<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 小占位提供更高電源?效率與開關(guān)頻率同樣重要

          小占位提供更高電源?效率與開關(guān)頻率同樣重要

          作者: 時(shí)間:2013-12-24 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          所有的電子產(chǎn)品都像我們這個(gè)世界一樣正在不斷縮小。隨著電路功能和集成度的提高,PCB板的空間變得彌足珍貴。主要的板空間要分配給應(yīng)用的內(nèi)核功能,這些應(yīng)用包括微處理器、FPGA、ASIC以及與其相關(guān)的高速數(shù)據(jù)通道和支持元件。雖然設(shè)計(jì)者并不想這樣做,但是卻必須壓縮到剩下的有限空間之內(nèi)。功能和密度的增加,耗電也相應(yīng)增加。這就為設(shè)計(jì)者帶來了一個(gè)很大的挑戰(zhàn),即如何以更小的占位提供更高的?

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/227296.htm

          答案說起來非常簡單:提高并同時(shí)提高。而實(shí)際上,這卻是一個(gè)很難解決的問題,因?yàn)楦叩?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/效率">效率和更高是互相排斥的。盡管如此,IR公司IR3847大電流負(fù)載點(diǎn)(POL)集成穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)者還是開發(fā)出來了采用集成型MOSFET的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器,該轉(zhuǎn)換器可以在一個(gè)緊湊的5×6 mm封裝中(如圖1),將IR第三代SupIRBuck系列的額定電流擴(kuò)展到25A。

          小占位提供更高電源?效率與開關(guān)頻率同樣重要

          圖1: IR3847 5x6 mm QFN封裝。

          這一解決方案拉動了三個(gè)領(lǐng)域的共同創(chuàng)新:IC封裝、IC開關(guān)穩(wěn)壓器電路設(shè)計(jì)和高效MOSFET。由于最新的熱增強(qiáng)型封裝采用銅片,控制器中的創(chuàng)新是針對大于1MHz的控制器和IR的最新一代,即12.5代 MOSFET,IR3847可以在無散熱器的情況下,在25A的電流下運(yùn)行,與采用控制器和功率MOSFET的分立式解決方案相比,又將PCB的尺寸縮減了70%。利用IR3847(圖2),在一個(gè)小至168mm2的面積內(nèi),現(xiàn)在可以實(shí)現(xiàn)完整的25A電源解決方案。

          小占位提供更高電源?效率與開關(guān)頻率同樣重要

          圖2: PCB面積的縮減。允許開關(guān)頻率提高到1MHz或者更高,但仍要采用高輸入電壓(如12V),這就需要一款新的專利型模塊架構(gòu),產(chǎn)生極小的導(dǎo)通時(shí)間脈沖。例如,將輸出功率從12V轉(zhuǎn)換至1V的1MHz設(shè)計(jì),要求具有83ns的脈沖寬度,這樣就可以容許極小的抖動。在這些條件下,標(biāo)準(zhǔn)的PWM機(jī)制通常會產(chǎn)生30~40ns的抖動,對于這些應(yīng)用而言,這樣的抖動時(shí)間是沒有意義的。IR3847內(nèi)的PWM調(diào)制電路僅產(chǎn)生4ns的抖動,與標(biāo)準(zhǔn)解決方案(圖3)相比,縮減了90%。這就實(shí)現(xiàn)了雙贏,即將輸出電壓紋波降低約30%的同時(shí),允許1MHz或更高的頻率/更高寬度的操作,實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸、更好的瞬態(tài)響應(yīng)并采用了更少量的輸出電容。

          小占位提供更高電源?效率與開關(guān)頻率同樣重要

          圖3: 抖動比較。

          新器件集成了IR公司最新一代的功率MOSFET,從而為具有15A~25A的應(yīng)用取得市場領(lǐng)先的電子性能,其峰值高于96%。為了達(dá)到市場領(lǐng)先的散熱性能,例如,在提供25A的電流時(shí),溫度僅僅上升50°C的低值,采用了公司獨(dú)有的封裝(圖4)。同步MOSFET轉(zhuǎn)換到“源極在下”配置,同時(shí)控制MOSFET卻保持著傳統(tǒng)的“漏極在下”配置。大多數(shù)的熱量是在同步MOSFET源中產(chǎn)生的,并且立即傳導(dǎo)出封裝,并降至底平面,而不是像競爭解決方案那樣,是要經(jīng)過硅芯片。這就有助于從控制MOSFET中傳熱同時(shí)降低MOSFET間開關(guān)結(jié)點(diǎn)之間連接的電阻。

          小占位提供更高電源?效率與開關(guān)頻率同樣重要

          圖4: 專利型封裝將熱傳導(dǎo)和電子傳導(dǎo)最大化。作為第三代SupIRBuck中的一員,這些器件符合工業(yè)市場中-40oC至125oC的工作結(jié)溫要求。它可能針對單輸入電壓(5V~21V)操作進(jìn)行配置,或者當(dāng)提供5V的外部偏壓時(shí),將輸入功率從1V轉(zhuǎn)換至21V。IR3847具有后部封裝高精度死區(qū)時(shí)間微調(diào)功能,將效率損耗降至最低,而且內(nèi)部智能LDO可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍上的效率優(yōu)化。真正的差分遠(yuǎn)程檢測對于大電流應(yīng)用(圖5)至關(guān)重要,在25°C至105°C的溫度范圍上,實(shí)現(xiàn)0.5%的基準(zhǔn)電壓精度,輸入前向和超低抖動相結(jié)合,可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)線壓、負(fù)載和溫度上高于3%的整體輸出電壓精度。其它高級特性還包括外部時(shí)鐘同步、定序、追蹤、輸出電壓容限、預(yù)偏壓啟動性能、實(shí)現(xiàn)輸入電壓感知、可調(diào)節(jié)OVP引腳和


          上一頁 1 2 下一頁

          關(guān)鍵詞: 電源 效率 開關(guān)頻率

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();