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          技術(shù)解析:有效地降低開關(guān)電源開關(guān)損耗的原理

          作者: 時(shí)間:2014-01-24 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          SMPS 工作在50%占空比500kHz,如果開啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間各為0.1祍,那么導(dǎo)通時(shí)間和斷開時(shí)間各為0.4祍。如果開關(guān)頻率提高到1MHz,開啟時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間仍為0.1祍,導(dǎo)通時(shí)間和斷開時(shí)間則為0.15祍。這樣,用于狀態(tài)轉(zhuǎn)換的時(shí)間比實(shí)際導(dǎo)通、斷開的時(shí)間還要長(zhǎng)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/226667.htm

          可以用一階近似更好地估計(jì)MOSFET的功耗,MOSFET柵極的充放電功耗的一階近似公式是:

          EGATE=QGATE×VGS,

          QGATE是柵極電荷,VGS是柵源電壓。

          在升壓變換器中,從開啟到關(guān)閉、從關(guān)閉到開啟過(guò)程中產(chǎn)生的功耗可以近似為:

          ET=(abs[VOUT-VIN]×ISW×t)/2

          其中ISW是通過(guò)MOSFET的平均電流(典型值為0.5IPK),t是MOSFET參數(shù)表給出的開啟、關(guān)閉時(shí)間。

          MOSFET完全導(dǎo)通時(shí)的功耗(傳導(dǎo)損耗)可近似為:

          ECON=(ISW)2×RON×tON,

          其中RON是參數(shù)表中給出的導(dǎo)通電阻,tON是完全導(dǎo)通時(shí)間(tON=1/2f,假設(shè)最壞情況50%占空比)。考慮一個(gè)典型的A廠商的MOSFET:

          RDSON=69mW

          QGATE=3.25nC

          tRising=9ns

          tFalling=12ns

          一個(gè)升壓變換器參數(shù)如下:

          VIN=5V

          VOUT=12V

          ISW=0.5A

          VGS=4.5V

          100kHz開關(guān)頻率下每周期的功率損耗如下:

          EGATE=3.25nC×4.5V=14.6nJ

          ET(rising)=((12V-5V)×0.5A×9ns)/2=17.75nJ

          ET(falling)=((12V-5V)×0.5A×12ns)/2=21nJ

          ECON=(0.5)2×69mW×1/(2×100kHz)=86.25nJ.

          從結(jié)果可以看到,100kHz時(shí)導(dǎo)通電阻的損耗占主要部分,但在1MHz時(shí)結(jié)果完全不同。柵極和開啟關(guān)閉的轉(zhuǎn)換損耗保持不變,每周期的傳導(dǎo)損耗以十分之一的倍率下降到8.625nJ,從每周期的主要功耗轉(zhuǎn)為最小項(xiàng)。每周期損耗在62nJ,頻率升高10倍,總MOSFET功率損耗增加了4.4倍。

          另外一款MOSFET:

          RDSON=300mW

          QGATE=0.76nC

          TRising=7ns

          TFalling=2.5ns.

          SMPS的工作參數(shù)如下:

          EGATE=0.76nC×4.5V=3.4nJ

          ET(rising)=((12V-5V)×0.5A×7ns)/2=12.25nJ

          ET(falling)=((12V-5V)×0.5A×2.5ns)/2=4.3nJ

          ECON=(0.5)2×300mW×1/(2×1MHz)=37.5nJ.

          導(dǎo)通電阻的損耗仍然占主要地位,但是每周的總功耗僅57.45nJ。這就是說(shuō),高RDSON(超過(guò)4倍)的MOSFET使總功耗減少了7%以上。如上所述,可以通過(guò)選擇導(dǎo)通電阻及其它MOSFET參數(shù)來(lái)提高SMPS的效率。

          到目前為止,對(duì)低導(dǎo)通電阻MOSFET的需求并沒有改變。大功率的SMPS傾向于使用低開關(guān)頻率,所以MOSFET的低導(dǎo)通電阻對(duì)提高效率非常關(guān)鍵。但對(duì)便攜設(shè)備,需要使用小體積的SMPS,此時(shí)的SMPS工作在較高的開關(guān)頻率,可以用更小的電感和電容。延長(zhǎng)電池壽命必須提高SMPS效率,在高開關(guān)頻率下,低導(dǎo)通電阻MOSFET未必是最佳選擇,需要



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