靜電防護(hù)和多層壓敏電阻
靜電(ESD)的研究由來已久,但是從來沒有像現(xiàn)在這樣受到工業(yè)界的重視,主要的原因是現(xiàn)在的電子設(shè)備越來越小型化、通訊設(shè)備傳輸工作電壓越來越低和通信頻率的越來越高。特別是隨著集成電路集成度增加,靜電也越來越顯示出它的危害性。靜電的發(fā)生是隨時隨處的,從靜電敏感設(shè)備的生產(chǎn)、裝配、運(yùn)輸?shù)綉?yīng)用的每一個環(huán)節(jié),都有可能遭受靜電的破壞。專家估計,ESD的對工業(yè)產(chǎn)品的破壞占到總數(shù)的8~33%,每年大約有幾十億美元的損失1,我國通訊行業(yè)每年由靜電危害造成的損失高達(dá)幾億元人民幣2.所破壞的產(chǎn)品從一個簡單的二極管到上百美元的設(shè)備。下圖是美國的半導(dǎo)體協(xié)會在1993年對半導(dǎo)體產(chǎn)品損壞的一個原因調(diào)查,調(diào)查的結(jié)果顯示,ESD是半導(dǎo)體產(chǎn)品損壞的頭號殺手。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/258610.htm |
圖1:靜電破壞成為半導(dǎo)體設(shè)備失效的第一殺手 |
來自Intel的資料表明,在引起電腦故障的諸多因 素中,EOS/ESD是最大的隱患,將近一半的電腦故障都是由EOS/ESD引起的3。
圖2:ESD是電腦故障的罪魁禍?zhǔn)?/p> |
本文主要從靜電產(chǎn)生的機(jī)理,防護(hù)的原理和多層壓敏電阻技術(shù)特點(diǎn)及其發(fā)展競爭的態(tài)勢來探討靜電的防護(hù)和多層壓敏電阻的發(fā)展。
2.靜電的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和破壞的機(jī)理靜電的產(chǎn)生是基于摩擦生電的機(jī)理
當(dāng)兩種不同的物體相互接觸和分離時,由于兩種物體表面電子活性的不同,會使一種物體帶正電,而另一種物體帶負(fù)電,典型的例子就是耳熟能詳?shù)拿ず拖鹉z的摩擦生電。在靜電的研究中,有三種靜電的模型:(1)第一種就是所謂的人體模型(HBM),(2)帶電體模型(CMD),(3)機(jī)器模型(MM)。其中人體模型為脈沖衰減電路,后兩者為周期震蕩衰減電路。三種模型的典型峰值電流分別為:
1.3A(2,000VHBM)、15A(@4pF">1000VCDM@4pF)以及3.8A(200VMM)。這三種模型中最常見,也是最被重視的模型是所謂的人體模型,這種模型模擬的是當(dāng)人體帶電(正電或者負(fù)電)時,接觸電子設(shè)備,人身上的電荷向設(shè)備轉(zhuǎn)移的情況。模擬波形產(chǎn)生的電路原理圖和設(shè)備圖如圖3所示。通常充電的電容是100pF,而放電電阻一般取1.5K歐姆。
圖3:人體模型的產(chǎn)生原理和設(shè)備示意圖 |
國際電工協(xié)會(IEC)在標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2中規(guī)定了靜電波形的形狀,這個靜電波形也是被絕大部分標(biāo)準(zhǔn)所承認(rèn),比如美國軍標(biāo)MIL-STD-883E和國標(biāo)GB/T17626.2。其中在電子設(shè)備的靜電保護(hù)中,IEC61000-4-2是被廣泛引用的一個標(biāo)準(zhǔn)。
圖4:IEC61000-4-2中規(guī)定的靜電波形在這個標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定了靜電測試的不同等級 |
表1:IEC61000-4-2中規(guī)定的靜電測試等級 |
其中接觸放電測試方法是靜電放電測試中的首選,只有在接觸放電有問題時,才考慮空氣放電。之所以規(guī)定不同的放電等級,是考慮在不同的靜電放電情況,比如在半導(dǎo)體和IC的保護(hù)中,2KV的放電標(biāo)準(zhǔn)是經(jīng)常被引用的。在實際的IC設(shè)計中,要考慮靜電放電的防護(hù)問題,其中一種方法是IC內(nèi)自己做了防護(hù),一般是1KV或者2KV的靜電防護(hù)標(biāo)準(zhǔn),但是這樣會占用寶貴的IC空間,所以就有了第二種靜電防護(hù)方法,即芯片外防護(hù),芯片外防護(hù)的另一個重要的原因就是實際的靜電等級遠(yuǎn)大于2KV,在一些汽車標(biāo)準(zhǔn)中,可能達(dá)到25KV的靜電放電等級。靜電放電對設(shè)備的破壞形式有兩種5,一種是所謂的災(zāi)難性破壞(Catastrophic Failure),這種破壞對設(shè)備的表現(xiàn)為不能正常工作,或者某些節(jié)點(diǎn)的擊穿等,一般這種破壞的設(shè)備或器件能很容易檢測出來。還有一種破壞叫做潛在的破壞(Latent Defect),這種破壞一般表現(xiàn)為靜電能量較小,不足以使設(shè)備立即失效,僅僅表現(xiàn)為工作不穩(wěn)定等,或者干脆就沒有外在的特異表現(xiàn)。但是這種破壞卻最危險,輕則縮短設(shè)備的使用壽命,重則對以后的系統(tǒng)甚至人身產(chǎn)生危害,同時一般因為問題表現(xiàn)不明顯,給檢測帶來了困難,更糟糕的是維修人員一般把這種問題歸咎為材料不良或者設(shè)計缺陷等其它原因,對問題的解決抱有僥幸心理,直到災(zāi)難的發(fā)生。
3.靜電的防護(hù)
靜電的防護(hù)是一個系統(tǒng)工程,從靜電的產(chǎn)生、靜電的積累、靜電的釋放、靜電釋放的路徑的選擇 和釋放靜電的量的控制全方位考慮,但是因為靜 電破壞的復(fù)雜性,至今還沒有一個很好的方法去完全解決靜電問題。如果因為靜電的防護(hù)去請教100個靜電專家,得到的答案可能是100個不同的答案。但是這也不代表我們對靜電問題束手無策,在靜電保護(hù)的過程中,我們只要遵循一個原則:靜電的積累必然有靜電的釋放,所以我們只要給靜電選好放電的路徑和放電的去處即放電地,就能很好的進(jìn)行靜電的釋放6。在靜電保護(hù)的方法中,最常用的就是在被保護(hù)的設(shè)備兩端并聯(lián)一個過電壓保護(hù)器件,當(dāng)靜電超過某個安全閾值,保護(hù)器件擊穿,把過電流釋放到安全地。
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