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          一種基于MCU的同步Boost的移動(dòng)電源設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2014-07-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            1.引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/256060.htm

            隨著iphone、ipad帶動(dòng)的全球智能手機(jī)、平板的風(fēng)靡一時(shí),人手一部智能手機(jī)已經(jīng)不再是遙遠(yuǎn)的夢(mèng)想,手機(jī)與平板是人們外出的必備物品,除了兼具通信、拍照、電腦功能之外,這些數(shù)碼設(shè)備同是也是一種時(shí)尚體現(xiàn),對(duì)輕巧纖薄的完美外形之極致追求與電池的續(xù)航能力成為一對(duì)矛盾。為了追求完美,iphone、ipad更是設(shè)計(jì)出一體化用戶不可拆卸機(jī)身,電池?zé)o法拆卸,于是成為了數(shù)碼后備電源的必須品,其市場(chǎng)需求隨著智能設(shè)備的發(fā)展迅速擴(kuò)大。

            2.方案分析

            2.1 技術(shù)規(guī)格與方案比較

            當(dāng)前適用于手機(jī)平板的主流的規(guī)格為:

            (1)具有鋰電池充放電管理功能;

            (2)5V/500mA/1A/2A輸出。

            其中,鋰電池充放電管理由“保護(hù)IC+ASIC或”實(shí)現(xiàn),5V/500mA/1A/2A輸出由鋰電池升壓加反饋控制實(shí)現(xiàn)。在移動(dòng)電壓的方案中,最關(guān)鍵的指標(biāo)和技術(shù)難點(diǎn)是升壓輸出的效率,因?yàn)殇囯姵爻潆婋娫匆话銇?lái)自220V市電充電器,不需要特別強(qiáng)調(diào)效率,而升壓是將電池的電能輸出給手機(jī)、平板,充電效率特別重要。以10000mA時(shí)的為例,90%的效率與70%效率的Boost充電電路,輸出電能相差2000mAh,從用戶體驗(yàn)來(lái)看,效率低的移動(dòng)電源發(fā)熱嚴(yán)重,安全隱患也較大。Boost電路主要有兩種,一種為二極管續(xù)流Boost,電路相對(duì)簡(jiǎn)單,一種為同步Boost,電路相對(duì)復(fù)雜,對(duì)控制時(shí)序的精度要求高,過(guò)去幾年由于需求旺盛,為了快速出貨,大量方案均采用二極管續(xù)流的Boost方案,價(jià)格戰(zhàn)非常劇烈,因此,高端廠家開(kāi)始轉(zhuǎn)移到同步Boost方案。

            2.2 專用的同步Boost方案

            移動(dòng)電源專用 HT45F4M的方案是當(dāng)前市場(chǎng)廣泛采用的同步Boost方案,具有電路簡(jiǎn)潔,效率高的特點(diǎn),原廠提供的技術(shù)指標(biāo)為:靜態(tài)耗電小于10uA,實(shí)測(cè)放電轉(zhuǎn)換效率最高超過(guò)91%(5V/700mA輸出時(shí))。鋰電池保護(hù)機(jī)制:過(guò)流過(guò)壓過(guò)溫保護(hù)。其同步Boost的原理圖與二極管續(xù)流Boost對(duì)比如圖1所示。

            

           

            圖1 HT45F4M同步Boost與通用MCU二極管續(xù)流Boost對(duì)比

            由圖1所致可見(jiàn),HT45F4M與通用MCU相比,主要特點(diǎn)是內(nèi)置互補(bǔ)式的PWM輸出功能,通過(guò)OUTL、OUTH的PWM互補(bǔ)時(shí)序,分別控制NMOS、PMOS的通斷,從而實(shí)現(xiàn)同步Boost。我們實(shí)測(cè)過(guò)該方案的成品,效率與廠家提供的指標(biāo)基本一致,與二極管Boost方案相比,1A以上大電流工作時(shí),其功率器件發(fā)熱量低,效果差別明顯,性能良好。

            3.互補(bǔ)式PWM的IC設(shè)計(jì)實(shí)

            現(xiàn)由于HT45F4M與通用MCU的主要差異是互補(bǔ)式的PWM輸出,如果設(shè)計(jì)一顆實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)式PWM輸出的ASIC,適當(dāng)選擇具有PWM輸出功能的通用MCU搭配,也可以實(shí)現(xiàn)類似HT45F4M的功能。這種IC設(shè)計(jì)+通用MCU的方案可以廣泛利用現(xiàn)有的大量MCU資源,更具靈活性,成本也有競(jìng)爭(zhēng)力。

            3.1 結(jié)構(gòu)框圖與時(shí)序圖

            互補(bǔ)式的PWM的結(jié)構(gòu)框圖與時(shí)序圖如圖2所示,由通用MCU產(chǎn)生PWM輸出,輸入ASIC,經(jīng)延時(shí)時(shí)間插入電路,產(chǎn)生互補(bǔ)式的PWM輸出,此PWM輸出為PWMp,PWMn兩路,PWMp控制P-MOS,PWMn控制N-MOS。這兩個(gè)MOS管在充電時(shí),用于控制充電電流;在放電時(shí)可用于控制放電電壓。充電時(shí),PMOS導(dǎo)通的時(shí)間越長(zhǎng),充電功率越大。放電時(shí),NMOS導(dǎo)通的時(shí)間越長(zhǎng),放電功率越大。

            

           

            圖2 互補(bǔ)式的PWM的結(jié)構(gòu)框圖與時(shí)序圖

            3.2 ASIC的設(shè)計(jì)與仿真分析

            我們使用Candence IDE設(shè)計(jì)仿真了一顆ASIC,實(shí)現(xiàn)圖2所示的互補(bǔ)輸出,由MCU提供PWM信號(hào),通過(guò)延時(shí)和組合邏輯實(shí)現(xiàn)圖2所示的PWM互補(bǔ)輸出時(shí)序。圖3所示為PWM與PWMn時(shí)序的仿真結(jié)果,圖中電壓峰值低者為來(lái)自MCU的PWM信號(hào),電壓峰值高者為PWMn信號(hào),PWMn下降沿與PWM的上升沿幾乎重疊,PWMn上升沿滯后于PWM的下升沿。時(shí)序上與圖2所示一致。

            

           

            圖3 PWM與PWMn信號(hào)的仿真時(shí)序


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