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          基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計(jì)改進(jìn)方案

          作者: 時(shí)間:2013-11-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            自問世以來,NAND閃存對(糾錯碼)糾錯能力的要求越來越高。雖然這不是一個新問題,但是支持最新的多層單元(MLC)架構(gòu)和每單元存儲三位數(shù)據(jù)(three-bit-per-cell)技術(shù)所需的糾錯能力讓系統(tǒng)人員越來越難以應(yīng)付。

            過去,一直被用于提高NAND閃存子系統(tǒng)的整體。但是,隨著NAND單元不斷縮小,每個浮柵內(nèi)貯存的電子數(shù)量越來越少。因此,為彌補(bǔ)更小的存儲單元所產(chǎn)生的更高的位誤碼率,我們必須大幅提高ECC糾錯能力,以維持所需的系統(tǒng)可靠性。

            隨著系統(tǒng)對ECC糾錯要求不斷提高,實(shí)現(xiàn)ECC邏輯所需的邏輯門數(shù)量也在增加,同時(shí)系統(tǒng)復(fù)雜性也隨之提高。例如,24位ECC需要大約200,000個邏輯門,而40位ECC則需要大約300,000個邏輯門。據(jù)估計(jì),將來先進(jìn)的ECC算法可能需要近100萬個邏輯門(如圖1所示)。

          很多高性能閃存系統(tǒng)必須使用多通道NAND閃存才能實(shí)現(xiàn)理想的性能。在這些系統(tǒng)中,每個通道都有其自己的ECC邏輯。例如,一個10通道固態(tài)硬盤(SSD)需要實(shí)現(xiàn)10通道的ECC邏輯。假如10路通道中的每一路通道都需要60位ECC,那么僅ECC邏輯就需要300萬個邏輯門。

            NAND閃存接口選擇

            1.傳統(tǒng)NAND接口

            傳統(tǒng)的NAND閃存接口是一種異步通信接口,雖然近幾年這種接口的速度已提高到50MHz,但是其它特性并沒有太大的變化。

            幾年前,美光(Micron)與其它幾家富有遠(yuǎn)見的公司共同成立了一家NAND閃存組織,旨在簡化業(yè)界存在的大量時(shí)序和指令標(biāo)準(zhǔn)。開放式NAND閃存接口(ONFI)聯(lián)盟發(fā)布了其第一版ONFI 1.0規(guī)范,與最初的規(guī)范相比,這個接口規(guī)范的最大特點(diǎn)是主處理器能夠通過電子方式識別所連接的閃存類型,以及其它重要的技術(shù)參數(shù),如時(shí)序模式、頁面大小、塊大小、ECC要求等。該特性被所有的ONFI標(biāo)準(zhǔn)繼承下來,并且一直是所有ONFI標(biāo)準(zhǔn)的重要內(nèi)容。

            同步NAND接口的開發(fā)是ONFI聯(lián)盟取得的另一個重要成就,這一接口規(guī)范又稱為ONFI 2。目前,ONFI 2.2規(guī)范通過一個DDR源同步接口支持高達(dá)每秒20000萬次傳輸(200MT/s)。通電后該接口可用于異步通信模式。但是,對于更高的性能而言,當(dāng)從異步模式轉(zhuǎn)換到同步通信模式時(shí),主處理器會提前詢問閃存設(shè)備是否支持更高速的同步通信接口。

            2.Direct NAND解決方案

            該方案實(shí)現(xiàn)通過將NAND閃存芯片直接連接到主處理器或SSD控制器來管理NAND閃存。ECC算法交由硬件處理,而軟件通常執(zhí)行所有的區(qū)塊管理和損耗均衡功能。初看起來該方案可能并不理想,但考慮到今天的嵌入式處理器典型運(yùn)行速度達(dá)到數(shù)百兆赫茲,很多甚至超過千兆赫茲,這些高性能處理器能夠以更快的速度執(zhí)行區(qū)塊管理,并利用確定性多線程技術(shù)來提高閃存性能。此外,由于主處理器直接管理閃存設(shè)備,主處理器軟件可以做出實(shí)時(shí)決定,這有助于避免因意外斷電而造成的風(fēng)險(xiǎn)。

            如圖2所示,ONFI 2.2接口規(guī)范(200MT/s)最多可支持16個標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存芯片,典型解決方案通常采用兩個8片NAND閃存封裝。標(biāo)準(zhǔn)8片100-BallBGA封裝含有兩條獨(dú)立的NAND總線(DQ[7:0]1和DQ[7:0]2),每條總線連接4片NAND閃存。閃存控制器通過兩個芯片使能信號控制每四片堆疊的裸片。典型設(shè)計(jì)是把兩條數(shù)據(jù)總線即DQ總線連接到一起,為每個封裝提供一條8位數(shù)據(jù)總線。最高配置由兩個內(nèi)置8片裸片的100-Ball BGA封裝組成。為選定一個特定的NAND裸片,每個標(biāo)準(zhǔn)100-Ball BGA封裝需要提供四個芯片使能(CE#)控制。因此,為支持這種配置,主處理器或SSD控制器需要提供8個芯片使能信號。


          3.解決方案

            圖3顯示了兩個不同的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn):傳統(tǒng)的系統(tǒng)中主處理器或SSD控制器與NAND閃存直接相連;另一個系統(tǒng)則采用閃存芯片。兩種方案都采用相同的ONFI硬件接口和相似的100-Ball BGA封裝,不同之處是后者將一個薄型控制器與NAND閃存裸片整合在一個多芯片封裝(MCP)內(nèi)。 控制器用于實(shí)現(xiàn)MCP封裝中NAND閃存所需的ECC算法。由于采用相同的ONFI異步或同步接口,設(shè)計(jì)人員可以輕松地從標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存升級到 ClearNAND閃存。

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