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          電源管理IC是DDR SDRAM存儲器的理想選擇

          作者: 時間:2009-10-28 來源:網(wǎng)絡 收藏

            最后,應選擇足夠大的VREF電流(IREF),使VREF電源具有足夠低的阻抗以提供良好的抗干擾性(小于5mA)。綜上所述,128MB的主要靜態(tài)設計參數(shù)如下:

            VDDQ=2。5V;

            IDDQ=0。396A(平均值)或者3。11A(峰值)(提供電流);

            VTT=VDDQ/2=1。25V;

            ITT=0。528A(平均值),3。11A峰值(提供和吸收電流);

            VREF=VDDQ/2=1。25V;

            IREF=5mA。

            當然,除了向終端負載供電外,如果VDDQ還向其它負載供電,則必須相應增大其容量。

            瞬態(tài)工作模式

            的官方文件JEDECJESD79andJESD8-9規(guī)定,VTT電壓必須等于VDDQ電壓的一半,且誤差必須小于±3%。這個誤差應該包括信號線轉(zhuǎn)換引起的總線上的負載瞬變。但若要估計VTT電源所需的電容大小,還缺少兩個必要參數(shù)。JEDEC規(guī)范沒有說明VTT跟隨VDDQ變化緊密程度(兩者的差別),也沒有規(guī)定VTT的最大負載瞬態(tài)。

            實際上,該規(guī)范希望使噪聲容限最大化,因此不強制VTT在所有時間都等于VDDQ的一半,兩者差別越大,系統(tǒng)就越魯棒。因此,產(chǎn)生VTT最好需要一個帶寬較寬的開關(guān)轉(zhuǎn)換器。

            對于VTT負載瞬態(tài),電流將從+3。11A階躍到-3。11A,從提供電流轉(zhuǎn)到吸收電流。這個具有40mV窗口的6。22A階躍需要一個有效串聯(lián)電阻(ESR)僅為7mΩ的輸出電容,但從兩個方面的實際考慮可以降低這個要求。

            首先,實際的并不真正需要3。11A的電流,測量表明典型電流在0。5~1A范圍內(nèi)。其次,吸收電流和提供電流兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)變非常快,以致轉(zhuǎn)換器檢測不到過渡過程。為了從最大正向電流轉(zhuǎn)到最大負向電流,要求總線從全1轉(zhuǎn)到全0,然后在至少等于轉(zhuǎn)換器翻轉(zhuǎn)間隔的一段時間內(nèi),保持該狀態(tài)不變。因為這個時間間隔為10μs數(shù)量級,總線的工作頻率為100MHz,所以需要在全0狀態(tài)保持1000個周期。這樣,事實上VTT輸出電容的ESR大約只需要40mΩ。

            待機工作模式

            DDR存儲器支持待機工作模式。在這種模式下,存儲器保持其內(nèi)容而不再進行尋址訪問,可在處于待機狀態(tài)的筆記本電腦中看到這種工作模式。在待機模式下存儲器芯片沒有通訊活動,因此VTT電源可以關(guān)閉以節(jié)省電能。當然,VDDQ必須處于工作狀態(tài)以使存儲器保持其內(nèi)容。

            線性調(diào)節(jié)與開關(guān)調(diào)節(jié)

            正如前面提到的,DDR系統(tǒng)的平均功率消耗為:PDDQ=990mW,PTT=660mW??偣臑镻TOTDDR=990mW+660mW=1650mW。比較而言,一個同等容量的DRAM系統(tǒng)消耗功率為2040mW。

            如果為VTT端接一個線性調(diào)壓器,根據(jù)VOUT/VIN=VTT/VDDQ=0。5,該PTT功率只有50%的使用效率,這樣額外的660mW功率就消耗在VTT調(diào)壓器上,從而使整個功率消耗上升到1650+660=2310mW。這個數(shù)值大于存儲器消耗的相應功率,這使DDR存儲器的優(yōu)點不復存在,而只有低功耗的虛名而已。

            至于PDDQ的推出,相對于傳統(tǒng)3。3V的電源,大多數(shù)電源優(yōu)勢來自于2。5V的VDDQ。但是在典型的PC環(huán)境中,電源提供3。3V電壓,而不是2。5V電壓,2。5V電壓需要由主板來提供。另外,除非采用一個有效的調(diào)壓機制來產(chǎn)生VDDQ,否則就會喪失低功耗的優(yōu)勢。因此開關(guān)調(diào)壓將成為處理DDR存儲器PDDQ和PTT功率的最佳選擇。

            在采用DDR2的情況下,VDDQ從2。5V下降到1。8V,VTT從1。25V下降到0。9V,吸收/提供電流的能力為±13。4mA,因此DDR2存儲器所消耗的功率要比第一代DDR小很多。

            例如,DDR2-533的功耗大約只有DDR400的一半。前面針對DDR所做的所有靜態(tài)和動態(tài)分析也適用于DDR2。DDR2的終端設計與圖1中所示的DDR的終端略微有些不同,它的終端電阻集成在存儲器片上,而非布置在主板上,另外還需要一個外部VTT終端電壓。由于DDR2的功耗很低,因此可以使用線性調(diào)壓器,特別是當簡潔和低成本比減小功耗更重要的應用中,更是如此。


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