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          微電子封裝的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢(shì)

          作者: 時(shí)間:2014-03-23 來源:中國(guó)電力電子產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 收藏

            近年來,各種各樣的電子產(chǎn)品已經(jīng)在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、國(guó)防和日常生活中得到了廣泛的應(yīng)用。伴隨著電子科學(xué)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,使得工業(yè)發(fā)展迅猛,這很大程度上是得益于技術(shù)的高速發(fā)展。當(dāng)今全球正迎來以電子計(jì)算機(jī)為核心的電子信息技術(shù)時(shí)代,隨著它的發(fā)展,越來越要求電子產(chǎn)品要具有高性能、多功能、高可靠、小型化、薄型化、便捷化以及將大眾化普及所要求的低成等特點(diǎn)。這樣必然要求要更好、更輕、更薄、密度更高,更好的電性能和熱性能,更高的可靠性,更高的性能價(jià)格比。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/235153.htm

            一、微電子封裝的概述

            1、微電子封裝的概念

            微電子封裝是指利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù),將芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘貼固定及連接,引出連線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固定,構(gòu)成整體立體結(jié)構(gòu)的工藝。在更廣的意義上講,是指將封裝體與基板連接固定,裝配成完整的系統(tǒng)或電子設(shè)備,并確定整個(gè)系統(tǒng)綜合性能的工程。

            2、微電子封裝的目的

            微電子封裝的目的在于保護(hù)芯片不受或少受外界環(huán)境的影響,并為之提供一個(gè)良好的工作條件,以使電路具有穩(wěn)定、正常的功能。

            3、微電子封裝的技術(shù)領(lǐng)域

            微電子封裝技術(shù)涵蓋的技術(shù)面積廣,屬于復(fù)雜的系統(tǒng)工程。它涉及物理、化學(xué)、化工、材料、機(jī)械、電氣與自動(dòng)化等各門學(xué)科,也使用金屬、陶瓷、玻璃、高分子等各種各樣的材料,因此微電子封裝是一門跨學(xué)科知識(shí)整合的科學(xué),整合了產(chǎn)品的電氣特性、熱傳導(dǎo)特性、可靠性、材料與工藝技術(shù)的應(yīng)用以及成本價(jià)格等因素,以達(dá)到最佳化目的的工程技術(shù)。

            在微電子產(chǎn)品功能與層次提升的追求中,開發(fā)新型封裝技術(shù)的重要性不亞于電路的設(shè)計(jì)與工藝技術(shù),世界各國(guó)的電子工業(yè)都在全力研究開發(fā),以期得到在該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

            4、微電子封裝的功能

            微電子封裝所實(shí)現(xiàn)的功能主要有四點(diǎn):

            傳遞電能,主要是指電源電壓的分配和導(dǎo)通。

            傳遞的電路信號(hào),主要是將電信號(hào)的延遲盡可能減小,在布線時(shí)應(yīng)盡可能使信號(hào)與芯片的互連路徑以及通過封裝的I/O接口引出的路徑達(dá)到最短。

            提供散熱途徑,主要是指各種封裝都要考慮元器件、部件長(zhǎng)期工作時(shí)如何將聚集的熱量散出的問題。

            結(jié)構(gòu)保護(hù)與支持,主要是指封裝可為連接部件提供牢固可靠的機(jī)械支撐,并能適應(yīng)各種工作環(huán)境和條件的變化。

            5、微電子封裝的技術(shù)層次

            微電子封裝通常有四個(gè)層次:

            第一層次:是指把電路芯片與封裝基板或引腳架之間的粘貼固定、電路連線與封裝保護(hù)的工藝,使之成為易于取放輸送,并可與下一層次組裝進(jìn)行連接的模塊元件。

            第二層次:將數(shù)個(gè)第一層次完成的封裝與其他電子元器件組成一個(gè)電路卡的工藝。

            第三層次:將數(shù)個(gè)第二層次完成的封裝組裝成的電路卡組合在一個(gè)主電路板上使之成為一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝。

            第四層次:將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成為一個(gè)完成電子產(chǎn)品的工藝過程。

            在芯片上的電路元器件間的連線工藝也稱為零級(jí)層次的封裝,因此封裝工程也可以用五個(gè)層次區(qū)分。

            6、微電子封裝的分類

            按照封裝中組合電路芯片的數(shù)目,微電子封裝可分為單芯片封裝(SCP)與多芯片封裝(MCP)兩大類,MCP指層次較低的多芯片封裝,而MCM指層次較高的多芯片封裝。

