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          汽車輪胎壓力傳感器芯片與應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2011-06-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          前言

          汽車在高速行駛過(guò)程中,輪胎故障是駕駛者最為擔(dān)心和最難預(yù)防的,也是突發(fā)性交通事故發(fā)生的重要原因。根據(jù)美國(guó)汽車工程師學(xué)會(huì)的調(diào)查,在美國(guó)每年有26萬(wàn)起交通事故是由于輪胎氣壓低或滲漏造成的,另外,每年75%的輪胎故障是由于輪胎滲漏或充氣不足引起的。據(jù)國(guó)家橡膠輪胎質(zhì)量監(jiān)督中心的專家分析,在中國(guó)高速公路上發(fā)生的交通事故有70%是由于爆胎引起的,而在美國(guó)這一比例則高達(dá)80%。怎樣保持車胎氣壓在工作條件苛刻惡劣環(huán)境中,能行駛正常并及時(shí)發(fā)現(xiàn)車胎漏氣,是汽車防止爆胎和能否安全行駛的關(guān)鍵。因此,行進(jìn)中的胎壓檢測(cè)就顯得尤為重要。

          汽車IC芯片的目標(biāo)產(chǎn)品為技術(shù)和集成電路技術(shù)相結(jié)合的車載輪胎壓力監(jiān)視系統(tǒng)TPMS(Tire Rressure Monitoring System)。目前直接輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)包括4個(gè)或5個(gè)(取決于備胎是否裝備傳感器)輪胎模塊和一個(gè)中央接收器模塊。在德國(guó)寶馬的 Z8,法國(guó)雪鐵龍的 C5,英國(guó)阿斯頓· 馬汀的超級(jí)跑車 Vanquish,林肯大陸,旁蒂克的旗艦Bonneville SE,梅賽德斯—奔馳S級(jí)轎車等新車介紹中,也將TPMS系統(tǒng)配裝于車中,另外,2002年夏天上市的克萊斯勒與道奇(Dodge)迷你箱型車以及 Chrysler 300M 與 Concorde Limited 客車也裝有 TPMS系統(tǒng)。而國(guó)內(nèi)多數(shù)汽車廠家目前正在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)性研究。

          本文是基于國(guó)家創(chuàng)新基金項(xiàng)目實(shí)施工作要求,重點(diǎn)描述運(yùn)用微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片,即通過(guò)微機(jī)械加工工藝制作出低成本各參數(shù)指標(biāo)和使用性能可與國(guó)外同類產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)的胎壓傳感器IC芯片,為國(guó)內(nèi)諸多TPMS廠商配套,逐步已優(yōu)越的性價(jià)比為國(guó)際廠商提供芯片。


          圖1 E型芯片剖視與底視圖


          圖2 芯片電橋工藝版圖


          5 to 100 kPa 100 to 1000 kPa 3000 to 5000 kPa
          圖3按不同量程設(shè)計(jì)的芯片工藝版圖


          圖4 工藝流程示意圖

          結(jié)構(gòu)原理

          芯片設(shè)計(jì)采用了,下圖為產(chǎn)品的(又稱為E型硅杯結(jié)構(gòu))的剖視和底視示意圖。相當(dāng)于一個(gè)周邊固支的平膜片結(jié)構(gòu)(俗稱C型結(jié)構(gòu))的膜片中心有一個(gè)厚硬心島。通過(guò)計(jì)算和實(shí)驗(yàn),芯片的抗過(guò)載和抗振動(dòng)能力,同時(shí)也擴(kuò)大并提高量程品種及延長(zhǎng)使用壽命,E型硅杯原理結(jié)構(gòu)如圖1、2所示。

          在產(chǎn)品技術(shù)設(shè)計(jì)上兼顧了傳感器參數(shù)指標(biāo)的通用性,便于芯片應(yīng)用拓展至汽車發(fā)動(dòng)機(jī)電噴系統(tǒng)的歧管壓力傳感器(芯片電橋工藝版圖見(jiàn)圖2)。避免造成其參數(shù)的非專業(yè)性配套,其溫度系數(shù)偏高、過(guò)載能力低、靈敏度參數(shù)分散等問(wèn)題;芯片的襯底濃度遠(yuǎn)大于103,使電橋電阻值高,降低功耗,延長(zhǎng)供電電池使用壽命。

          根據(jù)設(shè)計(jì)計(jì)算,得出芯片版圖設(shè)計(jì)E型硅杯結(jié)構(gòu)為2.4×2.4mm,大膜半徑R為0.8mm,中心島半徑ro為0.4mm,電阻條寬度為4mm,長(zhǎng)度為80mm,設(shè)計(jì)為20個(gè)方電阻,電阻形狀為單條形,為減小端頭影響及誤差,電阻用淡硼摻雜形成、方電阻250歐,端頭用濃硼短路、方電阻為10歐,實(shí)用光刻版還應(yīng)考慮到組橋時(shí)濃硼引出附加電阻的對(duì)準(zhǔn)性對(duì)平衡的影響等版圖設(shè)計(jì)技巧。

          數(shù)學(xué)模型與分析

          半徑為R的同平膜片的中心最大撓度為:

          而中心島半徑ro與全膜半徑R的比值為C的單島膜中心最大撓度為:

          當(dāng)C值為0.5時(shí)(常用設(shè)計(jì))、中心最大位移僅為平膜的四分之一。

          當(dāng)E型膜片的大膜內(nèi)切半徑為R,硬心島外切半徑為ro時(shí),其薄膜上表面的徑向和切向應(yīng)力為:

          處和r=R處,取得最大值,其值大小相等,符號(hào)相反,即:


          ,是平膜邊緣應(yīng)力的倍。

          從式中看出,應(yīng)力均近似對(duì)稱,當(dāng)C=0.5時(shí),這種對(duì)稱性更好,的對(duì)稱點(diǎn),即=0點(diǎn)在r≈0.76R處,但=0的點(diǎn)卻在r≈0.85R處,因此采用這種方案時(shí)電阻徑向分布尺寸不宜超過(guò)1/10R。


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