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          東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

          作者: 時間:2014-06-05 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            日本半導(dǎo)體制造商株式會社(Toshiba)旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布,將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”( Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕,半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/247873.htm

            東芝電子將展出其(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產(chǎn)品、Stack(壓接裝置)產(chǎn)品、SiC(混合型)產(chǎn)品、IPD + MCU(電機驅(qū)動方案)、MOSFETs以及Coupler(光耦)。

            展示產(chǎn)品簡介:

             (Injection Enhanced Gate Transistor)

            東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強”(IE:Injection Enhanced)技術(shù),用于高電壓大電流級別的IGBT使其性能得到大幅提升。隨后,針對100kW到MW級別的超大功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的應(yīng)用,開發(fā)出東芝專利產(chǎn)品IEGT。IEGT通過采取“注入增強結(jié)構(gòu)”實現(xiàn)了低通態(tài)電壓,使大功率電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。作為IGBT系列電力電子器件具有良好的發(fā)展前景,其具有低損耗、高速開關(guān)、高耐壓、有源柵驅(qū)動智能化等特點。并采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)均流等技術(shù),使其在進一步及擴大電流容量方面頗具潛力。目前,東芝的IEGT主要應(yīng)用于新能源、太陽能、風(fēng)能、高壓直流輸電(HVDC)、牽引用特種電源等特大功率電力領(lǐng)域。隨著電力市場項目功率等級和電壓等級的不斷提高,IEGT的優(yōu)勢逐步得到了體現(xiàn)和認(rèn)可?,F(xiàn)在國內(nèi)市場上已經(jīng)有以東芝的IEGT作為核心器件成功運行項目。

            Stack(壓接裝置)

            針對PPI壓接式封裝的產(chǎn)品,需要專用的壓接裝置,東芝將展示客戶版本的壓接裝置,可供其他客戶參考。

            SiC (混合型IEGT)

            東芝已將新型材料碳化硅的技術(shù),成功地應(yīng)用于IEGT模塊中,取代了IEGT中的二極管,實現(xiàn)了高效和高性能的新產(chǎn)品。

            IPD + MCU(電機驅(qū)動方案)

            東芝智能模塊IPD結(jié)合了專用驅(qū)動芯片MCD,可以支持小功率的電機,并已被廣泛地用于家電行業(yè)。

            MOSFETs

            東芝擁有豐富封裝的高壓MOS管(HV-MOS)和低壓MOS(LV-MOS)產(chǎn)品線,能滿足從消費類電子到工業(yè)相關(guān)設(shè)備的不同需求。

            Coupler(光耦)

            東芝光耦的出貨量一直保持全球第一,擁有豐富的封裝和新產(chǎn)品線,能滿足從不同領(lǐng)域的不同需求。

            東芝將在節(jié)能、環(huán)保、綠色及可持續(xù)發(fā)展等方面以全面創(chuàng)新為己任,整合多領(lǐng)域技術(shù),提供優(yōu)秀的產(chǎn)品和技術(shù)支持。

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