<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 汽車電子系統(tǒng)使用自保護(hù)MOSFET需考慮的因素

          汽車電子系統(tǒng)使用自保護(hù)MOSFET需考慮的因素

          作者: 時(shí)間:2014-01-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          通常門極輸入引腳和功率門極節(jié)點(diǎn)之間存在一個(gè)串聯(lián)電阻Rs,所以吸收的輸入電流大約等于(Vin-Vgate)/Rs。器件通常在結(jié)溫超過預(yù)設(shè)限制溫度時(shí)關(guān)閉。在這種情況下,Vgate=0伏,所以在過溫故障時(shí)必須產(chǎn)生一個(gè)等于Vin/Rs的最小源極電流。否則,內(nèi)部門極下拉電路將無法關(guān)閉功率場效應(yīng)管,使其結(jié)溫可能達(dá)到產(chǎn)生破壞作用的水平。

          過溫保護(hù)

          通常過溫保護(hù)是通過對主功率有源區(qū)域的(一般為二極管)設(shè)置偏壓來實(shí)現(xiàn)的。若這些元件偵測到芯片結(jié)溫超過過溫設(shè)定值時(shí),電路將主功率門極拉至地,關(guān)閉該器件。一些器件內(nèi)置滯后電路,使器件可以在芯片結(jié)溫稍微下降(一般下降10℃-20℃)后返回導(dǎo)通狀態(tài)。圖2顯示安森美的NIF5022N器件短路電流和時(shí)間響應(yīng)之間的關(guān)系。在其它器件中,若檢測到過溫故障情況,電流將鎖存,而輸入引腳必須固定對鎖存進(jìn)行復(fù)位。

          newmaker.com
          圖2:NIF5022N器件短路電流和時(shí)間響應(yīng)之間的關(guān)系

          在過溫故障情況下,必須考慮兩個(gè)主要問題。首先,溫度限制關(guān)斷電路通常與電流限制電路協(xié)同工作,即電流限制電路將門極節(jié)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)至接近閾值電壓來使器件進(jìn)入飽和工作模式,以便保持電流限制設(shè)定點(diǎn)。在負(fù)載間短路的情況下,這意味著在通過高電流時(shí),功率MOSFET上的壓降接近電源電壓。這種高功率情況很快地引起過溫故障。對于采用熱滯后電路讓零件在過溫故障情況下循環(huán)導(dǎo)通和關(guān)閉的器件,結(jié)溫將穩(wěn)定在滯后電路高低設(shè)定點(diǎn)之間的溫度。這與高溫可靠性測試類似,都取決于器件在故障情況下的工作時(shí)間。一般來說,當(dāng)器件的可靠性下降變成一個(gè)受重視的問題時(shí),別指望在故障情況下該器件工作幾千小時(shí)或更長時(shí)間。

          更切合實(shí)際的考慮是,當(dāng)應(yīng)用電路在故障情況下將門極輸入循環(huán)地打開并關(guān)閉,使結(jié)溫可以在過溫事件之間的這段時(shí)間中進(jìn)行冷卻。在這種情況下,器件進(jìn)入內(nèi)部熱循環(huán),器件承受的熱循環(huán)數(shù)量有一定的限制。循環(huán)的次數(shù)與許多因素有關(guān),包括結(jié)溫幅度差、溫度偵測布局和電路設(shè)計(jì)、硅結(jié)構(gòu)、封裝技術(shù)等。設(shè)計(jì)人員必須清楚應(yīng)用電路是否可以在短路或其他激發(fā)過溫保護(hù)故障情況下對受保護(hù)的MOSFET進(jìn)行循環(huán),然后評估器件在這些情況下的可靠性。這種故障模式分析可省去昂貴的場回路。

          第二個(gè)問題涉及到當(dāng)過溫保護(hù)無效、隨后可能發(fā)生器件故障時(shí)器件的工作情況。當(dāng)關(guān)閉電感負(fù)載時(shí),器件必須吸收存儲(chǔ)在負(fù)載電感中的能量。對于標(biāo)準(zhǔn)的MOSFET,這種工作模式稱為非箝制感應(yīng)開關(guān)(UIS)。在UIS事故中,器件的漏-源硅結(jié)處于雪崩狀態(tài),器件產(chǎn)生大量功耗(大小取決于雪崩電壓和峰值電流值)。當(dāng)MOSFET吸收的能量使結(jié)溫超過硅結(jié)構(gòu)的內(nèi)部溫度(一般超過300℃)時(shí),UIS事故的普通故障模式將發(fā)生。當(dāng)結(jié)溫超過內(nèi)部溫度時(shí),器件不再像一個(gè)半導(dǎo)體,門極控制出錯(cuò),而且器件會(huì)快速毀壞,除非漏極電源功率立即消失。的MOSFET可能遭受同樣的情況,因?yàn)楫?dāng)門極輸入電壓對控制電路進(jìn)行偏置時(shí),由于門極偏置為零,過溫限制電路處于無效狀態(tài)。在正常工作和最壞的故障情況下(如器件間歇性短路的情況),電路設(shè)計(jì)人員必須確保器件吸收的能量不超過最大額定值。另外,即使出現(xiàn)最高能量額定值,能量脈沖之間必須有足夠的時(shí)間讓結(jié)溫冷卻到初始結(jié)溫。否則,結(jié)溫在每個(gè)能量脈沖之后升高,最終達(dá)到內(nèi)部故障溫度。

          若過溫限制電路在電感負(fù)載關(guān)閉的情況下偏置,由于大多數(shù)MOSFET采用有源過壓箝制,過溫保護(hù)可能仍處于無效狀態(tài)。有源箝制電路中的關(guān)鍵元件是位于主功率MOSFET門極和漏極連接之間的背靠背串聯(lián)齊納二極管。以此種狀態(tài)堆棧的齊納二極管的設(shè)計(jì)電壓小于主功率MOSFET漏-源結(jié)的雪崩電壓。因?yàn)殚T極已關(guān)閉,所以當(dāng)漏極電壓超過門-漏齊納堆棧電壓時(shí),電流將流過堆棧和串聯(lián)門極電阻,流至地面。因此,在主功率MOSFET門極產(chǎn)生接近閾值的電壓,使MOSFET以正激線性工作模式傳導(dǎo)負(fù)載電流。由于器件已導(dǎo)通,電感能量在有源區(qū)域以更均勻的電流密度耗散,與雪崩工作模式下的能量耗散方式不同。而且,因?yàn)轶橹齐妷旱陀谘┍离妷海云骷谟性大橹颇J较碌乃矔r(shí)功耗低于雪崩模式下的瞬時(shí)功耗。在有源箝制工作模式下切換電感負(fù)載時(shí),這些行為使器件具備更強(qiáng)的能量處理能力。有源箝制由于具有上述特性,故經(jīng)常在其它故 障保護(hù)動(dòng)作之前執(zhí)行。設(shè)計(jì)人員必須確保器件能夠吸收在最壞情況下所有可能的電感能量。

          熱保護(hù)器相關(guān)文章:熱保護(hù)器原理

          上一頁 1 2 下一頁

          評論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();