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          DC/DC電源模塊的溫度的關(guān)系測(cè)試解析

          作者: 時(shí)間:2014-01-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          中,對(duì)電路工作狀態(tài)的PWM-SG3524單獨(dú)加溫,并測(cè)試輸出方波信號(hào)與溫度的關(guān)系,測(cè)得波形沒(méi)有明顯變化;在加溫的同時(shí)對(duì)模塊的輸入、輸出電流電壓進(jìn)行記錄,發(fā)現(xiàn)隨著PWM所在環(huán)境溫度的升高輸入電流與輸入電壓變化都很小;輸出電壓與輸出電流變化也很小,加熱PWM導(dǎo)致電參數(shù)變化與模塊整體加熱電參數(shù)相比可以忽略。證明PWM-SG3524對(duì)模塊的溫度特性影響較小。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/226622.htm

          VDMOS

          VDMOS(垂直雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在模塊電路中作為開(kāi)關(guān)器件,在感性負(fù)載下工作,承受高尖峰電壓和大電流,具有較高的開(kāi)關(guān)損耗和溫升,其開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)130 kHz,在這樣高的頻率下工作,可能引起內(nèi)部多種退化機(jī)制,導(dǎo)致VDMOS的性能下降,甚至失效。

          在本實(shí)驗(yàn)中對(duì)模塊中的VDMOS單獨(dú)加溫,測(cè)試模塊電學(xué)參數(shù)的變化,通過(guò)測(cè)試得到當(dāng)溫度到180℃時(shí),輸入電流隨溫度的升高有較為明顯的增加。而輸出電壓、輸出電流隨溫度的升高變化較小。此外計(jì)算模塊的輸出效率,判斷模塊是否處在正常工作狀態(tài),通過(guò)計(jì)算可到對(duì)VDMOS單獨(dú)加熱到180℃時(shí),模塊的輸入電流迅速增加。而當(dāng)溫度升至220℃,輸出電壓幾乎沒(méi)有變化,由于模塊在150℃已經(jīng)失效,而此時(shí)單獨(dú)加熱溫度已經(jīng)高達(dá)180℃,遠(yuǎn)高于模塊整體加熱失效的溫度,因此VDMOS的溫度特性不是影響輸出電壓變化的原因。二極管(SBD)

          在模塊中使用的二極管有穩(wěn)壓二極管,整流二極管,其中整流二極管在電壓轉(zhuǎn)換過(guò)程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸出端,兩個(gè)整流二極管在不同時(shí)段導(dǎo)通,使交流脈動(dòng)電壓轉(zhuǎn)換為直流脈動(dòng)。在本實(shí)驗(yàn)中,對(duì)電路中的SBD單獨(dú)加熱,發(fā)現(xiàn)隨著溫度的升高,模塊的輸出電壓沒(méi)有較明顯的變化。因此模塊在高溫工作的環(huán)境下,SBD不是引起模塊輸出電壓下降的主要因素。

          光電耦合器

          光電耦合器(以下簡(jiǎn)稱(chēng)光耦)以光為媒介傳輸電信號(hào)。它對(duì)輸入,輸出電信號(hào)有良好的隔離作用。光耦一般由3部分組成:光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。輸入的電信號(hào)驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管(LED),使之發(fā)出一定波長(zhǎng)的光,它被光探測(cè)器接收而產(chǎn)生光電流,再經(jīng)過(guò)進(jìn)一步放大后輸出。這就完成了電一光一電的轉(zhuǎn)換,從而起到輸入、輸出隔離的作用。由于光耦輸入輸出間互相隔離,電信號(hào)傳輸具有單向性等特點(diǎn),因而具有良好的電絕緣能力和抗干擾能力。

          在模塊中,光耦作為隔離輸入、輸出的重要部件,同時(shí)將輸出端比較放大器輸出的電流信號(hào)傳輸?shù)絇WM的9腳,而9腳是PWM的補(bǔ)償端,它與比較器的反向輸入端相連,控制PWM的11腳和14腳輸出脈沖的寬度。從而調(diào)整模塊的輸出電壓保持穩(wěn)定。

          在本實(shí)驗(yàn)中,首先測(cè)試模塊中使用的光耦NEC2705的輸入端電流與輸出端電流的比例系數(shù)隨溫度的變化,輸入端所加電流為11 mA,結(jié)果表明在25℃時(shí),該光耦的電流傳輸比接近1:1,但是隨著溫度的升高,輸入電流不變,輸出端的電流逐漸減小,大約每升高10℃,光耦的電流傳輸比減小4%,結(jié)果如圖4所示。

          圖4:光耦電流傳輸比與溫度的關(guān)系

          圖5:輸出電壓與光耦溫度的關(guān)系

          然后對(duì)工作狀態(tài)中模塊的光耦單獨(dú)加熱(模塊光耦較大,可取下焊線(xiàn)后單獨(dú)加熱),測(cè)量模塊的輸出電壓,見(jiàn)圖5。發(fā)現(xiàn)隨著溫度韻升高,模塊電壓逐漸下降,且與模塊整體加熱時(shí)測(cè)得的輸出電壓隨溫度上升而下降趨勢(shì)基本符合。通過(guò)分析可知,隨著環(huán)境溫度的升高,各元件的功耗增加,將導(dǎo)致模塊的輸出電壓的下降,此時(shí)應(yīng)當(dāng)通過(guò)光耦連接的反饋電路,使得PWM輸出的脈寬增加,提高輸出端的電壓,但是由于光電耦合器的傳輸效率下降,不能完全將負(fù)反饋的結(jié)果傳輸給PWM。使得PWM輸出脈寬比實(shí)際較窄,即電壓調(diào)整能力降低,使輸出電壓隨環(huán)境溫度上升而下降。

          綜上所述,模塊溫度特性表現(xiàn)為:在溫度小于150℃的時(shí)候,模塊的輸出電壓緩慢下降,原因是由于光耦電流傳輸比的下降引起;當(dāng)溫度大于150℃時(shí),輸出電壓迅速下降,甚至輸出電壓幾乎為零,其原因是此時(shí)模塊中變壓器的磁芯溫度接近居里點(diǎn)溫度(220℃)。變壓器作用失效所引起。在此情況中,如果模塊內(nèi)部沒(méi)有產(chǎn)生其他的損傷,當(dāng)停止加熱,模塊溫度恢復(fù)到室溫,模塊重新加電,模塊輸出電壓仍能恢復(fù)到正常值。然而,對(duì)于本實(shí)驗(yàn)中測(cè)試的模塊,當(dāng)環(huán)境溫度超過(guò)150℃左右時(shí),由于模塊變壓器的磁芯溫度達(dá)到距離點(diǎn),使磁芯溫度升高,該正反饋會(huì)使磁芯溫度迅速升高,產(chǎn)生的熱量也更多,造成模塊內(nèi)部其它器件的損壞,很容易造成模塊的永久損毀。

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