使用創(chuàng)新性邏輯技術降低移動設計功耗
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
低ICCT技術有利于節(jié)能
目前，大多數(shù)便攜設備都備有多個電源軌，但在輸入高電平(VIH)低于電源電壓(VCC)時，仍可能產生不定功耗。當輸入電壓為電源軌電平(VIL = Gnd 或 VIH = VCC)時，CMOS一般具有極低的靜態(tài)ICC和泄漏電流，故是移動應用中邏輯器件的首選技術。不過，若VIH VCC，會發(fā)生這種情況：輸入級的PMOS和NMOS晶體管可能均在不同級“導通”，此時傳導電流，在這個狀態(tài)期間，靜態(tài)電流ICC增加，存在一條從VCC到Gnd的路徑。這個增加的電流被稱為ICCT電流，亦是輸入電壓逼近閾值時的電源電流。圖1描述了這種情況。
圖1 邏輯門和輸入電壓條件
注釋：*輸入電壓等于電源電壓Vcc時為使用CMOS門電路的理想狀態(tài)；這時ICC電流極低。
*在混合電壓情況下，若Vin VCC，ICCT電流出現(xiàn)，功耗也隨之產生。
一般在CMOS門電路的設計中，輸入電壓閾值或輸入切換點為VCC/2；不過，飛兆半導體的低ICCT門電路采用專有的輸入電壓設計，可降低輸入閾值電壓，增大輸入電壓范圍，同時不影響有效邏輯低電平VIL。如前所述，當輸入電壓為0V或VCC時，CMOS門電路的耗電量極低，而產品數(shù)據(jù)手冊通常會注明該條件下的ICC。因此，系統(tǒng)設計人員在VIH值小于VCC時看到ICC電流增大可能頗為驚訝。圖2顯示了一個重新設計的輸入結構的優(yōu)點。
VIN - ICC圖比較了一個標準CMOS輸入器件(紅色線條)和一個低ICCT輸入器件(藍色線條)。靜態(tài)功率由基本DC功率公式決定：P = ICC * VCC。在本例中，輸入VIH為2.5V，標準CMOS門電路輸入的功耗等于3.0mW (3.6V x 0.83mA) ，而低ICCT門電路的功耗只有0.003mW (3.6V x 0.99uA)；也就是說，利用Low ICCT器件，靜態(tài)功耗降低了100%。
圖2 ICC -VIN輸入曲線 (Vcc = 3.6V, VIN = 2.5V)
ICC電流的增大十分重要，因為它會大幅度增加器件的靜態(tài)功耗。飛兆半導體的專有低ICCT輸入結構可在ICCT電流出現(xiàn)期間限制其范圍，如圖2所示。
表1 不同VIH條件下的節(jié)能潛力
ICCT 電流 | ||||
VCC | VIN | 標準 CMOS 門電路 | 低ICCT 門電路 | 節(jié)能 |
3.6 | 3.6 | 5.1 nA | 1.5 nA | 70% |
3.6 | 2.5 | 830 uA | 996 pA | 100% |
3.6 | 1.8 | 7.0 mA | 2.7 uA | 100% |
3.6 | 1.5 | 2.8 mA | 3.5 uA | 100% |
2.5 | 2.5 | 1.2 nA | 983 pA | 23% |
2.5 | 1.8 | 21.4 uA | 39.2nA | 100% |
2.5 | 1.5 | 417 uA | 577 nA | 100% |
1.8 | 1.8 | 835 pA | 656 pA | 21% |
1.8 | 1.5 | 2.6 nA | 713 pA | 73% |
1.8 | 1.2 | 2.6 uA | 4.6 nA | 100% |
表1比較了不同VCC/VIN條件下的ICCT電源電流級。從表中可看出，飛兆半導體的低ICCT門電路具有很大的節(jié)能潛力。在混合電壓系統(tǒng)中，利用低ICCT門電路，與邏輯門電路相關的功耗可降至微不足道。
請參考表2列出的低ICCT門電路供貨情況。根據(jù)需要可以提供額外的功能。當現(xiàn)有應用因前面討論的輸入條件而出現(xiàn)功耗過大時，用戶可利用標準引腳輸出，直接簡便地進行替換。
表2 飛兆半導體的NC7SVL 低ICCT門電路
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