            按照密封的材料區(qū)分,可分為以高分子材料(即塑料)和陶瓷為主的種類。陶瓷封裝的熱性質(zhì)穩(wěn)定,熱傳導(dǎo)性能優(yōu)良,對(duì)水分子滲透有良好的阻隔能力,因此是主要的高可靠性封裝方法;塑料封裝具有工藝自動(dòng)化、低成本、薄型化封裝等優(yōu)點(diǎn),因此塑料封裝是目前市場(chǎng)最常采用的技術(shù)。

            按照器件與電路板互連方式,封裝可分為引腳插入型(PTH)和表面貼裝型(SMT)兩大類。PTH器件的引腳為細(xì)針狀或薄板狀金屬,以供插入底座或電路板的導(dǎo)孔中進(jìn)行焊接固定;SMT器件則先粘貼于電路板上再以焊接固定,它具有海鷗翅型、鉤型、直柄型的金屬引腳,或電極凸塊引腳(也稱為無引腳化器件)。

            依據(jù)引腳分布形態(tài)區(qū)分,封裝元器件有單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳與底部引腳等4種。常見的單邊引腳有單列式封裝(SIP)與交叉引腳式封裝(ZIP);雙邊引腳元器件有雙列式封裝(DIP)、小型化封裝(SOP)等;四邊引腳有四邊扁平封裝(QFP)、底部引腳有金屬罐式(MCP)與點(diǎn)陣列式封裝(PGA)。

            由于產(chǎn)品小型化以及功能提升的需求和工藝技術(shù)的進(jìn)步,封裝的形式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)也有許多不同的變化。

            7、微電子封裝的材料

            微電子封裝所使用的材料包括金屬、陶瓷、玻璃、高分子等,金屬主要為電熱傳導(dǎo)材料,陶瓷與玻璃為陶瓷封裝基板的主要成分,玻璃同時(shí)為重要的密封材料,塑料封裝利用高分子樹脂進(jìn)行元器件與外殼的密封,高分子材料也是許多封裝工藝的重要添加物。材料的使用與選擇是由封裝的電熱性質(zhì)、可靠性、技術(shù)與工藝、成本價(jià)格的需求有關(guān)。

            二、微電子封裝的技術(shù)要求

            隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,微電子封裝技術(shù)也不斷的發(fā)展與進(jìn)步。

            1、小型化

            微電子封裝技術(shù)朝著超小型化的方向發(fā)展,出現(xiàn)了與芯片尺寸大小相同的超小型化封裝形式,即晶圓級(jí)封裝技術(shù)(WLP)。而低成本、高質(zhì)量、短交貨期、外形尺寸符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)都是小型化的必需的條件。

            2、適應(yīng)高發(fā)熱

            由于微電子封裝的熱阻會(huì)因?yàn)槌叽绲目s小而增大,電子機(jī)器的使用環(huán)境復(fù)雜,因而必須解決封裝的散熱。尤其是在高溫條件下,必須保證長(zhǎng)期工作的穩(wěn)定性和可靠性。

            3、高密集度

            由于元器件的集成度越來越高,要求微電子封裝的管腳數(shù)越來越多,管腳間的間距越來越小。

            4、適應(yīng)多引腳

            外引線越來越多是微電子封裝的一大特點(diǎn),當(dāng)然也是難點(diǎn),因?yàn)橐_間距不可能無限小,再流焊時(shí)焊料難以穩(wěn)定供給,故障率很高。

            而多引腳封裝是今后的主流,所以在微電子封裝的技術(shù)要求上應(yīng)盡量適應(yīng)多引腳。

            三、微電子封裝在國(guó)內(nèi)的發(fā)展現(xiàn)狀

            過去,整個(gè)中國(guó)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)十分薄弱,但是附加價(jià)值相對(duì)較低的封裝測(cè)試卻是整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最強(qiáng)的一環(huán),占了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)值59%以上,之所以會(huì)有這個(gè)現(xiàn)象產(chǎn)生,是因?yàn)樵诎雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中,封裝測(cè)試對(duì)資金需求和技術(shù)門檻較低,且人力需求比較高,而國(guó)內(nèi)擁有充沛和低廉的勞動(dòng)資源所致,但這與國(guó)際上先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)水平仍有相當(dāng)差距。

