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          單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

          作者: 時(shí)間:2011-08-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            目前,為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流,設(shè)計(jì)人員一般會(huì)設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性,也很難使用高壓集成電路(HVIC)柵驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)檫@些IC是專(zhuān)為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此,研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動(dòng)器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開(kāi)發(fā)出來(lái)了。器件與負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)IGBT進(jìn)行性能表現(xiàn)的比較測(cè)試,在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測(cè)試結(jié)果。

            為了理解dV/dt感生開(kāi)通現(xiàn)象,我們必須考慮跟IGBT結(jié)構(gòu)有關(guān)的電容。圖1顯示了三個(gè)主要的IGBT寄生電容。集電極到發(fā)射極電容C,集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容CGE。


          單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

          圖1 IGBT器件的寄生電容

            這些電容對(duì)橋式變換器設(shè)計(jì)是非常重要的,大部份的IGBT數(shù)據(jù)表中都給出這些參數(shù):

            輸出電容,COES=CCE+CGC(CGE短路)

            輸入電容,CIES=CGC+CGE(CCE短路)

            反向傳輸電容,CRES=CGC

          單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

          圖2 半橋電路

          圖2給出了用于多數(shù)變換器設(shè)計(jì)中的典型半橋電路。集電極到柵極電容C和柵極到發(fā)射極電容C組成了動(dòng)態(tài)分壓器。當(dāng)高端IGBT(Q2)開(kāi)通時(shí),低端IGBT(Q1)的發(fā)射極上的dV/dt會(huì)在其柵極上產(chǎn)生正電壓脈沖。對(duì)于任何IGBT,脈沖的幅值與柵阻抗和dV/dt的實(shí)際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計(jì)對(duì)減小C和C的比例非常重要,它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。

            如果dV/dt感生電壓峰值超過(guò)IGBT的閥值,Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗,因?yàn)榇藭r(shí)集電極到發(fā)射極的電壓很高。

            為了減小dV/dt感生電流和防止器件開(kāi)通,可采取以下措施:

            關(guān)斷時(shí)采用柵極負(fù)偏置,可防止電壓峰值超過(guò)V,但問(wèn)題是會(huì)更復(fù)雜。

            減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。
            減小本征JFET的影響

            圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計(jì)的典型IGBT電容曲線。CRES曲線(及其他曲線)表明一個(gè)特性,電容一直保持在較高水平,直到V接近15V,然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau) 特性,C的實(shí)際值就可以進(jìn)一步減小。

            這種現(xiàn)象是由IGBT內(nèi)部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可以最小化,C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實(shí)際的CRES,即減小dV/dt感生開(kāi)通對(duì)IGBT的影響。

          單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路

          圖3 需負(fù)偏置關(guān)斷的典型IGBT的寄生電容與V的關(guān)系。

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