霍尼韋爾推出半導體封裝新材料

　　2014年3月4日，霍尼韋爾宣布推出基于霍尼韋爾專利技術的新型RadLo™ 低α 粒子電鍍陽極產品，幫助降低由于α 粒子放射而引起的半導體數(shù)據(jù)錯誤發(fā)生率。

　　新電鍍陽極是RadLo產品系列的擴充，它采用了霍尼韋爾專利的量測和精制技術，用于半導體封裝晶圓突塊工藝。

　　“我們已經通過一些主要的分包商開始批量生產新型低α 粒子電鍍陽極產品，同時也已在OEM設備廠商完成了認證程序。”霍尼韋爾電子材料先進金屬和聚合物業(yè)務產品總監(jiān)克里斯•李(Chris Lee)表示，“新產品能夠迅速獲得認證和采用表明我們的產品能滿足客戶的關鍵需要，幫助他們解決所面臨的技術挑戰(zhàn)和難題。”

　　半導體封裝材料中的α粒子放射會引起存儲單元中的數(shù)據(jù)錯誤并造成軟錯誤，最終導致手機、平板、服務器、游戲機以及其他終端設備的運行故障。隨著半導體尺寸的不斷減小以及功能需求的不斷增加，芯片對軟錯誤的敏感度不斷提高。為了有效解決這個問題，半導體封裝材料的設計人員需要借助低α 粒子放射的材料，例如霍尼韋爾RadLo系列產品。

　　在極低的α 粒子放射層級中，由于雜質及宇宙射線等背景放射物的影響，測量α射線通量非常困難。為解決這一問題，霍尼韋爾采取了嚴格的量測和程序控管。

　　隨著半導體產業(yè)倒裝芯片封裝的發(fā)展，使用電鍍的晶圓凸塊工藝變得日益普遍。霍尼韋爾憑借自身的獨特優(yōu)勢，為晶圓突塊工藝提供高純度等級的電鍍陽極(>99.99% )，包括低α鉛(Pb)、低α錫(Sn)以及低α銅(Cu)等。我們提供多種α粒子放射等級，包括每平方厘米每小時小于0.002次的含錫陽極靶材。

　　除低α粒子材料外，霍尼韋爾的半導體制造產品還包括微電子聚合物、電子化學品以及其他的先進材料。同時，霍尼韋爾金屬材料業(yè)務包括一系列廣泛產品，例如物理氣相沉積靶材(PVD)和線圈組、貴金屬熱電偶以及熱管理和電子互聯(lián)材料等等。