<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設(shè)計應(yīng)用 > 單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          作者: 時間:2011-08-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          GP30B120KD-E">GP30B120KD-E" title="GP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E" title="IRGP30B120KD-E">IRGP30B120KD-E是一個備較小C和經(jīng)改良JFET的典型IGBT。這是一個1200V,30A NPT IGBT。它是一個Co-Pack器件,與一個反并聯(lián)超快軟恢復(fù)二極管共同配置于TO-247封裝。

           設(shè)計人員可減小多晶體柵極寬度,降低本征JFET的影響,和使用元胞設(shè)計幾何圖形,從而達到以上的目標(biāo)。

          對兩種1200V NPT IGBT進行比較:一種是其他公司的需負偏置關(guān)斷的器件,一種是IR公司的NPT單正向柵驅(qū)動IRGP30B120KD-E。測試結(jié)果表明其他公司的器件在源電阻為56?下驅(qū)動時,dV/dt感生電流很大。

          比較寄生電容的數(shù)據(jù),IR器件的三種電容也有減?。骸?/P>

           輸入電容,CIES減小25%
            輸出電容,COES減小35%
            反向傳輸電容,CRES減小68%

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖4 寄生電容比較

          圖5顯示出IR器件的減小電容與V的關(guān)系,得出的平滑曲線是由于減小了JFET的影響。當(dāng)V=0V時,負偏置柵驅(qū)動器件的C為1100pF,IRGP30B120KD-E只有350pF,當(dāng)VCE=30V時,負偏置柵驅(qū)動器件的C為170pF,IRGP30B120KD-E的CRES為78pF。很明顯,IRGP30B120KD-E具有非常低的C,因此在相同的dV/dt條件下dV/dt感生電流將非常小。
          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖5 IRGP30B120KD-E寄生電容與VCE的關(guān)系

          圖6的電路用來比較測試兩種器件的電路性能。兩者的dV/dt感生電流波形也在相同的dV/dt值下得出。

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖6 dV/dt感生開通電流的測試電路

          測試條件:

            電壓率,dV/dt=3.0V/nsec
            直流電壓,Vbus=600V
            外部柵到發(fā)射極電阻Rg=56?
            環(huán)境溫度,TA=125°C

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖7 其他公司的IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的18A峰值

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖8 IRGP30B120KD-E IGBT的低端IGBT開關(guān)電壓和dV/dt感生電流的1.9A峰值

          dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅(qū)動設(shè)計的優(yōu)勝之處。但在這個測試中,Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內(nèi)。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響,我們只利用相同的分立式反并聯(lián)二極管再重復(fù)測試,如圖9中的Ice(cntrl)。

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖9 利用相同的分立式Co-Pack二極管產(chǎn)生的dV/dt感生電流

          圖10顯示出在沒有IGBT情況下,負偏置柵驅(qū)動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅(qū)動器的I電流。兩種情況下的電流都很低,分別為1A和0.8A。

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖10 其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖11 IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內(nèi)的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流0.8A峰值

          如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流,結(jié)果是

          I(負偏置柵驅(qū)動IGBT)= 18-1 = 17A

            I(IRGP30B120KD-E)= 1.9-0.8 = 0.8A

            可見總的減小為17:0.8 = 21:1

            在相同的測試條件下,當(dāng)柵電壓是在0V或單正向柵驅(qū)動情況下,IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1。如果IGBT采用這種方式驅(qū)動,電流很小,對功耗的影響幾乎可以忽略。

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖12 柵驅(qū)動波形

          采用單正向柵驅(qū)動IGBT有下列好處:

            不需要負偏置
            驅(qū)動器電路成本更低
            更高的柵抗噪聲功能
            更高的dV/dt耐容
            與不能提供負偏置驅(qū)動的IR單片式柵驅(qū)動器兼容

            

          單正向柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路

          圖13 具有電平轉(zhuǎn)換的柵驅(qū)動IC電路

          上述設(shè)計對PT和NPT IGBT同樣有效。

            結(jié)論:

            單正向柵驅(qū)動IGBT是器件發(fā)展的巨大進步。IRGP30B120KD-E的C值很低,在單正向柵驅(qū)動條件下,其開關(guān)性能非常理想。器件不需要負偏置柵驅(qū)動便能可靠關(guān)斷,即使在集電極的dV/dt為3V/ns。與單片式柵驅(qū)動器的兼容性更為橋式變換器和交流電機驅(qū)動提供更優(yōu)越和成本更低的解決方案。所以我們期望這些先進的IGBT能為新的IC設(shè)計提供更大的優(yōu)勢。


          上一頁 1 2 下一頁

          關(guān)鍵詞: 驅(qū)動電路 IRGP30B120KD-E IR

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();