不使用磁鐵的高性能馬達(dá)（一）：可產(chǎn)生強(qiáng)靜電力的帶電體

帶電體構(gòu)造1

帶電體構(gòu)造2

　　第一個(gè)是以氧化絕緣體覆蓋半導(dǎo)體及金屬表面，實(shí)現(xiàn)帶電穩(wěn)定化的球體。絕緣體的厚度可由驅(qū)動(dòng)電壓來決定。

　　第二個(gè)是向絕緣體本身注入離子的球體。比如，使用石英及陶瓷球體，將離子注入其100nm以上的深處。這樣帶電體可透明，并可降低材料成本。

　　下面來考慮這兩種帶電體所使用的材料。首先，第一個(gè)球體采用表面由氧化物絕緣體覆蓋的構(gòu)造，但用于封入電荷的氧化物絕緣體必須形成大的禁帶寬度（帶隙，Eg）。具體而言，禁帶寬度要達(dá)到6eV以上。

　　可以滿足這一條件的材料有Si（SiO₂のEg≒8eV)及Al（Al₂O₃のEg≒6eV）。其他候選項(xiàng)還有Ti及Zn，不過是否能夠封入電子還不得而知，因此在此不做討論。另外，Si及Al是豐富的材料，因此不存在資源問題。如果有用其他的能夠用SiO₂及Al₂O₃覆膜包裹金屬的技術(shù)的話，還有望擴(kuò)大材料的選擇范圍。

　　在Si方面，現(xiàn)已證實(shí)其表面氧化后的構(gòu)造具有可長(zhǎng)期保持電荷的性能。如果是EEPROM，即使氧化膜的厚度為約3nm左右，也可保持電子封入狀態(tài)10年以上。因此，如果內(nèi)部采用Si，并將SiO₂覆膜設(shè)定為100nm左右，便有望在10年間保持電子穩(wěn)定封入的狀態(tài)。Si與SiO₂覆膜的組合也許是目前電子封入的最佳材料。制造帶電體時(shí)無需使用結(jié)晶物質(zhì)。雖說一般認(rèn)為帶電體對(duì)雜質(zhì)也不敏感，但尚需要通過實(shí)驗(yàn)加以確認(rèn)。

　　下面來說一下Al，Al的氧化膜也為眾所周知的優(yōu)質(zhì)絕緣體。但在電子封入性能方面迄今并無研究，需要充分的驗(yàn)證。

　　第二種絕緣體是注入離子的方法，但如上所述，可封入電荷的是石英及陶瓷等，并不適于像堿性玻璃那樣對(duì)電而言的低質(zhì)材料。雖然離子注入深度盡管需要達(dá)到100nm以上，但離子的注入不會(huì)使絕緣體質(zhì)量下降。

　　由于以往并無以無機(jī)物制造帶電體的嘗試，因此今后還要充分收集數(shù)據(jù)。利用石英及陶瓷制造帶電體，未必一定要制成球體，還可如下圖一樣制成自由形狀的帶電體。

可制成自由形狀的帶電體