最新超級電容儲能模塊設(shè)計(jì)方案

　　超級電容是近幾年才批量生產(chǎn)的一種新型電力儲能器件，也稱為電化學(xué)電容。它既具有靜電電容器的高放電功率優(yōu)勢又像電池一樣具有較大電荷儲存能力，單體的容量目前已經(jīng)做到萬法拉級。同時(shí)，超級電容還具有循環(huán)壽命長、功率密度大、充放電速度快、高溫性能好、容量配置靈活、環(huán)境友好免維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。隨著超級電容性能的提升，它將有望在小功耗電子設(shè)備、新能源利用以及其他一些領(lǐng)域中部分取代傳統(tǒng)蓄電池。

　　本文介紹了一種基于超級電容設(shè)計(jì)的用以替代12V蓄電池的超級電容模塊，通過計(jì)算分析得出模塊的組合結(jié)構(gòu)、最佳充電電流范圍、充電時(shí)間以及總的輸出能量。該模塊具有壽命長，不造成污染，功率和能量密度大等優(yōu)點(diǎn)，具有很好的開發(fā)應(yīng)用前景。

　　一、 超級電容儲能模塊的設(shè)計(jì)

　　由于超級電容的放電不完全，存在最低工作電壓Umin，所以單體超級電容的能量為，其中C為超級電容的單體電容量，Umax為單體超級電容充電完成的電壓值。

　　超級電容器單體儲存能量有限且耐壓不高，需要通過相應(yīng)的串連并聯(lián)方法擴(kuò)容，擴(kuò)大超級電容的使用范圍。而通過相應(yīng)的DC-DC芯片可以提高超級電容的最低工作電壓。假設(shè)超級電容以m個(gè)串聯(lián)，n組并聯(lián)的方式構(gòu)成。則每個(gè)超級電容的能量輸出為

　　 （1）

　　其中，Uic_min為芯片的最低啟動(dòng)電壓。故超級電容陣列的能量總輸出為Wall=mgngW，Wall為超級電容的總能量。

　　本文采用SU2400P-0027V-1RA超級電容，具有較高的功率比、能量比和較低的等效串聯(lián)電阻（ESR（DC）=1mΩ）。為了構(gòu)成替代12V蓄電池的超級電容模塊，我們采用8個(gè)2400F/2.7V的電容構(gòu)成模塊，采用4個(gè)超級電容單體串聯(lián)，兩組并聯(lián)的方式構(gòu)成，如圖1所示。

　　圖1 8個(gè)2400F/2.7V電容構(gòu)成的模塊

　　二 超級電容器的特性

　　超級電容器的特性，如功率密度、能量密度、儲能效率、循環(huán)壽命等，取決于器件內(nèi)部的材料、結(jié)構(gòu)和工藝，器件并聯(lián)或串聯(lián)不會影響其特性。其等效串聯(lián)內(nèi)阻

　　 （2）

　　其中，Ns為串聯(lián)器件數(shù)，Np為并聯(lián)支路數(shù)。

　　超級電容器組的等效電容為：

　　 （3）

　　故超級電容陣列的等效內(nèi)阻和等效電容為，Rarray=2mΩ，Carray=1200F

　　將超級電容模塊的容量與蓄電池的容量參數(shù)的比較，由

　　 （4）

　　得到對應(yīng)于蓄電池安時(shí)數(shù)的超級電容陣列容量為，其中Umin為相應(yīng)的芯片的最低啟動(dòng)電壓。

　　三、相關(guān)電路的設(shè)計(jì)

　　電路的總體構(gòu)圖如圖3所示，它包括充電電路、超級電容儲能模塊和工作放電電路等部分組成，其設(shè)計(jì)流程圖如圖2所示。

　　圖2 電路設(shè)計(jì)流程

　　3.1 充電電路

　　把超級電容等效為一個(gè)理想電容器C;與一個(gè)較小阻值的電阻（等效串聯(lián)阻抗，Res）相串聯(lián)，同時(shí)與一個(gè)較大阻值的電阻（等效并聯(lián)阻抗，Rep）相并聯(lián)的結(jié)構(gòu)。如圖3所示。

　　圖3 充電電路

　　超級電容可以進(jìn)行大電流充電，但是由于串聯(lián)等效電阻的存在，采用過大電流充電時(shí)，超級電容的充電效率會有一定程度的降低，因此需要考慮充電電流對超級電容的工作效率的影響。

