三星全力投入10nm存儲器制程 拉大競爭差距

　　三星電子(SamsungElectronics)半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部旗下半導(dǎo)體總括兼系統(tǒng)LSI事業(yè)部長金奇南，將以10奈米級記憶體晶片量產(chǎn)一決勝負(fù)。DS事業(yè)部的技術(shù)研發(fā)和投資焦點(diǎn)，也從設(shè)計(jì)技術(shù)轉(zhuǎn)移到制程技術(shù)。

　　自1993年起，三星在記憶體市場上維持超過20年的霸主地位，秘訣就在于提升制程技術(shù)，拉大與競爭對手的差距。

　　據(jù)南韓經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)導(dǎo)，金奇南在2014年2月接任記憶體事業(yè)部長職務(wù)后曾指示，將全力投注在平面記憶體晶片電路精細(xì)化。截至2013年，三星記憶體事業(yè)部仍致力于研發(fā)系統(tǒng)晶片控制器和40奈米級NAND垂直堆疊3D技術(shù)，但進(jìn)入2014年后依照金奇南的指示，將轉(zhuǎn)換重心到平面記憶體微細(xì)制程。

　　三星內(nèi)部人員透露，美國等海外半導(dǎo)體廠進(jìn)行技術(shù)投資，加強(qiáng)研發(fā)電路微細(xì)化制程和材料技術(shù)，并致力推動四重微影(QPT)等制程技術(shù)商用化。三星仍持續(xù)研發(fā)3D技術(shù)，但目前將把重心放在平面NANDFlash制程微細(xì)化上。

　　記憶體晶片可分為DRAM和NANDFlash兩大類。主要DRAM廠三星、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)等都以20奈米級制程生產(chǎn)。NAND方面，三星和東芝(Toshiba)的制程發(fā)展到19奈米后，轉(zhuǎn)往3D技術(shù)，SK海力士則準(zhǔn)備以16奈米級制程生產(chǎn)。

　　電路線幅越縮減，可使電子更容易移動，耗電量越小，驅(qū)動速度更快。一片晶圓可制造的半導(dǎo)體數(shù)量增加，價(jià)格也越低。問題在于微細(xì)制程在進(jìn)入20奈米級后，自2012年起陷入電路微細(xì)化的瓶頸。

　　南韓業(yè)界認(rèn)為，想要制造電路線幅在20奈米以下的記憶體晶片，形成電路圖樣的曝光機(jī)需改用極紫外線(EUV)設(shè)備。荷蘭業(yè)者ASML自主研發(fā)的EUV設(shè)備，每臺價(jià)格超過1,000億韓元(約9,885萬美元)，價(jià)格昂貴。

　　三星、英特爾(Intel)等半導(dǎo)體大廠2012年對ASML投資64億美元，也是期望ASML能持續(xù)研發(fā)EUV曝光設(shè)備。然經(jīng)過2年后，EUV設(shè)備的性能并沒有大幅改善，這也是三星改以3D或研發(fā)控制器技術(shù)取代微細(xì)化制成的背景因素。

　　盡管如此，金奇南接手記憶體事業(yè)部后，仍致力于電路微細(xì)化的研發(fā)作業(yè)，改變了原本的事業(yè)方向。三星內(nèi)部人員透露，三星的目標(biāo)在不使用EUV設(shè)備的前提下，確?？缮a(chǎn)15奈米以下DRAM和NANDFlash產(chǎn)品的技術(shù)。

　　NAND控制器或3D技術(shù)是相對容易被競爭對手趕上的技術(shù)，但若實(shí)現(xiàn)10奈米級以下微細(xì)制程，將可與競爭對手拉開更大的差距