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測量并抑制存儲器件中的軟誤差研究

作者：時間：2012-05-25 來源：網(wǎng)絡(luò)

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結(jié)語

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/230440.htm

隨著加工工藝尺寸的日益縮小，“軟”誤差對存儲器件的影響已經(jīng)從原先的“無關(guān)緊要”演變成為系統(tǒng)設(shè)計中需要加以認真考慮的重要事項。賽普拉斯等SRAM售主已經(jīng)在工藝開發(fā)和產(chǎn)品設(shè)計當(dāng)中采取了相應(yīng)的對策，以求最大限度地降低器件對SER的敏感度，并由此將SRAM的應(yīng)用范圍擴展到遠遠小于90nm的工藝幾何尺寸。憑借在系統(tǒng)設(shè)計和產(chǎn)品設(shè)計水平的正確對策，SRAM仍將是多代工藝中一種可行的存儲器解決方案。

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關(guān)鍵詞：測量 存儲器 誤差

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