為帶USB接口的手機(jī)提供全方位保護(hù)和充電解決方案
USB充電器接口的電氣特性
新規(guī)則要求所有的手機(jī)都為電池充電和數(shù)據(jù)傳輸提供USB接口。但是,手機(jī)供應(yīng)商在決定手持設(shè)備本身的接口方面具有一定的靈活性。如果該接口不符合USB A類(lèi)連接器標(biāo)準(zhǔn),則務(wù)必提供帶USB連接的適配器電纜。使用這種USB接口時(shí),不僅手機(jī)可以用通用充電器充電,也可以通過(guò)其它USB主機(jī)(如筆記本電腦)充電。對(duì)于在中國(guó)商務(wù)旅游的人士而言,這是一個(gè)驚喜,因?yàn)樗麄兊男欣钕渲亓靠梢陨晕⒌玫綔p輕了!
新規(guī)則對(duì)輸出電壓特性進(jìn)行了定義。充電器的額定輸出電壓應(yīng)為5V,偏差為±5%。這意味著手機(jī)連接器端的輸入電壓應(yīng)保持在4.75V~5.25V之間。此外,手機(jī)的最大輸入電流應(yīng)限定為1.8A。目前,鋰離子或鋰聚合體電池組的額定值保持在900mAh左右,因此要求充電電流低于1A。但是,設(shè)置一個(gè)1.8A的較高輸入電流限制為以后的發(fā)展留出了空間。由于在可預(yù)見(jiàn)的將來(lái)充電電流有望增加,將需要具有更高容量的新電池組以支持新3G手機(jī)的高功耗多媒體功能。如上文所述,USB主機(jī)可以連接至手機(jī)上的USB接口進(jìn)行電池充電或數(shù)據(jù)傳輸。手機(jī)是如何區(qū)分USB端口與電源適配器,并且是如何選擇正確的輸入電流限制的呢?該規(guī)則要求電源適配器同時(shí)配備D+和D-線路,并短接在充電器內(nèi)部。當(dāng)數(shù)據(jù)線未短路時(shí),手機(jī)將識(shí)別出源是USB端口,因此會(huì)將輸入電流限制為最高值500mA以符合USB標(biāo)準(zhǔn)。
手機(jī)內(nèi)部充電電路的要求
雖然我們通常稱(chēng)電源適配器為“充電器”,但實(shí)際上充電電路在手機(jī)內(nèi)部。假定適配器提供的最低電壓為4.75V,鋰電池的最高電壓為4.2V。這就在電源輸入(Vin)和電池之間留出了0.55V的電壓裕量。
圖1:手機(jī)中的電源管理單元控制的典型充電電路。 |
如圖1所示,充電由終端的PMU(電源管理單元)控制,MOSFET充當(dāng)充電電流的傳輸元件。MOSFET和電池之間連接了一個(gè)肖特基二極管,以便切斷關(guān)斷時(shí)通過(guò)MOSFET內(nèi)部體二極管的反向漏電流通路。這里計(jì)算一下通過(guò)這個(gè)充電電路中的兩個(gè)傳輸元件(MOSFET和肖特基二極管)的壓降:
Vdropout=充電電流×Rds(on)+Vforward=1A×Rds(on)+Vf
假設(shè)Vf的典型值為0.35V,并且Vdropout低于0.5V(目的是保持在0.55V的電壓裕量?jī)?nèi)),我們需要一個(gè)Rds(on)小于150mΩ的MOSFET(也就是說(shuō)要求MOSFET的壓降必須小于0.15V)。
我們可以觀察到,肖特基二極管促成了0.35V的極高壓降。隨著充電電流的增加,這很快會(huì)成為一個(gè)阻塞點(diǎn)。通過(guò)用具有低V CE(Sat)的晶體管或者具有低Rds(on)的MOSFET代替肖特基二極管,從而符合USB充電器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的有限電壓裕量,可以降低傳輸元件上的壓降。一些傳輸元件解決方案如圖2所示。
圖2:NSS12600CF8T1G是一個(gè)具有低VCE(Sat)(0.1V)的晶體管,可以用作充電電路中的傳輸元件。 |
除了方便之外,標(biāo)準(zhǔn)化充電器接口還意味著任何帶有USB插頭的電源都可以連接至新的手機(jī),無(wú)論其輸出功率是多少。由于USB插頭已經(jīng)變成公共接口,因此它不僅限于用在手機(jī)中,而且還可以用于其它便攜式電子產(chǎn)品,如便攜式DVD。在這種情況下,適配器輸出電壓將是12V,而不是5V。即使電源適配器被設(shè)計(jì)成輸出電壓為5V,如果它的調(diào)制設(shè)計(jì)不當(dāng),那么電源適配器可能輸出偏差高于規(guī)定的5%的電壓。為了保護(hù)這些過(guò)壓狀態(tài)下的便攜式終端,MII強(qiáng)制移動(dòng)手持設(shè)備將輸入過(guò)壓限制整合在充電控制電路中。只要充電器的輸入電壓超過(guò)6V,過(guò)壓保護(hù)電路就會(huì)被激活,從而將故障電源與手持設(shè)備中的其余電路隔離。
