用數(shù)字熒光示波器對開關(guān)電源功率損耗進行精確分析

隨著電子產(chǎn)品對開關(guān)電源需求不斷增長，下一代開關(guān)電源的功率損耗測量分析也越來越重要。本文介紹如何將數(shù)字熒光示波器和功率測量軟件結(jié)合起來，迅速測定開關(guān)電源的功率損耗，并輕松地完成各項所需的測量和分析任務(wù)。

高速GHz級處理器需要新型開關(guān)電源(SMPS)提供高電流和低電壓，這給電源設(shè)計人員在效率、功率密度、可靠性和成本等方面增加了新的壓力。為了在設(shè)計中考慮這些需求，設(shè)計人員紛紛采用同步整流技術(shù)、有源功率濾波校正和提高開關(guān)頻率等新型體系結(jié)構(gòu)，但這些技術(shù)也隨之帶來了一些新的難題，如開關(guān)上較高的功率損耗、熱耗散和過度的EMI/EMC等。

從“關(guān)”(導通)至“開”(關(guān)斷)狀態(tài)轉(zhuǎn)換期間，電源會出現(xiàn)較高的功率損耗；而處于“開”或“關(guān)”狀態(tài)之中開關(guān)功率損耗則較少，因為通過電源的電流或電源上的電壓很小。電感器和變壓器可隔離輸出電壓并平滑負載電流，但電感器和變壓器也易受開關(guān)頻率的影響，從而導致功率耗散和偶爾由于飽和而造成故障。

功率損耗分析

由于開關(guān)電源內(nèi)部消耗的功率決定了電源熱效應(yīng)的總體效率，所以測定開關(guān)裝置和電感器/變壓器的功率損耗是一項極為重要的測量工作，它可測定功率效率和熱耗散。

設(shè)計人員在精確測量和分析各種設(shè)備的瞬時功率損耗時，會面臨下面一些困難：

• 需要測試裝置對功率損耗進行精確測量
• 如何校正電壓和電流探頭傳導延遲所造成的誤差
• 如何計算非周期性開關(guān)變化的功率損耗
• 如何分析負載動態(tài)變化期間的功率損耗
• 如何計算電感器或變壓器的磁芯損耗

測試裝置

圖1為開關(guān)變換簡化電路圖，MOSFET場效應(yīng)功率晶體管在40kHz時鐘激勵下控制著電流。圖中的MOSFET沒有與AC饋電線接地或電路輸出接地的連接，即與地隔離，因此無法用示波器進行簡單的接地參考電壓測量。因為若把探頭的接地導線連接在MOSFET任何端子上，都會使該點通過示波器與地短路。

在這種情況下，差分測量是測量MOSFET電壓波形的最好方法。通過差分測量，可測定VDS即MOSFET漏極和源極的電壓。VDS可在電壓之上浮動，電壓范圍為幾十伏至幾百伏，這取決于電源的電壓范圍?？赏ㄟ^下面幾種方法測量VDS：

1. 懸浮示波器的機箱地線。建議不要使用，因為這樣不安全，對用戶、被測設(shè)備和示波器都有危險。
2. 使用兩個常規(guī)單端無源探頭，將其接地導線連接在一起，然后用示波器的通道計算功能進行測量。這種測量法叫做準差分測量，雖然無源探頭可與示波器的放大器結(jié)合使用，但缺少避免共模電壓“共模抑制比”(CMRR)功能。這種設(shè)置不能準確測量電壓，不過可使用已有的探頭，不必購買新配件。
3. 購買一個探頭隔離器隔離示波器機箱接地。探頭接地導線將不再為接地電位，并可將探頭與測試點直接連接。探頭隔離器是一種有效的解決方案，但比較昂貴，其成本是差分探頭的二至五倍。
4. 在寬帶示波器上使用真正的差分探頭?？赏ㄟ^差分探頭精確地測量VDS，這也是最好的方法。

通過MOSFET進行電流測量時，先將電流探頭夾好，然后微調(diào)測量系統(tǒng)，許多差分探頭都裝有內(nèi)置的直流偏移微調(diào)電容器。關(guān)閉被測設(shè)備，待示波器和探頭完全預熱后，可設(shè)定示波器測量電壓和電流波形的平均值。敏感度設(shè)置應(yīng)使用實際測量所用的數(shù)值，在沒有信號的情況下，調(diào)整微調(diào)電容器，將每個波形的零位平均值調(diào)至0V。這一步驟可最大限度減少因測量系統(tǒng)內(nèi)的靜態(tài)電壓和電流而導致的測量誤差。