　　采用恒流充電時(shí)，如圖3所示，Is為恒流充電電流值，則

　　 （5）

　　u（t）表示超級電容器端電壓，uc（t）表示超級電容器內(nèi)儲存電荷所決定的電容電壓

　　 （6）

　　其中Uc1=0V，為超級電容的初電壓，ISxRES表示在等效串聯(lián)電阻Res上的壓降。

　　充電過程中消耗的總電能為

　　 （7）

　　超級電容器存儲的能量為

　　 （8）

　　由能量守恒公式，等式Wc+Ws=Wh成立，理想情況下，超級電容器的恒流充電效率表示為：

　　 （9）

　　采用matlab對超級電容的充電電流和工作效率進(jìn)行模擬，并采用origin軟件對結(jié)果進(jìn)行處理，結(jié)果如下：

　　圖4 充電電流與充電效率η的關(guān)系

　　由圖4可知，超級電容單體在充電電流為3A~8A時(shí)保持比較高的充電效率，之后，隨著電流強(qiáng)度的增大，損耗在相應(yīng)電阻上的功率也隨之增大，充電效率逐漸下降。

　　根據(jù)上面的結(jié)果，我們采用L4970A芯片構(gòu)成相關(guān)的充電電路對超級電容進(jìn)行充電，如圖5所示，該電路可以提供10A的恒流充電電流，其輸出電壓由電阻R7和R9確定。

　　圖5 采用L4970A芯片構(gòu)成相關(guān)的充電電路對超級電容進(jìn)行充電

　　L4970A是ST公司推出的第二代單片開關(guān)穩(wěn)壓器，具有輸出電流大，輸入電壓范圍寬，開關(guān)頻率高等特點(diǎn)，具有很高的充電效率。市電220V通過整流濾波之后輸出35V的直流電壓，隨后通過圖5所示電路。如圖所示，C1和C2為輸入端濾波電容，C3、C4分別為驅(qū)動(dòng)級啟動(dòng)端和Vref端的濾波電容。R1和R2構(gòu)成復(fù)位輸入端的電阻分壓器，C5為軟啟動(dòng)電容，C6為復(fù)位延遲電容。C8和R3構(gòu)成誤差放大器的頻率補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)，C7則用于高頻補(bǔ)償。R4和C9分別為定時(shí)電阻和定時(shí)電容。C10為自舉電容。續(xù)流二極管VD采用MBR2080型（20A/80V）的肖特基二極管。C11和R5構(gòu)成吸收網(wǎng)絡(luò)，R6為復(fù)位輸出端的內(nèi)部晶體管的集電極電阻。C12~C14為輸出端濾波電容，并聯(lián)三只相同的220μF/40V的電解電容以降低其等效電感。

　　L4970A芯片的輸出電壓設(shè)定為10.8V，其輸出電阻R7由下式確定：，其中R9=4.7K，令Uo=10.8V，則R7=5.25K，取標(biāo)稱值5.1K。

　　超級電容的充電的時(shí)間根據(jù)公式C x dv=I x t，其中C為超級電容的額定容量，dv為超級電容的電壓變化，I為超級電容的充電電流，t為充電時(shí)間。故超級電容陣列的充電時(shí)間為（充電電流為10A的情況下）

　　t=（C x dv）/I=（2200x2.7x4）x2/10=4752s

　　3.2 穩(wěn)壓輸出電路

　　由于代替的蓄電池模塊的輸出電壓為12V，而超級電容的電壓為10.8V，且隨著超級電容工作不斷放電，其兩端的電壓將不斷降低，當(dāng)超級電容釋放儲能的50%的能量時(shí)， 其端電壓將下降到初始電壓的70%。因此需要相應(yīng)的升壓控制電路避免由于超級電容陣列電壓的降低影響負(fù)載的正常運(yùn)行，提高超級電容儲能的利用率。

　　圖6 穩(wěn)壓輸出電路

　　我們采用MAXIM公司的升壓型dc/dc芯片MAX668。MAX668具有很寬的輸入輸出電壓范圍，它可以將3~12V的輸入電壓升高到12V輸出，同時(shí)，由于其采用了低至100mV的電流檢測電壓和MAXIM公司特有的空閑模式，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)90%以上，具有最高1A的電流輸出能力，升壓電路如圖6所示。

　　MAX668為固定頻率，電流反饋型PWM控制器，內(nèi)部采用雙極型CMOS多輸入比較器，可同時(shí)處理輸出誤差信號、電流檢測信號和斜率補(bǔ)償信號，由于省去了傳統(tǒng)的誤差放大器，從而抑制了由誤差放大產(chǎn)生的相移。MAX668能夠驅(qū)動(dòng)