過(guò)壓保護(hù)IC
過(guò)壓保護(hù)(OVP)IC是一個(gè)可以在28V這樣的極高電壓下工作而不會(huì)毀壞的集成電路。它包含一個(gè)電壓檢測(cè)器和一個(gè)內(nèi)部驅(qū)動(dòng)器電路,以控制作為開(kāi)關(guān)的MOSFET,從而在輸入電壓高于過(guò)壓檢測(cè)閾值(這個(gè)閾值電壓有時(shí)被稱(chēng)為過(guò)壓閉塞或OVLO)時(shí)使電源與系統(tǒng)隔離。NCP347MTAE就是一個(gè)OVP電路,專(zhuān)用于保護(hù)USB充電器的便攜式終端。該電路具有內(nèi)置50ms啟動(dòng)延遲,在此延遲期間內(nèi)部開(kāi)關(guān)保持打開(kāi)狀態(tài),以便不會(huì)有高電平瞬態(tài)電壓傳輸?shù)较到y(tǒng)中。在工作期間,MOSFET將被導(dǎo)通,當(dāng)檢測(cè)到故障狀態(tài)時(shí),它可以在1.5?s (典型值)內(nèi)被觸發(fā)至關(guān)斷狀態(tài)。為USB充電器選擇OVP IC時(shí),應(yīng)確保OVLO最大值低于直接連接至電源的IC的“最高絕對(duì)工作電壓”。為了滿足MII的USB充電器要求,適合的OVLO值應(yīng)低于6V。如上所述,由于高充電電流和有限的電壓裕量,傳輸元件(MOSFET)的Rds(on)應(yīng)保持盡可能低。在NCP347中,集成的N溝道MOS開(kāi)關(guān)的典型Ron僅為典型值65mΩ。這個(gè)值是市場(chǎng)中同類(lèi)產(chǎn)品中最低的。
圖3:采用兩個(gè)具有低Rds(on)的MOSFET作為傳輸元件。NTHD4102P是一個(gè)典型Rds(on)值為64mΩ的雙P溝道MOSFET,因此充電電流為1A時(shí)僅產(chǎn)生0.13V的壓降。 |
帶連接至處理器的接口的OVP IC可實(shí)現(xiàn)更加智能的保護(hù)方案。假定Flag引腳報(bào)告故障狀態(tài),Enable引腳通過(guò)編程將處理器設(shè)定為檢測(cè)到連續(xù)的故障狀態(tài)時(shí)明確地禁止NCP347。否則,當(dāng)故障狀態(tài)被消除時(shí),OVP應(yīng)自動(dòng)地再次導(dǎo)通。最后,其2.5x2.5x0.55mm的超薄封裝應(yīng)適合任何小型便攜式設(shè)計(jì)。這種保護(hù)電路將確保手機(jī)通過(guò)CTTL要求的60分鐘的過(guò)壓測(cè)試條件。
本文小結(jié)
MII已經(jīng)出臺(tái)了新的電池充電器接口標(biāo)準(zhǔn),因此我們期望所有將在中國(guó)市場(chǎng)發(fā)布的新手機(jī)都配備USB連接器,以連接至標(biāo)準(zhǔn)化電池充電器。這一舉措將潛在地使每年在中國(guó)與新手機(jī)一起銷(xiāo)售的冗余電池充電器減少1億個(gè)。這個(gè)新標(biāo)準(zhǔn)將節(jié)省總體手機(jī)材料成本并降低廢棄電子裝置所造成的環(huán)境污染。由于在咖啡店或賓館這樣的公共場(chǎng)所非常容易找到兼容的充電器,因此新的標(biāo)準(zhǔn)將給終端用戶帶來(lái)更多便利。用戶還可以利用筆記本電腦等其它USB主機(jī)來(lái)對(duì)手機(jī)電池進(jìn)行充電。假定輸出電壓由USB充電器提供,則將給充電器輸入和電池之間留出極低的電壓裕量。應(yīng)選擇具有最低Rds(on)的傳輸元件,以降低高電流充電期間的壓降。雙MOSFET和具有低V CE (Sat)的晶體管都是這種充電解決方案的合適解決方案。標(biāo)準(zhǔn)接口還帶來(lái)了將非標(biāo)準(zhǔn)充電器連接至手持設(shè)備的風(fēng)險(xiǎn)。因此MII要求手機(jī)供應(yīng)商在手機(jī)中加入一個(gè)過(guò)壓保護(hù)電路。OVP IC是新型保持電路,可為手機(jī)提供全方位的保護(hù)解決方案。該電路可以在數(shù)微秒內(nèi)非常迅速地觸發(fā),從而使浪涌電壓與手機(jī)系統(tǒng)隔離。
圖4 帶鋰離子電池充電器IC NCP347的典型應(yīng)用。 |
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評(píng)論