LED三維封裝原理及芯片優(yōu)化

　　為了使LED通向照明，各大廠急需解決的問題是降低成本，增加光通量。其中有效的方式是在不增加成本的情況下，如何注入大電流。

　　本封裝適合于垂直結(jié)構(gòu)LED，工藝上取消原來的LED芯片N--面ITO電極，取代的是涂布型透明電極工藝結(jié)合PET薄膜形成無金線的封裝模式。

　　具體步驟如圖B，LED垂直結(jié)構(gòu)芯片(2)P--面焊接與基板（1）正電極，導(dǎo)電基材Cu（3）焊接與基板（1）負(fù)電極，LED芯片與基材Cu的高度基本一致，涂布型透明導(dǎo)電材料（4）涂布于PET薄膜（5），涂布型透明導(dǎo)電材料（4）連接LED芯片（2）N--面與導(dǎo)電基材Cu（3）頂部。形成三維薄膜封裝。

　　LED芯片結(jié)構(gòu)優(yōu)化如圖A，芯片N--面無需制作電極，無需電流擴(kuò)散，無需焊盤。取代原有ITO電極將是涂布型透明電極。

　　三維封裝優(yōu)勢；

　　1）芯片N--面的電流注入與P--面基本相似，形成等電位電流?？梢宰⑷氪箅娏鳌?/P>

　　2）電極形式優(yōu)于梳狀電極可以加大芯片尺寸，提高光效。

　　3)增加光通量，降低成本。

　　4）薄膜封裝實現(xiàn)輕薄化。

　　5）無金線封裝增加器件穩(wěn)定性。

　　6）便于模塊化生產(chǎn)。

　　芯片層面；1）取消電極刪，減少遮光。2）無電極制作，減化工藝。

　　注；涂布型透明電極是替代ITO的一種趨勢。現(xiàn)有涂布型材料透光率80%以上；包括1）涂布型ITO導(dǎo)電顆粒，2）高分子導(dǎo)電材料，3）納米銀導(dǎo)電顆粒，4）Ag絲墨。其中電阻最低的是Ag絲。方阻0.1-----0.2歐姆。優(yōu)于ITO方阻7----8歐姆。