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          靜電防護和多層壓敏電阻

          作者: 時間:2008-11-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/258610.htm  正如圖4所示波形,有以下幾個特點。

            1)發(fā)生的時間特別短,在0.7~1ns之間。

            2)雖然總體能量不大,但是瞬間電壓的峰值特別大,到了千伏甚至幾十千伏量級。如果考慮到防護的對象主要對IC電路,即對工作電壓低,傳輸頻率高和較窄管腳布線的保護,還要求保護器件具有特點:

            3)低的擊穿電壓。

            4)極低電容。

            下圖是Littlefuse對被保護設(shè)備傳輸頻率與保護器件電容的一個關(guān)系圖。

            其中圖的頂端橫軸顯示的是傳輸頻率,單位是Mbps/s,縱軸顯示的是Littlefuse的器件。查對Litttlefuse相應(yīng)的產(chǎn)品可知,電容為3pF的保護器件能用在傳輸頻率是400Mbps的傳輸頻率保護上。而超過480Mbps,就只能用電容小于1pF的保護器件了,否則,保護器件就對高頻傳輸信號有較大的損耗,使傳輸波形失真。

            符合靜電防護的器件通常有多層壓敏(MLV),TVS二極管兩種。其中TVS二極管因為較大的結(jié)面積使能承受較大的沖擊能量,但是因為封裝尺寸較大,價格較高等因素,使得TVS二極管并不比MLV更占優(yōu)勢,同時因為TVS二極管的電容很難做到1pF以下,從而在480Mbps以上的頻率應(yīng)用上并不合適。而多層壓敏因為以下特點使得特別適合靜電保護。

            1)極快反應(yīng)時間,通常小于1ns.

            2)小尺寸,現(xiàn)在村田公司和松下公司已經(jīng)有了0201的產(chǎn)品。

            3)極高的能量處理能力。因為采用疊層技術(shù),使得通流能力大大加強。

            4)極低的價格。

            5)低的觸發(fā)動作電壓,最小的保護不動作電壓已經(jīng)到了3V的量級。

            6)雙向?qū)üδ?,因為瞬間的電壓可能是正電壓,也可能是負電壓。

            下圖是Littlefuse的3pF的MLV在USB接口保護中的一個典型應(yīng)用實例。通用于一般的過電壓保護器件,MLV的用法相當(dāng)簡單,只要把MLV并聯(lián)在被保護的設(shè)備兩端即可,在本例中,在每根數(shù)據(jù)線上并聯(lián)一個MLV完成對USB接口的保護。

          圖6:MLV在USB防護中的應(yīng)用實例


            5.MLV技術(shù)特點和種類

            多層壓敏的技術(shù)并不是什么新技術(shù),實際上最早在20世紀70年代后期,美國電腦電氣公司率先采用類似獨石陶瓷電容器生產(chǎn)工藝制成了疊層壓敏電阻器。這種技術(shù)跟市場上流行的多層電容的技術(shù)是一致的,因為采用了疊層技術(shù),所以使得MLV的通流能力大大加強。下圖是一個多層壓敏電阻結(jié)構(gòu)示意圖和的金相圖。

          圖7:多層壓敏電阻結(jié)構(gòu)示意圖和金相圖多層壓敏電阻


            從參數(shù)設(shè)定上非常簡單,從上圖可以看出,多層壓敏電阻相當(dāng)于很多單層的壓敏電阻并聯(lián)在一起,所以對同一種材料來說,擊穿電壓就由單層的厚度決定,而電容則是跟疊層數(shù)直接成正比。如果要得到小的電容值,一個是減少層數(shù),還有一個就是把單層的厚度變小,所以擊穿電壓就勢必變大。

