超薄雙管MOSFET

　　封裝的創(chuàng)新非常重要，尤其是在設(shè)計(jì)適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計(jì)所需的超薄的MOSFET時(shí)更顯得不可或缺。

　　計(jì)算機(jī)、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點(diǎn)是如何設(shè)計(jì)出盡可能小的外形尺寸。現(xiàn)在，設(shè)計(jì)人員可通過(guò)與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。

　　最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集，同時(shí)還可降低功耗，減少散熱。

       這款極小型器件的面積為 2.5 毫米 × 3 毫米，高度不足 0.5 毫米，可實(shí)現(xiàn)具有最低導(dǎo)通電阻的輕薄設(shè)計(jì)。電源塊 II 可提高標(biāo)準(zhǔn)分立式 MOSFET 的效率，實(shí)現(xiàn)顯著的節(jié)電效果。

　　電源塊 II 采用創(chuàng)新的柵格陣列式 LGA 封裝，可在半個(gè)橋配置中嵌入 兩個(gè)分立式 MOSFET。這樣可為較低的導(dǎo)通電阻及小尺寸實(shí)現(xiàn)最多的硅含量。該器件系列可生成 15A 至 30A 的連續(xù)電流。此外，它們還具有 DualCoolTM 功能，可通過(guò)散熱片進(jìn)行頂部制冷，支持更大的電流。除了更好的散熱性能外，最新電源塊 II 封裝還符合 ROHS 標(biāo)準(zhǔn)，完全不含鹵素和鉛。

其它資源：

　　查看 CSD87381P NexFET 的產(chǎn)品說(shuō)明書。

　　觀看 TI 最新電源塊 II 器件的概覽視頻。