三大因素決定RF功率放大器未來市場格局

市場調(diào)研公司ABI Research日前發(fā)表了一份關(guān)于無線基站RF功率放大器市場的研究報(bào)告，認(rèn)為有三大因素將決定該市場在未來五年的格局。據(jù)ABI Research的無線基礎(chǔ)設(shè)施研究主管Lance Wilson介紹，該項(xiàng)研究確定了三方面的因素，該市場中的全部廠商都將需要加以重視。

第一，市場整合已改變了產(chǎn)業(yè)形勢：價(jià)格下跌、成本壓力和總體市場需求下降，已造成了競爭慘烈的商業(yè)環(huán)境。這種趨勢注定要保持下去。

第二，“對于總有效市場(TAM)正在縮小的認(rèn)識，真正開始深深觸動(dòng)市場中每一個(gè)廠商?！盬ilson表示，“各廠商根據(jù)自己的市場地位，將需要認(rèn)真考慮對于堅(jiān)持這項(xiàng)業(yè)務(wù)的承諾。確實(shí)，有些廠商能否幸存可能取決于它們進(jìn)入無線基礎(chǔ)設(shè)施以外的其它新領(lǐng)域、使其業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)多元化的能力。”

一些供應(yīng)商開始提供垂直整合的基站半導(dǎo)體產(chǎn)品，試圖擺脫這樣的市場困擾；然而，Wilson觀察到：“這個(gè)極度競爭的市場由于規(guī)模太小，這樣銷售反而更加吃力?！?BR>
最后，一項(xiàng)新的技術(shù)看來將改變該市場的特點(diǎn)。氮化鎵(GaN)很適用于某些類型的開關(guān)型高效率放大器。該技術(shù)在過去兩年里取得了長足的進(jìn)步，據(jù)ABI Research的分析，GaN有望在2011年對硅LDMOS構(gòu)成非?？尚诺耐{。