)力和電場等使得AlGaInN基超高亮度發(fā)光二極管的內(nèi)量子效率比較低,但也在35~50%之間,半導(dǎo)體材料本身的光電轉(zhuǎn)換效率己遠(yuǎn)高過其它發(fā)光光源,因此提高芯片的外量子效率是提高發(fā)光效率的關(guān)鍵。


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