基于L6562的高功率因數(shù)boost電路的設(shè)計
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設(shè)Ku=0．3，δBmax=0．3T，由(4)式計算得：
AP_req(min)=6．64×10-10m4
這樣，可選擇磁芯EE16／6／5，其AP=7．5×10-10m4，可滿足設(shè)計要求；而由(5)式計算得Np=218．1匝，取215匝，并驗證δBmax=0．304T，氣隙lgap=0．41 mm。
根據(jù)以上計算參數(shù)所搭建的試驗?zāi)Ｐ蛠磉M行的結(jié)果如圖6所示。
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由圖6可見，輸入電流能良好的跟隨輸入電壓，且電流電壓相位差接近于零，故可實現(xiàn)高功率因數(shù)的控制。另外，MOSFET的電流是一種高頻三角波，其包絡(luò)為輸入電壓。由于MOSFET可實現(xiàn)軟開關(guān)，能有效減小開關(guān)損耗。根據(jù)測試結(jié)果，該電路的PF可達0．998以上，THD在5％以下。
5 結(jié)束語
本文基于L6562芯片設(shè)計了Boost高功率因數(shù)電路，并引用AP法則設(shè)計其關(guān)鍵元器件——Boost電感。經(jīng)試驗驗證，該電路啟動電流小，外圍元器件少，成本低廉，能同時滿足電源系統(tǒng)重量輕，穩(wěn)定性好，可靠性高等要求。實驗證明，AP法則是一種快速準確的設(shè)計方法。
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