            據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,2003年我國(guó)微電子封裝測(cè)試企業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入246億元,同比增長(zhǎng)23.3%,占整個(gè)微電子產(chǎn)業(yè)鏈銷售收入的70%,已成為微電子產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展中的新亮點(diǎn)。產(chǎn)能上迅速提升滿足了市場(chǎng)的要求,也實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)量的增長(zhǎng),如長(zhǎng)電科技(600584,股吧)股份、南通富士通、四川安森美、華潤(rùn)安盛、上海金朋、安靠、浙江華越等公司都在產(chǎn)量銷售收入利潤(rùn)上獲得了歷史佳績(jī)。

            從調(diào)查資料分析,國(guó)內(nèi)微電子封裝正處于一個(gè)快速的發(fā)展階段。各種股份制企業(yè)、中外合資、外商獨(dú)資、民營(yíng)企業(yè)正如雨后春筍般地涌現(xiàn)。其主要集

            中在長(zhǎng)三角,其次為珠三角、京津環(huán)渤海地區(qū)。然而,根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)資料顯示,現(xiàn)階段國(guó)內(nèi)從事分立器件及微電子封裝測(cè)試的廠商約有210家,其中從事微電子封裝的廠商超過100家,但實(shí)際上有一定水準(zhǔn)封裝測(cè)試技術(shù),且年封裝量超過1億顆的不到20家,預(yù)計(jì)未來3年內(nèi),若臺(tái)資企業(yè)能夠順利排除法規(guī)限制且產(chǎn)能放量,國(guó)內(nèi)將會(huì)出現(xiàn)激烈的殺戮淘汰賽或并購(gòu)情形。

            國(guó)內(nèi)微電子封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)可以細(xì)分為三階段。

            1995年前,國(guó)內(nèi)的封裝測(cè)試絕大部分是依附本土組件制造商,如上海先進(jìn)、貝嶺、無錫華晶及首鋼NEC等,及部分由合資方式或其他方式合作的外商,如深圳賽意法微電子、現(xiàn)代電子(現(xiàn)已被金朋并購(gòu)),但投資范圍主要以PDIP、PQFP和TSOP為主。

            但是1995年起,國(guó)內(nèi)出現(xiàn)了第一家專業(yè)封裝代工廠(即阿法泰克),緊接著,由于得到國(guó)家政策對(duì)發(fā)展IC產(chǎn)業(yè)的支持,英特爾、超微、三星電子和摩托羅拉等國(guó)際大廠整合組件制造商擴(kuò)大投資,紛紛以1億美元以上的投資規(guī)模進(jìn)駐到中國(guó)國(guó)內(nèi)。

            2000年后,中芯、宏力、和艦及臺(tái)積電等晶圓代工廠陸續(xù)成立,新產(chǎn)能的開出和相續(xù)擴(kuò)產(chǎn),對(duì)于后段封裝產(chǎn)能的需求更為迫切,使得專業(yè)封測(cè)廠為爭(zhēng)奪訂單,也跟著陸續(xù)進(jìn)駐到晶圓廠周圍,如威宇科技、華虹NEC提供BGA/CSP及其他高階的封裝服務(wù)、中芯與金朋建立互不排除聯(lián)盟。

            因?yàn)榫A制造開始往高階技術(shù)推進(jìn),對(duì)于封裝工藝的要求也開始轉(zhuǎn)向高階產(chǎn)品,這也將會(huì)帶動(dòng)中國(guó)國(guó)內(nèi)封測(cè)產(chǎn)業(yè)在質(zhì)量上進(jìn)一步向上提升。

            四、微電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)

            發(fā)展微電子封裝技術(shù),旨在使系統(tǒng)向小型化、高性能、高可靠性和低成本目標(biāo)努力,從技術(shù)發(fā)展觀點(diǎn)來看,作為微電子封裝的關(guān)鍵技術(shù)主要有:TCP、BGA、FCT、CSP、MCM和三維封裝。

            1、帶載封裝

            帶載封裝(TCP),是在形成連接布線的帶狀絕緣帶上搭載LSI裸芯片,并與引線連接的封裝。與QFP相比,TCP的引線間距可以做得更窄,而且外形可以做得更薄,因此,TCP是比QFP更薄型的高密度封裝,它在PCB板上占據(jù)很小的面積,可以用于高I/O數(shù)的ASIC和微處理器。

