我國(guó)成功實(shí)現(xiàn)8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

　　國(guó)內(nèi)首條、世界第二條的8英寸IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)專(zhuān)業(yè)芯片生產(chǎn)線(xiàn)在中國(guó)南車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)南車(chē)株洲所)建成，中國(guó)首片8英寸IGBT芯片同時(shí)下線(xiàn)。這條生產(chǎn)線(xiàn)總投資15億元，首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，真正實(shí)現(xiàn)IGBT的國(guó)產(chǎn)化。它的投產(chǎn)將打破國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對(duì)于保障國(guó)民經(jīng)濟(jì)安全、推動(dòng)兩型社會(huì)建設(shè)具有重大戰(zhàn)略意義。

　　為實(shí)現(xiàn)我國(guó)在高端IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)上的突破，國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝專(zhuān)項(xiàng)”重點(diǎn)支持南車(chē)株洲所牽頭開(kāi)展了攻關(guān)，湖南省科技廳將該項(xiàng)目列入“省承接國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)成果轉(zhuǎn)化專(zhuān)項(xiàng)”和“省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)科技攻關(guān)與重大科技成果轉(zhuǎn)化項(xiàng)目”重點(diǎn)項(xiàng)目，對(duì)南車(chē)株洲所進(jìn)行了連續(xù)支持。經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，南車(chē)株洲所攻克了30多項(xiàng)重大難題，終于掌握了IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用等成套技術(shù)，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。其產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)實(shí)力都達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平，特別是在溝槽技術(shù)、高能離子注入、超薄片加工、激光退火與銅金屬化工藝等關(guān)鍵技術(shù)的運(yùn)用方面都走在國(guó)際前列。

　　這條8英寸IGBT專(zhuān)業(yè)芯片線(xiàn)全面建成投產(chǎn)后，年產(chǎn)值預(yù)計(jì)可突破20億元。同時(shí)，按照全球IGBT技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，南車(chē)株洲所正在研發(fā)第五代、預(yù)研第六代IGBT技術(shù)，以持續(xù)確保我國(guó)在IGBT產(chǎn)業(yè)上的技術(shù)支撐與核心競(jìng)爭(zhēng)力。