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          基于ClearNAND閃存的系統(tǒng)設(shè)計改進方案

          作者: 時間:2013-11-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            Ready/Busy#被重新定義為中斷

            增強型閃存將現(xiàn)有的ready/busy#引腳重新定義為一個中斷引腳。如圖6所示,interrupt#信號仍是開漏信號,當卷或裸片就緒時,它提供一個實時中斷信號。設(shè)計人員可以利用這個中斷信號向主處理器或SSD控制器提供閃存實時狀態(tài)。在一條總線上支持多個封裝的大型配置中,interrupt#信號線可以連接在一起。當檢測到一個中斷信號時,主處理器或SSD控制器只要詢問每個ClearNAND 封裝或卷,即可知道是哪個卷發(fā)送的新狀態(tài)信息。這個中斷功能可節(jié)省主處理器或SSD控制器上的信號數(shù)量,同時提高SSD控制器對狀態(tài)更新的響應能力。


          內(nèi)部回寫

            內(nèi)部回寫功能又稱為內(nèi)部數(shù)據(jù)遷移(internal data move),是增強型ClearNAND 閃存最引人注目的特性之一。閃存的損耗均衡或碎片清理操作是指整理不同的NAND閃存頁面和區(qū)塊內(nèi)的數(shù)據(jù)碎片,并將其合并成新的區(qū)塊或區(qū)塊序列,這個功能類似老式硬盤的磁盤碎片整理工具。對于這類操作,回寫功能可為SSD系統(tǒng)提供巨大的優(yōu)勢。

            再來看圖2,當使用標準NAND閃存時,將數(shù)據(jù)碎片從一個區(qū)塊轉(zhuǎn)移到另一個區(qū)塊通常需要執(zhí)行下列操作:

            SSD控制器發(fā)布一個READ指令和源地址以訪問數(shù)據(jù)源頁;SSD控制器從NAND閃存讀取數(shù)據(jù),同時執(zhí)行運算和必要的糾錯操作,然后實現(xiàn)數(shù)據(jù)或元數(shù)據(jù)的更新操作;SSD控制器計算并加入新的信息,然后發(fā)布新的PROGRAM指令、目的地址和數(shù)據(jù)序列,該操作將把數(shù)據(jù)保存到新的NAND閃存區(qū)塊內(nèi)。

            在這個連續(xù)的操作過程中,當數(shù)據(jù)從源地址移到目的地址時,總線處于被占用狀態(tài),這個操作過程需要很長時間。假設(shè)一個8K的存儲頁,工作在200MT/s的ONFI 2.2同步總線需要大約 41μs來移動數(shù)據(jù)。因為數(shù)據(jù)必須移出再移進閃存,所以需要兩倍的時間即82μs,但這個時間不包含所花費的時間。在執(zhí)行這個序列的過程中,ONFI閃存總線始終處于占用狀態(tài),不能處理其它任何操作。

            與普通閃存不同,增強型ClearNAND閃存支持內(nèi)部ECC。假如數(shù)據(jù)的源地址和目的地址都在ClearNAND封裝內(nèi),采用內(nèi)部ECC可以在封裝內(nèi)部執(zhí)行回寫操作。SSD控制器仍負責發(fā)布指令和地址,以及經(jīng)修改的數(shù)據(jù)或元數(shù)據(jù)。ClearNAND控制器執(zhí)行數(shù)據(jù)遷移操作,而不會占用外部的ONFI數(shù)據(jù)總線。如果SSD控制器能夠把損耗均衡和碎片清理功能整合在一個ClearNAND封裝內(nèi),它將在性能方面具有更強的優(yōu)勢。

            圖7所示是一個在標識為通道0和通道1的兩路ONFI通道上采用增強型ClearNAND閃存的示例。在兩個SSD通道上,我們看到有四個內(nèi)部數(shù)據(jù)遷移操作同步進行,數(shù)據(jù)移動并沒有占用外部ONFI總線。在必要時,這個特性允許SSD控制器和ONFI總線在ClearNAND封裝之間遷移數(shù)據(jù)。根據(jù)用戶所使用的架構(gòu),某些操作可能需要在ClearNAND封裝之間甚至ONFI總線之間進行。利用內(nèi)部數(shù)據(jù)遷移操作,可大幅提升碎片清理和損耗均衡操作的性能。


            本文小結(jié)

            美光公司的增強型ClearNAND閃存為系統(tǒng)設(shè)計人員提供更高的性能和更多的功能,同時緩解了NAND閃存對ECC糾錯能力的日益嚴格的要求。增強型ClearNAND閃存支持與標準100-Ball BGA NAND閃存相似的焊球排列,用戶可以設(shè)計出同時支持這兩種封裝的產(chǎn)品。例如,該產(chǎn)品將使SSD主控制器擁有充足的ECC糾錯能力來直接支持SLC NAND閃存,選擇增強型ClearNAND閃存還能滿足ECC面臨更大挑戰(zhàn)的多級單元需求。

            增強型ClearNAND閃存的卷尋址特性可使用更少的引腳實現(xiàn)更大容量尋址,從而為SSD方案中節(jié)省數(shù)百個引腳。電子數(shù)據(jù)映像功能可簡化PCB設(shè)計和走線,同時還能提高ONFI總線的信號完整性。智能中斷功能向SSD控制器提供實時狀態(tài)更新信息,并最大限度地縮小對固件的輪詢。兩路內(nèi)部NAND閃存總線可改善回寫功能,從而提高閃存的性能。

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