使用不同封裝技術(shù) 強化LED元件的應(yīng)用優(yōu)勢
LED因為材料特性與發(fā)光原理異于傳統(tǒng)光源,因此具備多項使用上的優(yōu)勢,只是用于取代一般日常應(yīng)用的光源時,LED固態(tài)的發(fā)光組件仍需要多重設(shè)計與改善,才能在發(fā)光效率、演色性、照明光型、電源效能等方面獲得強化,以通過照明應(yīng)用市場的考驗。
在通用照明(General Lighting)市場中,LED固態(tài)照明想要加速普及,必須在短期內(nèi)讓組件成本、制作技術(shù)、驗證標準...等層面一一到位,技術(shù)方面要提升色溫表現(xiàn)、演 色性與光電轉(zhuǎn)換效率,從照明系統(tǒng)的角度進行思考,仍須解決LED光源、AC/DC電源轉(zhuǎn)換、LED驅(qū)動控制、組件散熱和光學處理等關(guān)鍵面向。
注釋:特殊封裝之LED組件,可因應(yīng)不同照明產(chǎn)品需求進行優(yōu)化設(shè)計,圖為Osram兩款針對照明應(yīng)用設(shè)計的LED組件模塊。
薄膜芯片封裝技術(shù) 發(fā)展照明應(yīng)用的重點
LED的光源應(yīng)用,其關(guān)鍵就在芯片技術(shù)的核心發(fā)展,而影響LED組件發(fā)光特性、效率的關(guān)鍵就在于基底材料與晶圓生長技術(shù)的差異。
在LED的基底材料方面,除傳統(tǒng)藍寶石基底材料外,硅(Si)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、氮化鎵(GaN)...等,都是目前LED組件的開發(fā) 重點,無論所發(fā)展的光源應(yīng)用是照明或是營造氣氛的環(huán)境光源,涵蓋大、小功率應(yīng)用方式,芯片基底的技術(shù)提升,其目標在于制作出更高效率、更穩(wěn)定的LED晶 片。
提高LED芯片的光電效率,已成為LED照明應(yīng)用技術(shù)的關(guān)鍵指標,例如,藉由芯片結(jié)構(gòu)的改變、芯片表面的粗化設(shè)計、多量子阱結(jié)構(gòu)的設(shè)計形式,透過多重的制程技術(shù)改良,目前已能讓單個LED芯片的發(fā)光效率具有突破性的進展。
而薄膜芯片技術(shù)(Thin film LED),則是用以開發(fā)高亮度LED芯片的關(guān)鍵技術(shù), 其重點在減少芯片的側(cè)向光損失,透過底部的反射面搭配,可以讓芯片超過97%的電光反應(yīng),使光從芯片的正面直接輸出,大幅提高LED單位流明。
強化封裝技術(shù) 改善發(fā)光效率與光型觀察目前常見的高功率LED封裝技術(shù),大致可分為單顆芯片封裝、多芯片整合封裝與芯片板上封裝3種技術(shù),而透過封裝技術(shù)的優(yōu)化,可提升LED芯片的發(fā)光效率、散熱效果與產(chǎn)品可靠度。
在單顆芯片封裝方面,可讓單顆LED芯片大幅發(fā)揮照明優(yōu)勢,例如,針對發(fā)光效率的改善、散熱熱阻抗的調(diào)整,或是制成易于產(chǎn)線生產(chǎn)組裝的SMT形式。單顆芯片 的封裝形式,于LED發(fā)光二極管最為常見,其技術(shù)瓶頸在于必須針對每個芯片進行良率控管,因為采單芯片封裝,若封裝處理的芯片本身就已損壞或效率不彰,封 裝成品也會呈現(xiàn)相同的料件問題,另在封裝階段亦可透過熒光粉體的封裝處理,去改善最終產(chǎn)品的輸出色溫或光型。
注釋:SMT形式的LED組件可透過填膠材質(zhì)與形式變化,產(chǎn)生多元的產(chǎn)品特性。圖為PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)形式之SMT LED。
