應(yīng)用材料公司突破導(dǎo)線技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸

　　應(yīng)用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學(xué)氣相沈積(CVD)系統(tǒng)加入獨(dú)特的鈷金屬后，一舉突破導(dǎo)線技術(shù)傳統(tǒng)瓶頸，讓“摩爾定律”持續(xù)向下進(jìn)展到20納米。此外，應(yīng)材的EnduraVentura實(shí)體氣相沈積(PVD)系統(tǒng)不但成功協(xié)助客戶降低成本，更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。

　　在強(qiáng)大技術(shù)創(chuàng)新突破的支持下，應(yīng)用材料公司在營運(yùn)方面也頗有斬獲。應(yīng)用材料公司臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸表示，拜半導(dǎo)體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應(yīng)用材料公司不斷追求創(chuàng)新與研發(fā)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)之賜，應(yīng)用材料公司第二季營收達(dá)23.5億美元，較去年同期大幅成長19%;此外毛利率也達(dá)44.2%，營業(yè)利益率則達(dá)20.5%。

　　余定陸透露，“應(yīng)用材料公司的市占率也來到近七年的新高，比去年提升1.4個(gè)百分點(diǎn);應(yīng)用材料公司在絕大多數(shù)的產(chǎn)品線都出現(xiàn)顯著成長，蝕刻(Etch)與檢測(PDC)機(jī)臺(tái)產(chǎn)品在市場也大有斬獲，營收雙雙創(chuàng)下近期新高紀(jì)錄。”

　　余定陸表示，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供成長動(dòng)能的移動(dòng)設(shè)備，也持續(xù)為應(yīng)用材料公司帶來許多轉(zhuǎn)折，原因是“我們的客戶需要能夠制造出低耗電、高效能、更快、更便宜的解決方案，這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)尤其有利于應(yīng)用材料公司發(fā)揮精密材料工程方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

　　據(jù)統(tǒng)計(jì)，2010年至2013年晶圓設(shè)備產(chǎn)業(yè)已連續(xù)4年資本支出都達(dá)到300億美元的規(guī)模，2014年更可望成長10%至20%，顯示此一產(chǎn)業(yè)的成長依舊強(qiáng)健。余定陸表示臺(tái)灣晶圓設(shè)備市場的成長尤為驚人，遠(yuǎn)高于業(yè)界平均，預(yù)期到明年，近五年的成長率將達(dá)到47%的高水平。

　　關(guān)于制程方面，余定陸預(yù)測2014年將是晶圓代工產(chǎn)業(yè)20納米技術(shù)與3DNAND起飛量產(chǎn)的一年，技術(shù)層面上最重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn)包括從2D的微影微縮(litho-scaling)，轉(zhuǎn)變?yōu)?D材料與結(jié)構(gòu)上的創(chuàng)新，而使用的材料種類也同時(shí)大幅增加。

　　余定陸同時(shí)表示，晶圓代工產(chǎn)業(yè)也將從過去的SiON氮氧化硅進(jìn)化到HKMG高K值金屬閘極，再發(fā)展到3D鰭式場效晶體管(FinFET)。從28納米技術(shù)的HKMG演進(jìn)至16納米/14納米技術(shù)的FinFET，應(yīng)用材料公司在這個(gè)市場的商機(jī)規(guī)模，可望增加25%~35%。

　　余定陸強(qiáng)調(diào)，應(yīng)材公司的EnduraVoltaCVD系統(tǒng)加入鈷金屬后，不但帶動(dòng)近15年來最重大的導(dǎo)線技術(shù)材料變革，也解決覆銅電路長期面對(duì)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，讓“摩爾定律”一口氣突破20納米瓶頸，成為目前市面上唯一能夠做到精密鈷金屬薄膜沈積的機(jī)臺(tái)。此外，在EnduraVenturaPVD系統(tǒng)方面，除了展現(xiàn)應(yīng)材公司的精密材料工程技術(shù)，也獨(dú)特地支持以鈦?zhàn)鳛樽枵蠈恿慨a(chǎn)的替代材料，能節(jié)省更多成本，這套領(lǐng)先業(yè)界推出高量產(chǎn)等級(jí)的硅穿孔(TSV)金屬化制程解決方案，大幅提高TSV制程的可靠性。