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          最新超級電容儲能模塊設(shè)計方案

          作者: 時間:2012-06-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          種類型的N溝道MOSFET,這里選擇的是FDS6680。由于芯片工作在100 kHz 以上的高頻狀態(tài),所以二極管D1應(yīng)選取可高速關(guān)斷的肖基特二極管,本文選擇的是MBR5340T3。

            超級以4個串聯(lián),2組并聯(lián)的方式構(gòu)成。每個超級的能量輸出為

            最新超級電容儲能模塊設(shè)計方案

            其中最新超級電容儲能模塊設(shè)計方案 ,Uic_min為芯片的最低啟動電壓。

            故超級陣列的能量總輸出為,Wall=mgngW=4x2x7400=59200J,

            超級電容陣列的容量為最新超級電容儲能模塊設(shè)計方案

            本超級電容替代模塊的容量為10Ah,最大輸出電流為1A,若要擴大其應(yīng)用范圍只需要改變超級電容的串并聯(lián)數(shù)量和相應(yīng)的芯片即可。

            四、總結(jié)

            由于容量的限制, 電容的作用一直被限制在濾波、耦合、諧振等方面。隨著超級電容的發(fā)展,其應(yīng)用范圍得到不斷拓寬。本文介紹了一種替代蓄電池的超級電容模塊,通過合理地設(shè)計充電和穩(wěn)壓電路,該模塊的能量輸出可達到59200J,具有穩(wěn)定性好,轉(zhuǎn)換效率高等特點。通過matlab軟件計算本文充電電路的電流與效率之間關(guān)系,并確定最佳的充電電流范圍。隨著超級電容耐壓的提升、容量的擴大和價格的降低,相應(yīng)的小功率模塊具有很好的應(yīng)用前景。

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