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          在WinCE下,應(yīng)用程序直接讀/寫(xiě)/擦除flash設(shè)備的方法

          作者: 時(shí)間:2009-05-27 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          在網(wǎng)上的很多論壇中都看到有人提問(wèn):應(yīng)用程序如何直接讀寫(xiě)Flash的扇區(qū),或者是類(lèi)似的問(wèn)題??傊?,就是希望應(yīng)用程序能夠直接訪(fǎng)問(wèn)Flash設(shè)備,直接讀寫(xiě)扇區(qū)的數(shù)據(jù),或者作其他的操作。這幾天沒(méi)事,就嘗試著做了一下,把我的方法介紹給大家。

          先做個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。支持Flash設(shè)備,一般指Nandflash或者是,采用的架構(gòu)一般是,我們實(shí)現(xiàn)FMD相關(guān)的接口函數(shù),F(xiàn)lash的驅(qū)動(dòng)就算完成了。當(dāng)啟動(dòng)以后,我們能夠看到Flash設(shè)備的磁盤(pán)。我們可以操作磁盤(pán)上面的文件,但是不能直接操作flash設(shè)備,對(duì)Flash設(shè)備的操作無(wú)非就是:讀,寫(xiě),擦除,讀ID。

          現(xiàn)在開(kāi)始介紹實(shí)現(xiàn)的方法。我們?nèi)绻朐趹?yīng)用程序中直接調(diào)用FMD中的FMD_ReadSector(..),F(xiàn)MD_WriteSector(..),F(xiàn)MD_EraseBlock(..)是不太現(xiàn)實(shí)的。這里再補(bǔ)充一下,這三個(gè)函數(shù)分別是Flash的讀扇區(qū),寫(xiě)扇區(qū),擦除塊的函數(shù)。好像有點(diǎn)羅嗦了。但是我們可以在應(yīng)用程序中調(diào)用到FMD_OEMIoControl(..)函數(shù),這個(gè)是可以做到的。所以我們需要改一下Flash設(shè)備的驅(qū)動(dòng)程序,也就是改Flash設(shè)備驅(qū)動(dòng)中的FMD_OEMIoControl(..)這個(gè)函數(shù)。我的改動(dòng)如下:

            BOOL FMD_OEMIoControl(DWORD dwIoControlCode, PBYTE pInBuf,DWORDnInBufSize, PBYTE pOutBuf, DWORD nOutBufSize,PDWORDpBytesReturned)

            PFMDInterface pInterface = (PFMDInterface)pOutBuf;

            RETAILMSG(1, (TEXT(FMD_OEMIoControl: control code is0x%xrn),dwIoControlCode));

            switch(dwIoControlCode)

            case IOCTL_FMD_GET_INTERFACE:

            if (!pOutBuf nOutBufSize sizeof(FMDInterface))

            DEBUGMSG(1, (TEXT(FMD_OEMIoControl: IOCTL_FMD_GET_INTERFACEbadmeter(s).rn)));

            return(FALSE);

            pInterface->cbSize = sizeof(FMDInterface);

            pInterface->pInit = FMD_Init;

            pInterface->pDeInit = FMD_Deinit;

            pInterface->pGetInfo = FMD_GetInfo;

            pInterface->pGetInfoEx = NULL; //FMD_GetInfoEx;

            pInterface->pGetBlockStatus = FMD_GetBlockStatus;

            pInterface->pSetBlockStatus = FMD_SetBlockStatus;

            pInterface->pReadSector = FMD_ReadSector;

            pInterface->pWriteSector = FMD_WriteSector;

            pInterface->pEraseBlock = FMD_EraseBlock;

            pInterface->pPowerUp = FMD_PowerUp;

            pInterface->pPowerDown = FMD_PowerDown;

            pInterface->pGetPhysSectorAddr = NULL;

            pInterface->pOEMIoControl = FMD_OEMIoControl;

            break;

            case 0xff123456:

            FMD_ReadSector(..);//調(diào)用讀Sector函數(shù)

            break;

            case 0xff654321:

            FMD_WriteSector(..);//調(diào)用寫(xiě)Sector函數(shù)

            break;

            case 0xff123457:

            FMD_EraseBlock(..);//調(diào)用擦除Block函數(shù)

            break;

            default:

            DEBUGMSG(1, (TEXT(FMD_OEMIoControl: unrecognizedIOCTL(0x%x).rn), dwIoControlCode));

            return(FALSE);

            return(TRUE);

          在FMD_OEMIoControl(..)函數(shù)里面增加了3個(gè)case,這3個(gè)case里面調(diào)用了讀/寫(xiě)/擦除函數(shù)。至于Case的值,我是隨便定義的。這樣Flash設(shè)備的驅(qū)動(dòng)部分就改完了。

          在改完Flash驅(qū)動(dòng)以后,我下面會(huì)提供兩種方法,每一種方法都和Flash設(shè)備的注冊(cè)表配置有關(guān):

          1. 以Nandflash為例,當(dāng)然對(duì)于來(lái)說(shuō)大同小異,注冊(cè)表配置如下:

            [HKEY_LOCAL_MACHINEDriversBuiltInNANDFlash]

            Dll=ep94xxnandflash.dll

            Prefix=DSK

            Order=dword:4

            ;Ioctl=dword:4

            Profile=NSFlash

            IClass=A4E7EDDA-E575-4252-9D6B-4195D48BB865

            ; Override names in default profile

            [HKEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlash]

            Name=Ep94xx NAND Flash

            Folder=NANDFlash

            PartitionDriver=MSPart.dll

            AutoMount=dword:1

            AutoPart=dword:1

            AutoFormat=dword:1

            [HKEY_LOCAL_MACHINESystemStorageManagerProfilesNSFlashFATFS]

            EnableCache=dword:1

            CacheSize=dword:1000

            MountBootable=dword:1

            Flags=dword:00000024

            CheckForFormat=dword:1

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