以O(shè)sram的 Golden DRAGON Plus LED為例,為采硅膠封填設(shè)計,封裝后的LED組件具170度光束角度,可以很容易地進行2次光學透鏡或是反光杯改善組件的光學特性,Golden DRAGON Plus LED的硅膠透鏡亦具耐高溫、光衰減較低等特性。單芯片封裝的優(yōu)勢相當多,尤其在光效率提升、散熱效益提升與配光容易度、組件的高可靠性都相當值得關(guān)注。
多芯片整合封裝 小體積可具高光通量表現(xiàn)
所謂團結(jié)力量大,在LED組件封裝上亦是如此,如果一次將多LED芯片封裝在同一平面上,則可整合出一高功率整合組件。多芯片整合組件同時是目前常見的高功率、高亮度應(yīng)用LED組件最常見的封裝形式,可區(qū)分為小功率與大功率兩種芯片整合形式。
在小功率應(yīng)用方面,多數(shù)是采取6顆低功率LED芯片整合,制作出來的1瓦大功率LED固態(tài)發(fā)光組件最常見,而利用6個低功率芯片來整合的1瓦大功率應(yīng)用,優(yōu) 勢在于制作成本相對更低,而且多顆形式若有芯片來源的良率問題,也可利用周邊芯片補足應(yīng)有的性能表現(xiàn),不至于出現(xiàn)產(chǎn)品良率的負面問題,小功率整合的多芯片 封裝形式,也是目前大功率LED組件常見的制作形式。
而在大功率芯片整合部分,以O(shè)sram的OSTAR SMT系列為例,其封裝外型經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計,占位體積相對小,最終組件可讓產(chǎn)品的熱阻抗控制于每瓦3.1℃左右,驅(qū)動功率亦高達15瓦,此種封裝設(shè)計有頗多優(yōu)點,尤其可在受限空間內(nèi)達到一般LED組件少有的高光通量表現(xiàn)。
Chip On Board可有效改善散熱問題COB(Chip On Board) LED多晶燈板,為沿用傳統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的應(yīng)用形式,意即直接將LED芯片固定于印刷電路板(PCB),COB技術(shù)目前已有厚度僅0.3mm的LED元 件設(shè)計。由于LED芯片可直接與PCB板接觸來增加熱傳導(dǎo)面積,因此LED固態(tài)光源常見的散熱問題也可因此獲得改善。
將多數(shù) LED組件安排于印刷電路板形成多重LED光源組合,可以提升LED固態(tài)光源的照明度,低功率驅(qū)動的組件通常會應(yīng)用核心材料為FR4的一般印刷電路板來進 行產(chǎn)品的2次組構(gòu),在因應(yīng)高功率驅(qū)動應(yīng)用時,則會改采以金屬核心PCB強化LED組件需要的高散熱環(huán)境,藉由金屬核心PCB來降低熱阻抗。
金屬核心PCB即為使用MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board),使組件能滿足較低熱阻的設(shè)計要求,典型的MCPCB設(shè)計架構(gòu)是在金屬平面形成的線路同時以薄層進行隔離設(shè)計,而電路走線必須采用鎳金屬化合 物提供產(chǎn)線可焊接的加工表面,隔離層又必須具備避免短路、同時不會犧牲散熱速率的薄化設(shè)計,以便將熱傳導(dǎo)過程的熱阻降到最低。多數(shù)選擇鋁材料作為核心,具 有成本低廉、散熱能力佳與較好的抗腐蝕性等優(yōu)點。
比較新的制作方式,是將LED芯片直接安裝于印刷電路板上,或者搭配具即插即用功能的組件進行整合,而COB的封裝形式,其目的在于提供比現(xiàn)有離散排布的LED組件具更高效能、更低熱阻抗的產(chǎn)品形式,讓終端產(chǎn)品可以經(jīng)由簡單的二度開發(fā),制出足以進軍照明市場的成熟產(chǎn)品。
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