高頻開關(guān)的集成電路直接驅(qū)動
?。?)應用條件。驅(qū)動芯片的浮地端可以與MOSFET源端同電位相連,驅(qū)動芯片PWM功率輸出級能拉、灌電流500 mA,一般可以直接驅(qū)動數(shù)十安的MOSFET和IGBT。
?。?)電路,其電路如圖1所示,其中V3為被驅(qū)動的MOSFET,V1提供“拉”電流,V2提供“灌”電流。R1(5~10Ω)用米限制峰值電流,以減小尖峰干擾。R2為靜態(tài)放電電阻(1≈100 kΩ),電路不通電時,保證CGS處在無電壓狀態(tài),以防止V3長期處于導通狀態(tài),并使柵-源之間處在低電阻狀態(tài),不易受到外界的干擾,或使柵一源擊穿。
圖1直接驅(qū)動電路
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