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          【技術(shù)視點】開關(guān)電源設(shè)計原理及全過程

          作者: 時間:2013-10-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          etica, sans-serif; font-size: 14px; line-height: 26px; background-color: rgb(255, 255, 255); ">  假設(shè)使用0.23ψ的線

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/228118.htm

            可繞圈數(shù)=

            若NA1=6Tx2P,則輔助電源=11.4V

            決定MOSFET及二次側(cè)二極體的Stress(應(yīng)力):

            MOSFET(Q1)=最高輸入電壓(380V)+=

            =463.6V

            Diode(D5)=輸出電壓(Vo)+x最高輸入電壓(380V)=

            =20.57V

            [#page#]

            Diode(D4)=

            ==41.4V

            其它:

            因為輸出為3.3V,而TL431的Vref值為2.5V,若再加上photocoupler上的壓降約1.2V,將使得輸出電壓無法推動Photocoupler及TL431,所以必須另外增加一組線圈提供回授路徑所需的電壓?! 〖僭O(shè)NA2=4T使用0.35ψ線,則

            可繞圈數(shù)=,所以可將NA2定為4Tx2P

            變壓器的接線圖:

            3.3零件選用:

            零件位置(標注)請參考線路圖:(DA-14B33Schematic)

            3.3.1FS1:

            由變壓器計算得到Iin值,以此Iin值(0.42A)可知使用公司共用料2A/250V,設(shè)計時亦須考慮Pin(max)時的Iin是否會超過保險絲的額定值。

            3.3.2TR1(熱敏電阻):

            電源啟動的瞬間,由於C1(一次側(cè)濾波電容)短路,導(dǎo)致Iin電流很大,雖然時間很短暫,但亦可能對Power產(chǎn)生傷害,所以必須在濾波電容之前加裝一個熱敏電阻,以限制開機瞬間Iin在Spec之內(nèi)(115V/30A,230V/60A),但因熱敏電阻亦會消耗功率,所以不可放太大的阻值(否則會影響效率),一般使用SCK053(3A/5Ω),若C1電容使用較大的值,則必須考慮將熱敏電阻的阻值變大(一般使用在大瓦數(shù)的Power上)。

            3.3.3VDR1(突波吸收器):

            當雷極發(fā)生時,可能會損壞零件,進而影響Power的正常動作,所以必須在靠AC輸入端(Fuse之後),加上突波吸收器來保護Power(一般常用07D471K),但若有價格上的考量,可先忽略不裝。

            3.3.4CY1,CY2(Y-Cap):

            Y-Cap一般可分為Y1及Y2電容,若ACInput有FG(3Pin)一般使用Y2-Cap,ACInput若為2Pin(只有L,N)一般使用Y1-Cap,Y1與Y2的差異,除了價格外(Y1較昂貴),絕緣等級及耐壓亦不同(Y1稱為雙重絕緣,絕緣耐壓約為Y2的兩倍,且在電容的本體上會有"回"符號或注明Y1),此電路因為有FG所以使用Y2-Cap,Y-Cap會影響EMI特性,一般而言越大越好,但須考慮漏電及價格問題,漏電(LeakageCurrent)必須符合安規(guī)須求(3Pin公司標準為750uAmax)。

            3.3.5CX1(X-Cap)、RX1:

            X-Cap為防制EMI零件,EMI可分為Conduction及Radiation兩部分,Conduction規(guī)范一般可分為:FCCPart15JClassB、CISPR22(EN55022)ClassB兩種,F(xiàn)CC測試頻率在450K~30MHz,CISPR22測試頻率在150K~30MHz,Conduction可在廠內(nèi)以頻譜分析儀驗證,Radiation則必須到實驗室驗證,X-Cap一般對低頻段(150K~數(shù)M之間)的EMI防制有效,一般而言X-Cap愈大,EMI防制效果愈好(但價格愈高),若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf),安規(guī)規(guī)定必須要有泄放電阻(RX1,一般為1.2MΩ1/4W)。

            3.3.6LF1(CommonChoke):

            EMI防制零件,主要影響Conduction的中、低頻段,設(shè)計時必須同時考慮EMI特性及溫昇,以同樣尺寸的CommonChoke而言,線圈數(shù)愈多(相對的線徑愈細),EMI防制效果愈好,但溫昇可能較高。 3.3.7BD1(整流二極體):

            將AC電源以全波整流的方式轉(zhuǎn)換為DC,由變壓器所計算出的Iin值,可知只要使用1A/600V的整流二極體,因為是全波整流所以耐壓只要600V即可。

            3.3.8C1(濾波電容):

            由C1的大小(電容值)可決定變壓器計算中的Vin(min)值,電容量愈大,Vin(min)愈高但價格亦愈高,此部分可在電路中實際驗證Vin(min)是否正確,若ACInput范圍在90V~132V(Vc1電壓最高約190V),可使用耐壓200V的電容;若ACInput范圍在90V~264V(或180V~264V),因Vc1電壓最高約380V,所以必須使用耐壓400V的電容。

            Re:開關(guān)電方設(shè)計過祘

            3.3.9D2(輔助電源二極體):

            整流二極體,一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V),兩者主要差異:



          關(guān)鍵詞: 開關(guān)電源 PWM 晶體管

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