            2、柵陣列封裝

            柵陣列封裝(BGA),是表面安裝型封裝的一種,在印刷電路基板的背面,二維陣列布置球形焊盤,而不采用引線針腳。在印刷電路板的正面搭載LSE芯片,用模注和澆注樹脂封接,可超過200針,屬于多針的LSI用封裝。封裝體的大小也比QFP小。而且BGA不像QFP,不用擔(dān)心引線的變形。

            3、倒裝芯片技術(shù)

            倒裝芯片技術(shù)(FCT),是將芯片有源區(qū)面對(duì)基板,通過芯片上呈陣列排列的焊料凸點(diǎn)來實(shí)現(xiàn)芯片與襯底的互連。這種方式能提供更高的I/O密度。它的主要優(yōu)點(diǎn)是:外形減小尺寸。提高電性能。高的I/O密度。良好散熱性。改善疲勞壽命,提高可靠性。裸芯片的可測(cè)試性。

            4、芯片規(guī)模封裝

            芯片規(guī)模封裝(CSP),主要有適用于儲(chǔ)存器的少引腳CSP和適用于ASCI的多引腳CSP,具體為芯片上引線(LOC)、微型球柵陣列(MBA)和面陣列(LGA)。它的主要優(yōu)點(diǎn)是:容易測(cè)定和老化,易于一次回流焊接等安裝以及操作簡(jiǎn)便。

            5、多芯片模式

            多芯片模式(MCM),是指多個(gè)半導(dǎo)體裸芯片表面安裝在同一塊布線基板上。按基板材料不同,分為MCM-L、MCM-C、MCM-D三大類。

            MCM-L是指用通常玻璃、環(huán)氧樹脂制作多層印刷電路基板的模式。布線密度高而價(jià)格較低。

            MCM-C通過厚膜技術(shù)形成多層布線陶瓷,濱海高以此作為基板。布線密度比MCM-L高。

            MCM-D通過薄膜技術(shù)形成多層布線陶瓷或者直接采用Si、Al作為基板,布線密度最高,價(jià)格也高。

            6、三維(3D)封裝

            三維封裝,即是向空間發(fā)展的微電子組裝的高密度化。它不但使用組裝密度更高,也使其功能更多、傳輸速度更高、功耗更低、性能及可靠性更好等。

            五、微電子封裝的發(fā)展趨勢(shì)

            21世紀(jì)的微電子封裝概念已從傳統(tǒng)的面向器件轉(zhuǎn)為面向系統(tǒng),即在封裝的信號(hào)傳遞、支持載體、熱傳導(dǎo)、芯片保護(hù)等傳統(tǒng)功能的基礎(chǔ)上進(jìn)一步擴(kuò)展,利用薄膜、厚膜工藝以及嵌入工藝將系統(tǒng)的信號(hào)傳輸電路及大部分有源、無源元件進(jìn)行集成,并與芯片的高密度封裝和元器件外貼工藝相結(jié)合,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)系統(tǒng)的封裝集成,達(dá)到最高密度的封裝。

            在近期內(nèi),BGA技術(shù)將以其性能和價(jià)格的優(yōu)勢(shì)以最快增長(zhǎng)速度作為封裝的主流技術(shù)繼續(xù)向前發(fā)展;CSP技術(shù)有著很好的前景,隨著其成本的逐步降低將廣泛用于快速存儲(chǔ)器、邏輯電路和ASIC等器件在各類產(chǎn)品中的封裝;在今后不斷的封裝中,F(xiàn)CT技術(shù)將作為一種基本的主流封裝技術(shù)滲透于各種不同的封裝形式中;隨著便攜式電子設(shè)備市場(chǎng)的迅速擴(kuò)大,適用于高速、高性能的MCM發(fā)展速度相當(dāng)驚人;三維封裝是發(fā)展前景最佳的封裝技術(shù),隨著其工藝的進(jìn)一步成熟,它將成為應(yīng)用最廣泛的封裝技術(shù)。

            綜上所述,從器件的發(fā)展水平看,今后封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)為:?jiǎn)涡酒蚨嘈酒l(fā)展;平面型封裝向立體封裝發(fā)展;獨(dú)立芯片封裝向系統(tǒng)集成封裝發(fā)展。

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