            多層壓敏電阻的工作原理相同于普通插腳式的壓敏電阻,其IV曲線如下圖所示。

          圖8:壓敏電阻的IV曲線圖


            正是因為壓敏電阻的這種IV非線性特征,使得壓敏電阻在外加電壓升高到某個值時,變成低阻狀態(tài),從而保護設(shè)備免受過電壓的損害。但是也應(yīng)該看到,這種多層結(jié)構(gòu)目前能達到的最低電容通常是2pF的量級,比如Littlefuse的MLN、MLA等系列產(chǎn)品,而另外一類產(chǎn)品,也稱為MLV系列,比如BournsMLC系列產(chǎn)品。實際上這種產(chǎn)品和Litttlefuse的Pulseguard產(chǎn)品一樣,是基于在某種基底材料上(比如Littlefuse用聚合物,而Bourns用陶瓷材料)沉積某種靜電吸收材料,因為沉積材料的體積大幅度減小,從而使得電容值小于1pF.比如Bourns的MLC系列可以達到0.5pF,而Littlefuse的Pulseguard材料更是號稱能達到0.025pF9,10,11.除了上面提到的兩大類MLV靜電防護器件,MLV防護器件還向集成化發(fā)展,做成多個MLV陣列的形式是最普通的集成方式,比如Epcos系列,就是把四個獨立的MLV集成在一個器件上,同時進行4線保護。Litttlfuse的SP系列,最多能進行18個器件的集成。除了同類MLV器件的集成,還有的公司把其他的一些功能元件與MLV集成在一起,漸漸成為了本行業(yè)的技術(shù)發(fā)展趨勢。比如AVX公司把MLV與濾波器集成在一起做成TransFeed系列產(chǎn)品,還有的公司把MLV與多層壓敏電阻集成在一起。EPCOS公司推出了T4NA230XFV集成浪涌抑制器,內(nèi)含兩只壓敏電阻器和一種短路裝置。該產(chǎn)品用于電信中心局和用戶線一側(cè)的通信設(shè)備保護12。

            4.MLV市場和全球競爭態(tài)勢

            多層壓敏電阻器因為其自身的優(yōu)點可以對IC及其它靜電敏感設(shè)備進行保護,防止因靜電放電、浪涌及其它瞬態(tài)電流而造成對它們的損壞,所以其應(yīng)用范圍十分廣泛,主要應(yīng)用領(lǐng)域有三個:手機、汽車電子和計算機技術(shù)。下表是Paumanok對該應(yīng)用在2003年的調(diào)查結(jié)果。

            圖9:多層壓敏電阻的主要應(yīng)用領(lǐng)域?qū)嶋H上多層壓敏電阻的應(yīng)用遠遠不止上面說的三種,在數(shù)碼相機、MP3、機頂盒、PDA、醫(yī)療器械、GPS導(dǎo)航系統(tǒng)和衛(wèi)星發(fā)射接受設(shè)備中都有多層壓敏的應(yīng)用。多層壓敏電阻在中國大陸的需求總量,據(jù)Epcos估計在2007年將會達到1400萬歐元。

          圖10:Epcos對2007年中國大陸壓敏電阻需求量的估計



            根據(jù)無源器件專業(yè)市場調(diào)研公司

            PAUMANOK的調(diào)查,在2003年多層壓敏電阻的銷售已經(jīng)達到了75億只的規(guī)模。今后幾年全球市場的年增長率將保持在15%,而銷售額每年將增長11%。雖然多層壓敏電阻的市場需求非常強勁,但是因為技術(shù)門檻并不高,所以競爭非常激烈。下圖是在2003年參與競爭的國際上重要供應(yīng)商。

            圖11:多層壓敏電阻供應(yīng)商在2003年的銷售額在臺灣也有大量的供應(yīng)商,如下表所示。

            圖12:多層壓敏電阻臺灣地區(qū)部分供應(yīng)商除了以上提到的供應(yīng)商,在臺灣還有像佳邦、國巨和立昌等也陸續(xù)加入了競爭。雖然在國外和臺灣多層壓敏電阻的生產(chǎn)已經(jīng)批量并且技術(shù)成熟,但是在國內(nèi)大陸,卻剛剛處于起步階段,只有深圳順絡(luò)、廣東風(fēng)華、河南金冠和常州星翰等具有生產(chǎn)能力,從目前的情況看,因為知名度和技術(shù)等原因,國內(nèi)企業(yè)被市場認可的程度并不高。而據(jù)中國電子元件行業(yè)協(xié)會信息中心估計,2004年國內(nèi)對多層壓敏電阻的需求達到23億只,而到2005年則至少達到26億只的規(guī)模,但是我們在2005年國內(nèi)的生產(chǎn)能力卻只有區(qū)區(qū)2億只,需求的90%以上依靠進口13,巨大的需求和遠遠落后的生產(chǎn)能力形成巨大的反差,這一差距隨著電子工業(yè)的快速增長而加大。國內(nèi)發(fā)展多層壓敏電阻的任務(wù)任重而道遠。

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