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          LED 芯片封裝缺陷檢測(cè)方法及機(jī)理研究
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2010-05-12
				來源：網(wǎng)絡(luò)
				
				
				
				
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          任意點(diǎn)的勢(shì)壘
          　　圖2為在電場(chǎng)f’作用‘F芯片電極表面的勢(shì)壘圖，其中EF為費(fèi)米能級(jí)，U'為電子發(fā)射勢(shì)壘。由圖2
          電子發(fā)射勢(shì)壘
          勢(shì)壘圖
          若芯片電極表面為突變結(jié)，其值為U0，光生電流在隧道結(jié)兩側(cè)形成的電場(chǎng)強(qiáng)度為F，電極表面以外的勢(shì)壘為U0- qFx。取芯片電極導(dǎo)帶底為參考能級(jí)E0(x=0)，因而有x0處，U(x)=0；x>0處，U(x)=U0- qFx，根據(jù)條件U(x)=E=U0- qFx2
          　　式中d為膜層厚度，V為膜層隧道結(jié)兩側(cè)電壓。當(dāng)LED芯片發(fā)生光生伏特效應(yīng)時(shí)，由式(7)可知，流過芯片電極表面非金屬膜層的電流受到膜層厚度的影響，隨著膜層增厚，流過膜層的電流減小，流過LED支架回路的光電流也將減小。
          　　　綜上所述，引腳式LED支架回路光電流的有無或大小可以反映封裝工藝中LED芯片的功能狀態(tài)及芯片電極與引線支架的電氣連接情況，因此，可以通過檢測(cè)LED支架回路光電流達(dá)到檢測(cè)引腳式封裝工藝中芯片功能狀態(tài)和封裝缺陷。 
				
            
          
                
			
							
          
                
			            
                            
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            LED
                        芯片封裝
                        缺陷檢測(cè)
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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