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          淺析關于HIT太陽能電池的發(fā)展狀況

          作者: 時間:2014-01-05 來源:網(wǎng)絡 收藏

          能源危機和環(huán)境污染問題促進了清潔能源的廣泛研究與應用開發(fā)。太陽能光伏發(fā)電是~種利用光伏效應將太陽光輻射能直接轉換為電能的新型發(fā)電技術,兇具有資源充足、清潔、安全、壽命長等優(yōu)點,被認為是最有前途的可再生能源技術之一,已成為可再生能源技術中發(fā)展最快、最具活力的研究領域。日前國際光伏市場上的主要有晶體硅(包括單晶硅、多晶硅)、非晶/單晶異質(zhì)結()、非晶硅薄膜、碲化鎘(CdTe)薄膜及銅銦硒(CIS)薄膜太陽電池等。其中商品化的晶體硅仍占主流,其光電轉化效率已達25%,但受到材料純度和制備T藝限制,很難再提高其轉化效率或降低成本;而非晶硅雖然能大面積生產(chǎn),造價又低廉,但其轉換效率仍比較低,并且穩(wěn)定性差。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/227110.htm

          為了降低成本同時保持高轉換效率,近年來電池得到了迅速的發(fā)展。這種異質(zhì)結結構的電池是綜合兩者優(yōu)點充分發(fā)揮各自長處的最佳設計。本文介紹了電池的結構與特點,綜述了HIT電池的發(fā)展現(xiàn)狀,并對HIT電池的未來進行了展望。

          1、HIT太陽能電池的結構與特點

          1.1 HIT太陽能電池的結構

          圖1為HIT、太陽能電池的基本構造,其特征是以光照射側的p-i型a-Si:H膜(膜厚5~lOnm)和背面?zhèn)鹊膇-n型a_Si:H膜(膜厚5~10nm)夾住晶體硅片,在兩側的頂層形成透明的電極和集電極,構成具有對稱結構的HIT太陽能電池。


          1.2 HIT太陽能電池的特點

          (1)低溫工藝

          HIT電池結合了薄膜太陽能電池低溫(《250℃)制造的優(yōu)點,從而避免采用傳統(tǒng)的高溫(》900℃)擴散工藝來獲得p-n結。這種技術不僅節(jié)約了能源,而且低溫環(huán)境使得a_Si:H基薄膜摻雜、禁帶寬度和厚度等可以較精確控制,工藝上也易于優(yōu)化器件特性;低溫沉積過程中,單品硅片彎曲變形小,因而其厚度可采用本底光吸收材料所要求的最低值(約80μm);同時低溫過程消除了硅襯底在高溫處理中的性能退化,從而允許采用“低品質(zhì)”的晶體硅甚至多晶硅來作襯底。

          (2)高效率

          HIT電池獨有的帶本征薄層的異質(zhì)結結構,在p_n結成結的同時完成r單晶硅的表面鈍化,大大降低了表面、界面漏電流,提高了電池效率。目前HIT電池的實驗室效率已達到23%,市售200W組件的電池效率達到19.5%。

          (3)高穩(wěn)定性

          HIT電池的光照穩(wěn)定性好,理滄研究表明非品硅薄膜/晶態(tài)硅異質(zhì)結中的非晶硅薄膜沒有發(fā)現(xiàn)Staebler-Wronski效應,從而不會出現(xiàn)類似非晶硅太陽能電池轉換效率因光照而衰退的現(xiàn)象;HIT電池的溫度穩(wěn)定性好,與單晶硅電池一0.5%/℃的溫度系數(shù)相比,HIT電池的溫度系數(shù)可達到一0.25%/℃,使得電池即使在光照升溫情況下仍有好的輸出‘“。

          (4)低成本

          HIT電池的厚度薄,可以節(jié)省硅材料;低溫工藝可以減少能量的消耗,并且允許采用廉價襯底;高效率使得在相同輸出功率的條件下可以減少電池的面積,從而有效降低了電池的成本。2、HIT太陽能電池的發(fā)展現(xiàn)狀

          2.1 HIT太陽能電池的技術發(fā)展狀況

          1990年,日本Sanyo公司最早開始研究異質(zhì)結太陽能電池。1992年,Tanaka等就創(chuàng)下p-a-Si:H/i-a-Si:H/n_c-Si結構太陽能電池光電轉換效率18.1%的紀錄,并將這種帶有本征薄層的結構稱之為HIT結構。此后,中國、美國、德國、法國、意大利、荷蘭等同家也相繼投入到HIT太陽能電池的研究中(表1為各國研究的HIT電池的種類、制備工藝以及電池所能達到的轉換效率情況)。為進一步提高電池的效率,其研究主要側重于以下幾個方面。

          (1)異質(zhì)結能帶結構的優(yōu)化

          H1T電池與傳統(tǒng)電池最大的區(qū)別就是非晶硅與晶體硅構成的異質(zhì)結結構。通過設計異質(zhì)結界面的勢壘高度獲得合適的能帶結構,以提高電池的轉換效率。以Sanyo公司HIT電池為例,在(p)a-Si/(i)a-Si/(n)c-Si的異質(zhì)結結構中,非晶硅與單晶硅界面價帶位錯要小,以便收集空穴,同時導帶的位錯要盡可能大,以阻I七電子的通過。異質(zhì)結勢壘高度的設計主要是通過控制非晶硅薄膜的沉積參數(shù)來實現(xiàn)的。


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          關鍵詞: HIT 太陽能電池

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