DC／DC電源模塊的溫度的關(guān)系測試解析

VDMOS

VDMOS(垂直雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管)在模塊電路中作為開關(guān)器件，在感性負(fù)載下工作，承受高尖峰電壓和大電流，具有較高的開關(guān)損耗和溫升，其開關(guān)頻率可高達(dá)130 kHz，在這樣高的頻率下工作，可能引起內(nèi)部多種退化機制，導(dǎo)致VDMOS的性能下降，甚至失效。

在本實驗中對模塊中的VDMOS單獨加溫，測試模塊電學(xué)參數(shù)的變化，通過測試得到當(dāng)溫度到180℃時，輸入電流隨溫度的升高有較為明顯的增加。而輸出電壓、輸出電流隨溫度的升高變化較小。此外計算模塊的輸出效率，判斷模塊是否處在正常工作狀態(tài)，通過計算可到對VDMOS單獨加熱到180℃時，模塊的輸入電流迅速增加。而當(dāng)溫度升至220℃，輸出電壓幾乎沒有變化，由于模塊在150℃已經(jīng)失效，而此時單獨加熱溫度已經(jīng)高達(dá)180℃，遠(yuǎn)高于模塊整體加熱失效的溫度，因此VDMOS的溫度特性不是影響輸出電壓變化的原因。二極管(SBD)

在模塊中使用的二極管有穩(wěn)壓二極管，整流二極管，其中整流二極管在電壓轉(zhuǎn)換過程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸出端，兩個整流二極管在不同時段導(dǎo)通，使交流脈動電壓轉(zhuǎn)換為直流脈動。在本實驗中，對電路中的SBD單獨加熱，發(fā)現(xiàn)隨著溫度的升高，模塊的輸出電壓沒有較明顯的變化。因此模塊在高溫工作的環(huán)境下，SBD不是引起模塊輸出電壓下降的主要因素。

光電耦合器

光電耦合器(以下簡稱光耦)以光為媒介傳輸電信號。它對輸入，輸出電信號有良好的隔離作用。光耦一般由3部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅(qū)動發(fā)光二極管(LED)，使之發(fā)出一定波長的光，它被光探測器接收而產(chǎn)生光電流，再經(jīng)過進(jìn)一步放大后輸出。這就完成了電一光一電的轉(zhuǎn)換，從而起到輸入、輸出隔離的作用。由于光耦輸入輸出間互相隔離，電信號傳輸具有單向性等特點，因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。

在模塊中，光耦作為隔離輸入、輸出的重要部件，同時將輸出端比較放大器輸出的電流信號傳輸?shù)絇WM的9腳，而9腳是PWM的補償端，它與比較器的反向輸入端相連，控制PWM的11腳和14腳輸出脈沖的寬度。從而調(diào)整模塊的輸出電壓保持穩(wěn)定。

在本實驗中，首先測試模塊中使用的光耦NEC2705的輸入端電流與輸出端電流的比例系數(shù)隨溫度的變化，輸入端所加電流為11 mA，結(jié)果表明在25℃時，該光耦的電流傳輸比接近1：1，但是隨著溫度的升高，輸入電流不變，輸出端的電流逐漸減小，大約每升高10℃，光耦的電流傳輸比減小4%，結(jié)果如圖4所示。

圖4：光耦電流傳輸比與溫度的關(guān)系

圖5：輸出電壓與光耦溫度的關(guān)系

然后對工作狀態(tài)中模塊的光耦單獨加熱(模塊光耦較大，可取下焊線后單獨加熱)，測量模塊的輸出電壓，見圖5。發(fā)現(xiàn)隨著溫度韻升高，模塊電壓逐漸下降，且與模塊整體加熱時測得的輸出電壓隨溫度上升而下降趨勢基本符合。通過分析可知，隨著環(huán)境溫度的升高，電源模塊各元件的功耗增加，將導(dǎo)致模塊的輸出電壓的下降，此時應(yīng)當(dāng)通過光耦連接的反饋電路，使得PWM輸出的脈寬增加，提高輸出端的電壓，但是由于光電耦合器的傳輸效率下降，不能完全將負(fù)反饋的結(jié)果傳輸給PWM。使得PWM輸出脈寬比實際較窄，即電壓調(diào)整能力降低，使輸出電壓隨環(huán)境溫度上升而下降。

綜上所述，模塊溫度特性表現(xiàn)為：在溫度小于150℃的時候，模塊的輸出電壓緩慢下降，原因是由于光耦電流傳輸比的下降引起;當(dāng)溫度大于150℃時，電源模塊輸出電壓迅速下降，甚至輸出電壓幾乎為零，其原因是此時模塊中變壓器的磁芯溫度接近居里點溫度(220℃)。變壓器作用失效所引起。在此情況中，如果模塊內(nèi)部沒有產(chǎn)生其他的損傷，當(dāng)停止加熱，模塊溫度恢復(fù)到室溫，模塊重新加電，模塊輸出電壓仍能恢復(fù)到正常值。然而，對于本實驗中測試的模塊，當(dāng)環(huán)境溫度超過150℃左右時，由于模塊變壓器的磁芯溫度達(dá)到距離點，使磁芯溫度升高，該正反饋會使磁芯溫度迅速升高，產(chǎn)生的熱量也更多，造成模塊內(nèi)部其它器件的損壞，很容易造成模塊的永久損毀。