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          以提高自身響應(yīng)速度為目的磁控電抗器快速性研究

          作者: 時(shí)間:2013-12-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          (MCR)作為一種SVC裝置,主要應(yīng)用在補(bǔ)償系統(tǒng)無(wú)功、抑制電壓波動(dòng)和閃變等方面,因此快速性是其至關(guān)重要的一個(gè)特性。以提高可控在接入電網(wǎng)時(shí)自身響應(yīng)速度為目的,根據(jù)其工作原理,對(duì)其快速性展開了深入探討和研究,在快速勵(lì)磁基礎(chǔ)上,提出了

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/227330.htm

          快速去磁方法,通過EMTDC/PSCAD軟件進(jìn)行了仿真,并進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。結(jié)果表明其快速性得到了很好改善。

          1 引言

          可控并聯(lián)可簡(jiǎn)化系統(tǒng)無(wú)功電壓控制,抑制工頻過電壓和操作過電壓,動(dòng)態(tài)補(bǔ)償線路充電功率,抑制潛供電流等,能滿足系統(tǒng)多方面需求,因此具有廣闊的應(yīng)用前景。作為可控并聯(lián)電抗器,MCR具有適用電壓范圍寬、可靠性高、諧波小等顯著優(yōu)點(diǎn),是一種經(jīng)濟(jì)、高性能的靜止型無(wú)功補(bǔ)償裝置。但MCR的部分特性(如諧波特性、快速性)需要進(jìn)行改善,以便更好地應(yīng)用于電力系統(tǒng)。這里針對(duì)MCR的快速性展開了相應(yīng)探討和研究,并提出一種可快速勵(lì)磁及去磁的電路方案。

          2 MCR的工作原理及快速性

          2.1 MCR的工作原理

          MCR主鐵心分裂為兩半,即鐵心1和鐵心2,截面積為A,每一半鐵心截面積具有減小的一段,4個(gè)匝數(shù)為N/2的線圈分別對(duì)稱繞在兩個(gè)半鐵心柱上,半鐵心柱上的線圈總匝數(shù)為N,每一半鐵心柱的上下兩繞組各有一抽頭比為δ=N2/N的抽頭,它們之間接有晶閘管KP1(KP2)。不同鐵心上的上下兩個(gè)繞組交叉連接后,并聯(lián)至電網(wǎng)電源,續(xù)流二極管則橫跨在交叉端點(diǎn)上,對(duì)大容量的MCR而言,δ取值通常很小,因此KP1(KP2)的工作電壓遠(yuǎn)小于其額定電壓。圖1為MCR結(jié)構(gòu)電路。

          以提高自身響應(yīng)速度為目的磁控電抗器快速性研究

          在整個(gè)容量調(diào)節(jié)范圍內(nèi),只有小面積段的磁路飽和,其余段均處于未飽和的線性狀態(tài),通過改變小截面段磁路的飽和程度來(lái)改變電抗器容量。在電源的一個(gè)工頻周期內(nèi),KP1,KP2輪流導(dǎo)通,起到了全波整流的作用,二極管起續(xù)流作用。改變KP1,KP2的觸發(fā)角便可改變控制電流的大小,從而改變電抗器鐵心飽和度,以平滑連續(xù)地調(diào)節(jié)電抗器容量。2.2 電抗器的快速性

          MCR的響應(yīng)時(shí)間決定于:n=(1-δ)/(2δ),n為MCR容量從空載到額定值所需的工頻周期數(shù)。

          可見,n與MCR的抽頭比6成反比。對(duì)大容量MCR而言,δ取值通常很小,并且在實(shí)際應(yīng)用中考慮到MCR的有功損耗,其響應(yīng)時(shí)間約在0.19~0.66s。但當(dāng)MCR應(yīng)用在抑制電壓閃變、自動(dòng)調(diào)諧消弧線圈、動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償?shù)确矫鏁r(shí),此響應(yīng)時(shí)間顯然不滿足工況要求,因此需要有更快的響應(yīng)速度,在一個(gè)工頻周期內(nèi)達(dá)到額定工作狀態(tài),即快速勵(lì)磁,并且需要它從額定狀態(tài)到空載的響應(yīng)速度也在一個(gè)工頻周期內(nèi),即快速去磁。

          3 快速勵(lì)磁及去磁工作原理

          基于上述分析,提出MCR快速勵(lì)磁及去磁的等效電路,如圖2所示。電路由升壓斬波電路(主要用于給電容儲(chǔ)能)、電容C和V2構(gòu)成的快速勵(lì)磁電路、由去磁電阻R2和V4構(gòu)成的快速去磁電路,及MCR本體的工作回路和控制回路組成。

          以提高自身響應(yīng)速度為目的磁控電抗器快速性研究

          該電路具體工作原理為:

          狀態(tài)1 根據(jù)MCR具體的應(yīng)用電壓等級(jí)場(chǎng)合,來(lái)選擇升壓斬波電路中的電壓源值,并調(diào)節(jié)其內(nèi)部IGBT的導(dǎo)通占空比,使C上電壓值滿足在控制電源電壓值最大時(shí),其放電時(shí)間不少于一個(gè)工頻周期(20 ms)。待電容電壓值穩(wěn)定后,此時(shí)C上的儲(chǔ)能為:,U0為電容上電壓值。此狀態(tài)內(nèi)V1,V2和V4處于斷開狀態(tài),V3閉合。

          狀態(tài)2 當(dāng)電力系統(tǒng)發(fā)生電壓波動(dòng),需要MCR工作來(lái)補(bǔ)償無(wú)功時(shí),V2導(dǎo)通,C向控制繞組(電感L)放電,要讓L中的電流在極短時(shí)間內(nèi)從零變?yōu)橐欢ㄖ?,由WL=LI2/2可知,需快速給控制繞組儲(chǔ)能。這就需要電容和電感間迅速的能量傳遞。其又為一個(gè)二階等效電路,具體數(shù)學(xué)模型為:

          以提高自身響應(yīng)速度為目的磁控電抗器快速性研究式中:RL為控制

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