汽車電子系統(tǒng)使用自保護(hù)MOSFET需考慮的因素

采用自保護(hù)MOSFET可以設(shè)計出高性價比的容錯系統(tǒng)，但損害或毀壞自保護(hù)MOSFET器件的工作情況確實存在。只有在系統(tǒng)設(shè)計時仔細(xì)考慮這些因素，才可以設(shè)計出高性價比而可靠的系統(tǒng)。

汽車電子系統(tǒng)中使用的功率器件必須能抵受極為嚴(yán)峻環(huán)境的考驗：它們必須能承受關(guān)閉瞬流和負(fù)載切斷電源故障引起的高壓毛刺；若環(huán)境工作溫度超過120℃，器件結(jié)溫則將隨之而來升高；線束中的眾多連接器位于方便組裝和維修的位置，這可能造成器件電氣連接的間斷。由于新的負(fù)載需要的功率越來越大，所以即使在正常的條件下工作，器件承受的壓力也明顯加大。

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來完成。隨著技術(shù)的發(fā)展，MOSFET功率器件能夠以更低的系統(tǒng)成本提供優(yōu)異的故障保護(hù)。

圖1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是，大多數(shù)器件都具備三個電路模塊，即電流限制、溫度限制和漏-源過壓箝制，為器件提供大部分的保護(hù)。

圖1：完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

短路故障

最常見也最麻煩的故障可能是短路。這類故障有以下幾種形式：負(fù)載間的短路、開關(guān)間的短路或電源接地的短路。而且，這些短路器件啟動和關(guān)閉時都會發(fā)生。由于短路故障通常是間歇性，即使在很短時間中就存在多種形式，使問題更為棘手。例如，在器件之間發(fā)生短路而MOSFET關(guān)閉的情況下，電流通過短路向MOSFET周圍分流。

然而，如果短路是間歇性、負(fù)載為電感的情況下，電流中斷將在MOSFET上產(chǎn)生一個反激(flyback)電壓。根據(jù)短路持續(xù)的時間和電阻，負(fù)載電感中的峰值電流可能會高于正常工作時的峰值電流。因此，器件比預(yù)期吸收更多的能量，而且多個間歇性短路事件的快速連續(xù)發(fā)生會導(dǎo)致峰值結(jié)溫急劇升高，從而對器件產(chǎn)生潛在的破壞性。

過溫故障

其他故障包括器件引腳的靜電放電(ESD)、線路瞬流或電感負(fù)載開關(guān)引起的過壓，還有就是過熱。過溫故障通常由其他故障引起，如短路便會快速增加器件的功耗，也可能由極端環(huán)境條件或熱路徑異常引起，如器件散熱器和電路板之間的焊料失效。在諸多故障模式下，自保護(hù)MOSFET產(chǎn)品的控制電路以一種安全模式來檢測并控制器件工作，使器件在故障修復(fù)后可以恢復(fù)正常功能。

由于有源元件(MOSFET門極氧化物接口除外)已與門極輸入引腳連接，因此漏極與源極之間短路時，此引腳的泄漏電流(50-100uA)比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET泄漏電流的測量值( 50nA)大三個數(shù)量級。泄漏電流的增加通常不會對門極驅(qū)動電路產(chǎn)生影響，但是，門極驅(qū)動電路必須能夠在電流限制或熱關(guān)機(jī)故障情況下驅(qū)動足夠大的電流。在過流和過溫故障的情況下，器件一般將功率MOSFET門極節(jié)點(diǎn)電壓下拉至接近飽和的工作門限電壓或零伏，以完全關(guān)閉器件。